本文關(guān)鍵詞：GaN高頻開(kāi)關(guān)電力電子學(xué)的新進(jìn)展

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【摘要】：寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展給電力電子領(lǐng)域帶來(lái)新一代功率開(kāi)關(guān)器件,隨著Si C功率器件的發(fā)展,Ga N功率高電子遷移率晶體管(HEMT)在微波毫米波領(lǐng)域發(fā)展成熟的同時(shí),又在電力電子的高頻開(kāi)關(guān)方面進(jìn)入應(yīng)用創(chuàng)新的發(fā)展階段。綜述了近幾年Ga N功率HEMT在高頻開(kāi)關(guān)方面的最新進(jìn)展:高頻高效率開(kāi)關(guān)應(yīng)用;高功率密度;柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì);大功率集成;熱設(shè)計(jì)和可靠性研究等。重點(diǎn)介紹了基于Ga N功率HEMT在高頻開(kāi)關(guān)中應(yīng)用的特點(diǎn),在電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、寄生參量的抑制、柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)、功率集成、散熱設(shè)計(jì)與工藝和失效機(jī)理等創(chuàng)新。Ga N高頻開(kāi)關(guān)電力電子學(xué)在應(yīng)用創(chuàng)新方面已取得重要進(jìn)展。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司;中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 電力電子學(xué) GaN功率高電子遷移率晶體管(HEMT) 開(kāi)關(guān)頻率 高效率 高功率密度 柵極驅(qū)動(dòng)電路 功率集成 熱管理
【分類號(hào)】：TN386
【正文快照】： 專用集成電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,石家莊050051)0引言自1993年第一只Ga N高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)誕生以來(lái),Ga N HEMT器件與單片式微波集成電路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)在微波領(lǐng)域已發(fā)展成熟,其覆蓋了100 MHz~100 GHz的頻

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本文編號(hào)：1019794