本文關(guān)鍵詞：0.18μm抗輻射標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

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【摘要】：隨著集成電路工藝尺寸的不斷縮小和人們對(duì)芯片性能的不斷追求,使得芯片的規(guī)模不斷增大,設(shè)計(jì)復(fù)雜度也逐漸加大。通常情況下,產(chǎn)品更快地進(jìn)入市場(chǎng)才能讓公司獲取最大效益,所以利用預(yù)先設(shè)計(jì)好的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù),與EDA工具相互配合,可以進(jìn)一步縮短產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期。而評(píng)價(jià)一款芯片的好壞,除了要關(guān)注設(shè)計(jì)周期和功能特性,還要注重該產(chǎn)品的質(zhì)量,特別是在精密醫(yī)療設(shè)備、軍工行業(yè)和航空航天等領(lǐng)域中,芯片的抗輻射性能顯得尤為重要。本論文首先對(duì)傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的功能特性、設(shè)計(jì)方法和制造流程進(jìn)行了研究與學(xué)習(xí),充分了解到了普通單元庫(kù)在特殊領(lǐng)域的局限性,然后對(duì)普通的時(shí)序單元進(jìn)行了優(yōu)化改進(jìn),增加了帶有置位功能的三互鎖存結(jié)構(gòu)的D觸發(fā)器,并采用了0.18μm的制造工藝對(duì)庫(kù)中所有的獨(dú)立單元進(jìn)行了原理圖的設(shè)計(jì)和版圖的繪制,從而形成了一套具有抗單粒子輻射性能的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)。最后為了保證該標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)能夠被其他的EDA工具識(shí)別和應(yīng)用,本論文又對(duì)以上抗輻射標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)進(jìn)行了表征和提取,導(dǎo)出了相應(yīng)的時(shí)序庫(kù)和物理庫(kù)信息。為了驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的功能特性和導(dǎo)出數(shù)據(jù)的兼容性,本論文采用Encounter和ICC標(biāo)準(zhǔn)的布局布線設(shè)計(jì)流程,結(jié)合普通標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)和抗輻射標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)分別設(shè)計(jì)并繪制了對(duì)應(yīng)的自動(dòng)增益控制芯片版圖。然后,在性能、面積等方面對(duì)以上兩種版圖進(jìn)行了分析和比較,從而確定了本論文設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)能夠被正確應(yīng)用到芯片設(shè)計(jì)中。
【關(guān)鍵詞】：標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù) 抗輻射 表征 提取 驗(yàn)證
【學(xué)位授予單位】：山東大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN402
【目錄】：

• 摘要8-9
• ABSTRACT9-10
• 第一章 緒論10-16
• 1.1 課題背景及意義10-11
• 1.2 國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀11-14
• 1.2.1 標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)發(fā)展現(xiàn)狀11-13
• 1.2.2 輻射環(huán)境的研究13-14
• 1.3 研究的主要內(nèi)容14-15
• 1.4 論文結(jié)構(gòu)安排15-16
• 第二章 標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的基本理論16-31
• 2.1 標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的建庫(kù)流程16-17
• 2.2 電路圖庫(kù)的設(shè)計(jì)17-22
• 2.2.1 技術(shù)文件的介紹17
• 2.2.2 電路圖設(shè)計(jì)尺寸的確定17-22
• 2.3 版圖庫(kù)設(shè)計(jì)22-30
• 2.3.1 版圖的設(shè)計(jì)規(guī)則22-24
• 2.3.2 版圖的一般畫(huà)法24-28
• 2.3.3 版圖的驗(yàn)證28-30
• 2.4 小結(jié)30-31
• 第三章 抗輻射單元的設(shè)計(jì)31-41
• 3.1 輻射的類型31-33
• 3.1.1 總劑量效應(yīng)的基本原理31-32
• 3.1.2 單粒子效應(yīng)的基本原理32-33
• 3.2 抗單粒子翻轉(zhuǎn)的單元設(shè)計(jì)33-40
• 3.2.1 DICE單元的電路圖34-35
• 3.2.2 VOTER電路圖和版圖35-38
• 3.2.3 三互鎖存單元結(jié)構(gòu)的DFF電路圖和版圖38-40
• 3.3 小結(jié)40-41
• 第四章 單元庫(kù)的表征和提取41-55
• 4.1 時(shí)序庫(kù)的表征41-48
• 4.1.1 時(shí)序參數(shù)的介紹41-42
• 4.1.2 一般單元表征的過(guò)程42-47
• 4.1.3 部分特殊單元表征的過(guò)程47-48
• 4.2 物理庫(kù)的提取48-54
• 4.2.1 LEF文件的介紹49-52
• 4.2.2 抽象的步驟52-54
• 4.3 小結(jié)54-55
• 第五章 單元庫(kù)驗(yàn)證55-69
• 5.1 AGC的工作原理55-56
• 5.2 綜合流程56-57
• 5.3 布局布線流程57-67
• 5.4 門(mén)級(jí)仿真驗(yàn)證67-68
• 5.5 小結(jié)68-69
• 第六章 總結(jié)與展望69-70
• 6.1 總結(jié)69
• 6.2 未解決的問(wèn)題和以后工作展望69-70
• 參考文獻(xiàn)70-74
• 致謝74-75
• 附件75

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1 李云崗,侯朝煥;標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)的建立和參數(shù)提取[J];微計(jì)算機(jī)應(yīng)用;1999年04期

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