本文關(guān)鍵詞：GaN基LED高能電子束流輻照效應(yīng)研究

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【摘要】：使用高能電子輻照對(duì)GaN基藍(lán)光發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)光電學(xué)性能的影響進(jìn)行研究。高能電子束流分別對(duì)不同組別的LED樣品進(jìn)行輻照實(shí)驗(yàn),并通過自動(dòng)測(cè)控系統(tǒng)對(duì)輻照過程中LED的電流、光強(qiáng)、光譜峰值波長(zhǎng)進(jìn)行全程測(cè)控。隨后,在室溫?zé)o輻照環(huán)境下對(duì)上述不同組別的LED樣品進(jìn)行跟蹤對(duì)比測(cè)試研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,高能輻照對(duì)LED的改性有明顯效果,具體表現(xiàn)在工作電流和發(fā)光功率變化時(shí)受輻照影響的穩(wěn)定性有所改善,光譜峰值波長(zhǎng)出現(xiàn)藍(lán)移。同時(shí),GaN基LED在輻照過程中是否通電對(duì)LED的光電學(xué)性能有顯著影響。
【作者單位】： 天津工業(yè)大學(xué);核探測(cè)與核電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);陜西科技大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 高能電子輻照 GaN 發(fā)光二極管 光電學(xué)性能
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(No.11175198、No.11475209、No.11611130020、No.11305190、No.11204211)資助~~
【分類號(hào)】：TN312.8
【正文快照】： 劉超1于莉媛1王志剛2,3錢森2,3夏經(jīng)鎧2,3,4朱納5高峰2,3,4安廣朋2,3馬毅超5黨宏社5吳英蕾1楊潔11(天津工業(yè)大學(xué)天津300387)2(核探測(cè)與核電子學(xué)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室北京100049)3(中國(guó)科學(xué)院高能物理研究所北京100049)4(中國(guó)科學(xué)院大學(xué)北京100049)5(陜西科技大學(xué)西安710021)Ga N作為

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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1 劉超;于莉媛;王志剛;錢森;夏經(jīng)鎧;朱納;高峰;安廣朋;馬毅超;黨宏社;吳英蕾;楊潔;;GaN基LED高能電子束流輻照效應(yīng)研究[J];核技術(shù);2016年12期

2 馬毅超;朱納;黨宏社;錢森;夏經(jīng)凱;王志剛;劉超;安廣朋;高峰;張銀鴻;;LED電子束輻照實(shí)驗(yàn)在線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)[J];核技術(shù);2016年05期

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【相似文獻(xiàn)】

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中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前1條

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本文編號(hào)：1020153