本文關(guān)鍵詞：超深亞微米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件的劑量率效應(yīng)

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【摘要】：對(duì)0.18μm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOSFET)及靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)開(kāi)展了不同劑量率下的電離總劑量輻照試驗(yàn)研究.結(jié)果表明:在相同累積劑量,SRAM的低劑量率輻照損傷要略大于高劑量率輻照的損傷,并且低劑量率輻照損傷要遠(yuǎn)大于高劑量率輻照加與低劑量率輻照時(shí)間相同的室溫退火后的損傷.雖然NMOSFET低劑量率輻照損傷略小于高劑量率輻照損傷,但室溫退火后,高劑量率輻照損傷同樣要遠(yuǎn)小于低劑量率輻照損傷.研究結(jié)果表明0.18μm CMOS工藝器件的輻射損傷不是時(shí)間相關(guān)效應(yīng).利用數(shù)值模擬的方法提出了解釋CMOS器件劑量率效應(yīng)的理論模型.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院新疆理化技術(shù)研究所 中國(guó)科學(xué)院特殊環(huán)境功能材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;新疆電子信息材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;北京微電子技術(shù)研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 總劑量輻射效應(yīng) 超深亞微米 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
【基金】：中國(guó)科學(xué)院西部之光項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):XBBS201219)資助的課題~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN303
【正文快照】： 對(duì)0.18μm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝的N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(NMOSFET)及靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)開(kāi)展了不同劑量率下的電離總劑量輻照試驗(yàn)研究.結(jié)果表明:在相同累積劑量,SRAM的低劑量率輻照損傷要略大于高劑量率輻照的損傷,并且低劑量率輻照損傷要遠(yuǎn)大于高劑量

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3 高博;余學(xué)峰;任迪遠(yuǎn);崔江維;蘭博;李明;王義元;;p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管低劑量率輻射損傷增強(qiáng)效應(yīng)模型研究[J];物理學(xué)報(bào);2011年06期

4 孫亞賓;付軍;許軍;王玉東;周衛(wèi);張偉;崔杰;李高慶;劉志弘;;不同劑量率下鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極晶體管電離損傷效應(yīng)研究[J];物理學(xué)報(bào);2013年19期

5 何寶平;姚志斌;;互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件空間低劑量率輻射效應(yīng)預(yù)估模型研究[J];物理學(xué)報(bào);2010年03期

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7 何寶平,王桂珍,周輝,羅尹虹,姜景和;NMOSFET器件不同源、不同γ劑量率輻射損傷比較[J];電子學(xué)報(bào);2002年08期

8 陸嫵;任迪遠(yuǎn);鄭玉展;王義元;郭旗;余學(xué)峰;何承發(fā);;典型器件和電路不同劑量率的輻射效應(yīng)[J];信息與電子工程;2012年04期

9 ;[J];;年期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

1 陸嫵;任迪遠(yuǎn);郭旗;余學(xué)峰;;不同劑量率下MOSFET的輻照響應(yīng)和退火行為[A];2008第六屆電子產(chǎn)品防護(hù)技術(shù)研討會(huì)論文集[C];2008年

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本文編號(hào)：1033676