本文關(guān)鍵詞：基于電容分段反饋的絕緣柵雙極型晶體管門極驅(qū)動

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【摘要】：將絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)關(guān)斷過程分解為多個階段,對IGBT關(guān)斷過程中電壓上升和電流下降采取分階段電容耦合反饋從而獨(dú)立控制dv/dt和di/dt,實現(xiàn)電磁輻射和關(guān)斷電壓反峰的雙重約束�；赑spiece模型仿真出不同反饋電容及門極電阻下的開關(guān)損耗和關(guān)斷電壓反峰,繪制出了相互之間的關(guān)系曲線,同時提出了一套優(yōu)化系統(tǒng)參數(shù)的計算方法。選取英飛凌FS400R07A1E3_H5型IGBT模塊,設(shè)計出了具備電容反饋的驅(qū)動電路,實驗結(jié)果表明:在通過IGBT電流為400A的情況下,采取電容反饋的驅(qū)動電路將反峰電壓降低80V左右,模塊溫升有所降低,驗證了本文方法的正確性。
【作者單位】： 吉林大學(xué)汽車工程學(xué)院;吉林大學(xué)物理學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 車輛工程 絕緣柵雙極型晶體管 開關(guān)損耗 門極驅(qū)動 電容反饋 電壓反峰
【分類號】：U461;;TM46
【正文快照】： 0引言絕緣柵雙極型晶體管(Insulated gate bipolartransistor,IGBT)廣泛應(yīng)用于各種換能領(lǐng)域,大功率IGBT驅(qū)動是電力電子領(lǐng)域?qū)W者研究的熱點(diǎn),尤其在新能源汽車領(lǐng)域,高功率密度、寬電壓工作范圍的電機(jī)控制器(MCU)一直是工程師努力的方向。評價IGBT驅(qū)動可以從開關(guān)損耗、開關(guān)速度、

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1 劉麗;高頻諧振門極驅(qū)動電路的研究[D];浙江大學(xué);2008年

2 張嬋;IGCT集成門極驅(qū)動電路研究[D];北京交通大學(xué);2007年

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本文編號：1023975