本文關鍵詞：GaN高頻開關電力電子學的新進展

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【摘要】：寬禁帶半導體的發(fā)展給電力電子領域帶來新一代功率開關器件,隨著Si C功率器件的發(fā)展,Ga N功率高電子遷移率晶體管(HEMT)在微波毫米波領域發(fā)展成熟的同時,又在電力電子的高頻開關方面進入應用創(chuàng)新的發(fā)展階段。綜述了近幾年Ga N功率HEMT在高頻開關方面的最新進展:高頻高效率開關應用;高功率密度;柵極驅(qū)動電路設計;大功率集成;熱設計和可靠性研究等。重點介紹了基于Ga N功率HEMT在高頻開關中應用的特點,在電路拓撲結構設計、寄生參量的抑制、柵極驅(qū)動電路設計、功率集成、散熱設計與工藝和失效機理等創(chuàng)新。Ga N高頻開關電力電子學在應用創(chuàng)新方面已取得重要進展。
【作者單位】： 中國電子科技集團公司;中國電子科技集團公司第十三研究所專用集成電路重點實驗室;
【關鍵詞】： 電力電子學 GaN功率高電子遷移率晶體管(HEMT) 開關頻率 高效率 高功率密度 柵極驅(qū)動電路 功率集成 熱管理
【分類號】：TN386
【正文快照】： 專用集成電路重點實驗室,石家莊050051)0引言自1993年第一只Ga N高電子遷移率晶體管(high electron mobility transistor,HEMT)誕生以來,Ga N HEMT器件與單片式微波集成電路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC)在微波領域已發(fā)展成熟,其覆蓋了100 MHz~100 GHz的頻

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本文編號：1019794