本文關(guān)鍵詞：基于二硫化鉬或硒化砷覆層及側(cè)邊拋磨光纖的全光光功率探測器

  更多相關(guān)文章： 全光探測器 二硫化鉬 硒化砷 側(cè)邊拋磨光纖 光光轉(zhuǎn)換效率

【摘要】：從源節(jié)點(diǎn)到目的節(jié)點(diǎn)的整個(gè)傳輸過程中的數(shù)據(jù)信號(hào)始終使用光信號(hào),在各節(jié)點(diǎn)處無光/電或者電/光轉(zhuǎn)以波長路由光交換技術(shù)和波分復(fù)用傳輸技術(shù)為基礎(chǔ)的全光網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)在光域上的高速的信息傳輸和交換。而在信號(hào)傳輸過程中信號(hào)的上下載以及信號(hào)泄露等檢查工作中需要用到光探測器。光探測器是利用光與物質(zhì)的各種相互作用,把光能轉(zhuǎn)換為其他可感知量的各種器件的總稱。而如果在全光條件下,各種光電探測器的局限性就產(chǎn)生了,全光探測器將會(huì)是新的熱門研究方向。全光探測器是一種能對(duì)外部照射光產(chǎn)生響應(yīng),但輸出信號(hào)為內(nèi)部光波導(dǎo)中的光信號(hào)的光光轉(zhuǎn)換響應(yīng)探測器。全光探測器是未來全光網(wǎng)絡(luò)的重要組成器件。側(cè)邊拋磨光纖是在普通通信光纖基礎(chǔ)上制作的一種新型光波導(dǎo)載體。它是利用光學(xué)微加工技術(shù),將普通通信光纖拋磨掉一部分包層所制備成的光纖。當(dāng)包層厚度拋磨減小到一定區(qū)域,由于倏逝場的存在,相當(dāng)于在該區(qū)域時(shí)形成一個(gè)纖芯中光場的“窗口”,人們就有可以利用該光“窗口”的倏逝場來探測、激發(fā)、控制在光纖纖芯中的傳播光。二硫化鉬是近幾年涌現(xiàn)出來的具有優(yōu)異性質(zhì)的一種層狀納米材料,兼具過渡族金屬化合物與二維材料雙重特性。與石墨烯不同的是,二硫化鉬還擁有直接能帶隙。新的功能特性使其成為新的光電平臺(tái),包括寬帶超快光電探測、電光調(diào)制、飽和吸收、參數(shù)非線性。過渡金屬化合物物材料(TMDs)均是半導(dǎo)體材料。硒化砷作為典型的硫系化合物,在近紅外范圍內(nèi)其透光率很高,高的折射率,好的非線性,它還具有光具有光誘導(dǎo)特性,如光致暗化效應(yīng)。利用二硫化鉬或硒化砷與側(cè)邊拋磨光纖結(jié)合的全光探測器器件目前未見報(bào)道。本文研究了一種基于二硫化鉬或硒化砷覆層以及側(cè)邊拋磨光纖的全光光功率探測器。首先,本文發(fā)現(xiàn)沉積二硫化鉬或硒化砷材料后的側(cè)邊拋磨光纖具有起偏特性。其次,側(cè)邊拋磨光纖作為光波導(dǎo),信號(hào)光在其中傳輸;二硫化鉬或硒化砷作為光響應(yīng)材料,對(duì)外界光刺激做出響應(yīng)并影響信號(hào)光的傳輸。當(dāng)外部光照射全光光功率探測器件二硫化鉬或硒化砷覆層區(qū)域時(shí),光波導(dǎo)中波長傳輸光的偏振特性隨外部照射光的光功率變化,從而實(shí)現(xiàn)光光轉(zhuǎn)換響應(yīng)。本論文創(chuàng)新之處:1.研究發(fā)現(xiàn)沉積二硫化鉬的側(cè)邊拋磨光纖在1550nm處具有偏振特性,沉積硒化砷的側(cè)邊拋磨光纖在寬波長范圍內(nèi)(1458nm-1620nm)具有偏振特性;2.實(shí)現(xiàn)基于側(cè)邊拋磨光纖光波導(dǎo)以及二硫化鉬或硒化砷的全光光功率探測器,利用二硫化鉬或硒化砷的光響應(yīng)特性,實(shí)現(xiàn)了光光轉(zhuǎn)換。定義了新的參量:光光轉(zhuǎn)換效率。我們定義光光轉(zhuǎn)換效率為光纖波導(dǎo)中相對(duì)應(yīng)響應(yīng)量與被探測光功率密度的比值,公式為:光光轉(zhuǎn)換效率=相對(duì)響應(yīng)量(I,LPER)/探測功率密度(P)。3.器件中傳輸信號(hào)光的偏振特性,對(duì)典型可見光波長的光響應(yīng)與照射光功率有關(guān),且為線性關(guān)系。利用此線性關(guān)系,器件可以與光纖檢偏器構(gòu)成全光光功率探測器。
【關(guān)鍵詞】：全光探測器 二硫化鉬 硒化砷 側(cè)邊拋磨光纖 光光轉(zhuǎn)換效率
【學(xué)位授予單位】：暨南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN253;TN929.1
【目錄】：

