發(fā)布時間：2017-10-13 01:07

  本文關鍵詞：SiC量子點熒光材料光譜特性影響因素的研究

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【摘要】：通過腐蝕法制備SiC量子點熒光標記材料,以硝酸和氫氟酸為腐蝕劑,通過超聲空化破碎分散及超重力場層析剪裁,得到SiC量子點水相溶液,研究了制備工藝參數(shù)對光學特性的影響,結(jié)果表明,降酸清洗次數(shù)、超聲時長對量子點光致發(fā)光峰值(熒光強度)的影響最為顯著,而腐蝕劑成分及配比、超重力系數(shù)在一定程度上影響了其光致發(fā)光強度及發(fā)射光波長,同時腐蝕劑成分中氫氟酸含量的增加使得光致發(fā)光峰值位置發(fā)生紅移,而超聲時長及超重力系數(shù)的增加使得SiC量子點光致發(fā)光峰值位置發(fā)生藍移。并對SiC顆粒腐蝕過程相關機制也進行了探討。
【作者單位】： 山東農(nóng)業(yè)大學機械與電子工程學院;山東省園藝機械與裝備重點實驗室;浦項工科大學材料科學與工程學院;
【關鍵詞】： SiC量子點 腐蝕法 工藝參數(shù) 光譜特征
【基金】：山東省科技發(fā)展計劃資助項目(2014GGX102012) 山東省博士后創(chuàng)新基金資助項目(201203101) 中國博士后科學基金資助項目(2013M53163)
【分類號】：TN304.24
【正文快照】： 0引言量子點是一種重要的新型半導體熒光納米材料,由Ⅱ-Ⅵ或Ⅲ-Ⅴ族元素組成的尺寸約為幾十納米至幾納米的細小顆粒,它具有獨特的光學特性,如光學特性穩(wěn)定、熒光顏色可調(diào)且分辨率較高、斯托克斯位移大等,因此量子點在熒光標記、化學分析、光催化及光電器件的研究領域得到了廣

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1 劉玉敏,俞重遠,楊紅波,黃永箴;有限元法分析透鏡形自組織生長量子點的彈性應變場分布(英文)[J];半導體學報;2005年07期

2 徐萬幫;汪勇先;許榮輝;尹端l，

本文編號：1021938