本文關(guān)鍵詞：超深亞微米互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件的劑量率效應(yīng)

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【摘要】：對0.18μm互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOSFET)及靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)開展了不同劑量率下的電離總劑量輻照試驗研究.結(jié)果表明:在相同累積劑量,SRAM的低劑量率輻照損傷要略大于高劑量率輻照的損傷,并且低劑量率輻照損傷要遠(yuǎn)大于高劑量率輻照加與低劑量率輻照時間相同的室溫退火后的損傷.雖然NMOSFET低劑量率輻照損傷略小于高劑量率輻照損傷,但室溫退火后,高劑量率輻照損傷同樣要遠(yuǎn)小于低劑量率輻照損傷.研究結(jié)果表明0.18μm CMOS工藝器件的輻射損傷不是時間相關(guān)效應(yīng).利用數(shù)值模擬的方法提出了解釋CMOS器件劑量率效應(yīng)的理論模型.
【作者單位】： 中國科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所 中國科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點實驗室;新疆電子信息材料與器件重點實驗室;北京微電子技術(shù)研究所;中國科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 總劑量輻射效應(yīng) 超深亞微米 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 靜態(tài)隨機存儲器
【基金】：中國科學(xué)院西部之光項目(批準(zhǔn)號:XBBS201219)資助的課題~~
【分類號】：TN303
【正文快照】： 對0.18μm互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(NMOSFET)及靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)開展了不同劑量率下的電離總劑量輻照試驗研究.結(jié)果表明:在相同累積劑量,SRAM的低劑量率輻照損傷要略大于高劑量率輻照的損傷,并且低劑量率輻照損傷要遠(yuǎn)大于高劑量

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本文編號：1033676