• 摘要2-4
• Abstract4-8
• 第一章 緒論8-20
• 1.1 課題研究背景及意義8-10
• 1.2 國內(nèi)外現(xiàn)狀研究10-18
• 1.2.1 光電探測器與全光探測器10-12
• 1.2.2 二硫化鉬材料、硒化砷材料概述12-18
• 1.3 本文主要內(nèi)容18-20
• 第二章 沉積二硫化鉬或硒化砷的側(cè)邊拋磨光纖全光光功率探測器樣品制備20-27
• 2.1 側(cè)邊拋磨光纖樣品準(zhǔn)備20-22
• 2.2 脈沖激光沉積法制備探測器樣品22-26
• 2.2.1 沉積二硫化鉬的側(cè)邊拋磨光纖全光光功率探測器樣品制備22-25
• 2.2.2 沉積硒化砷的側(cè)邊拋磨光纖全光光功率探測器樣品制備25-26
• 2.3 本章小結(jié)26-27
• 第三章 基于二硫化鉬全光光功率探測器特性研究27-41
• 3.1 偏振特性理論[50]27-28
• 3.2 基于二硫化鉬全光光功率探測器偏振特性28-30
• 3.3 基于二硫化鉬全光光功率探測器光響應(yīng)特性30-35
• 3.4 基于二硫化鉬全光光功率探測器時(shí)間響應(yīng)特性35-39
• 3.5 本章小結(jié)39-41
• 第四章 基于硒化砷全光光功率探測器特性研究41-49
• 4.1 基于硒化砷全光光功率探測器偏振特性41-43
• 4.2 基于硒化砷全光光功率探測器光響應(yīng)特性43-46
• 4.3 基于硒化砷全光光功率探測器時(shí)間響應(yīng)特性46-47
• 4.4 本章小結(jié)47-49
• 第五章 總結(jié)與展望49-52
• 5.1 總結(jié)49-51
• 5.2 展望51-52
• 參考文獻(xiàn)52-57
• 在校期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文57-58
• 致謝58

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 羅云瀚;陳小龍;徐夢云;葛嘉;張怡龍;何永紅;唐潔媛;余健輝;張軍;陳哲;陳星旦;;側(cè)邊拋磨光纖的光譜調(diào)制型表面等離子體共振傳感研究[J];光譜學(xué)與光譜分析;2014年03期

2 陳哲;崔菲;曾應(yīng)新;;側(cè)邊拋磨光纖波導(dǎo)傳輸特性的理論分析[J];光子學(xué)報(bào);2008年05期

3 何小莉;陳哲;余健輝;曾應(yīng)新;羅云瀚;張軍;唐潔媛;衛(wèi)青松;謝俊辛;黃華才;;側(cè)邊拋磨光子晶體光纖傳輸特性理論分析[J];光學(xué)學(xué)報(bào);2014年03期

4 白春河;陳哲;李豐麗;張?jiān)坡?曾應(yīng)新;劉林和;;側(cè)邊拋磨光纖中傳輸光功率變化的實(shí)驗(yàn)研究[J];光子學(xué)報(bào);2007年06期

5 甘宏波;陳哲;張軍;何小莉;甘煥標(biāo);謝俊辛;唐潔媛;羅云瀚;余健輝;;側(cè)邊拋磨多模光纖中光功率傳輸特性研究[J];光電子.激光;2014年03期

6 張凌童;陳哲;;側(cè)邊拋磨光纖泄漏光功率空間分布研究[J];激光雜志;2008年01期

7 李小慶;陳哲;余健輝;杜W，

本文編號(hào)：1025769