本文關鍵詞：碳化硅半導體材料研究進展及其產業(yè)發(fā)展建議

  更多相關文章： 臨界擊穿電場 硅半導體 半導體材料 外延襯底 石油開采 材料研究進展 禁帶 專利申請 第三代 芯片制造

【摘要】：正碳化硅特點及應用碳化硅(SiC)具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數低及化學穩(wěn)定性好等諸多優(yōu)點,是新世紀有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ牡谌滦桶雽w材料。SiC晶片和外延襯底在通信、汽車、電網、航空、航天、石油開采以及國防等各個領域有著廣泛的應用前景,其主要用途如表1。
【作者單位】： 廈門市科學技術信息研究院;
【關鍵詞】： 臨界擊穿電場;硅半導體;半導體材料;外延襯底;石油開采;材料研究進展;禁帶;專利申請;第三代;芯片制造;
【分類號】：F426.63;TN304.24
【正文快照】： 碳化硅特點及應用潛力的第三代新型半導體材料。Si C晶片和外延襯碳化硅(Si C)具有禁帶寬度大、熱導率高、電子底在通信、汽車、電網、航空、航天、石油開采以及國飽和漂移速率大、臨界擊穿電場高、介電常數低及防等各個領域有著廣泛的應用前景,其主要用途化學穩(wěn)定性好等諸多，

本文編號：1030976