發(fā)布時(shí)間：2017-10-14 12:12

  本文關(guān)鍵詞：碳化硅半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展及其產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議

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【摘要】：正碳化硅特點(diǎn)及應(yīng)用碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低及化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點(diǎn),是新世紀(jì)有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽?dǎo)體材料。SiC晶片和外延襯底在通信、汽車(chē)、電網(wǎng)、航空、航天、石油開(kāi)采以及國(guó)防等各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,其主要用途如表1。
【作者單位】： 廈門(mén)市科學(xué)技術(shù)信息研究院;
【關(guān)鍵詞】： 臨界擊穿電場(chǎng);硅半導(dǎo)體;半導(dǎo)體材料;外延襯底;石油開(kāi)采;材料研究進(jìn)展;禁帶;專(zhuān)利申請(qǐng);第三代;芯片制造;
【分類(lèi)號(hào)】：F426.63;TN304.24
【正文快照】： 碳化硅特點(diǎn)及應(yīng)用潛力的第三代新型半導(dǎo)體材料。Si C晶片和外延襯碳化硅(Si C)具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、電子底在通信、汽車(chē)、電網(wǎng)、航空、航天、石油開(kāi)采以及國(guó)飽和漂移速率大、臨界擊穿電場(chǎng)高、介電常數(shù)低及防等各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景,其主要用途化學(xué)穩(wěn)定性好等諸多，

本文編號(hào)：1030976