本文關鍵詞：GaN基LED高能電子束流輻照效應研究

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【摘要】：使用高能電子輻照對GaN基藍光發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)光電學性能的影響進行研究。高能電子束流分別對不同組別的LED樣品進行輻照實驗,并通過自動測控系統(tǒng)對輻照過程中LED的電流、光強、光譜峰值波長進行全程測控。隨后,在室溫無輻照環(huán)境下對上述不同組別的LED樣品進行跟蹤對比測試研究。實驗結果表明,高能輻照對LED的改性有明顯效果,具體表現(xiàn)在工作電流和發(fā)光功率變化時受輻照影響的穩(wěn)定性有所改善,光譜峰值波長出現(xiàn)藍移。同時,GaN基LED在輻照過程中是否通電對LED的光電學性能有顯著影響。
【作者單位】： 天津工業(yè)大學;核探測與核電子學國家重點實驗室;中國科學院高能物理研究所;中國科學院大學;陜西科技大學;
【關鍵詞】： 高能電子輻照 GaN 發(fā)光二極管 光電學性能
【基金】：國家自然科學基金(No.11175198、No.11475209、No.11611130020、No.11305190、No.11204211)資助~~
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 劉超1于莉媛1王志剛2,3錢森2,3夏經鎧2,3,4朱納5高峰2,3,4安廣朋2,3馬毅超5黨宏社5吳英蕾1楊潔11(天津工業(yè)大學天津300387)2(核探測與核電子學國家重點實驗室北京100049)3(中國科學院高能物理研究所北京100049)4(中國科學院大學北京100049)5(陜西科技大學西安710021)Ga N作為

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本文編號：1020153