超短脈沖激光半導(dǎo)體材料退火
本文關(guān)鍵詞:超短脈沖激光半導(dǎo)體材料退火
更多相關(guān)文章: 激光技術(shù) 飛秒激光 皮秒激光 相變 退火
【摘要】:脈沖激光退火技術(shù)從1974年問世以來一直被認為是一種熱處理方式。皮秒范圍內(nèi)的超短脈沖退火可以用熱模型解釋。飛秒或脈寬更短的超短脈沖激光可以直接通過電子激發(fā)來實現(xiàn)晶格結(jié)構(gòu)的改變,在低于熔點的情況下完成退火。超短脈沖激光退火屬于非熱模型退火,是一種新型的退火方式。主要介紹了兩種退火模型的基本原理,概括了超短脈沖激光退火發(fā)展的歷史和現(xiàn)狀,并分析了其未來的研究趨勢。
【作者單位】: 中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所強場激光物理國家重點實驗室;中國科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】: 激光技術(shù) 飛秒激光 皮秒激光 相變 退火
【基金】:國家自然科學(xué)基金(11374316)
【分類號】:TN249;TN304
【正文快照】: 傳統(tǒng)退火的一個最主要工藝參數(shù)是最高加熱溫度即退火溫度,大部分合金退火溫度的選擇是基于該合金系的相圖。根據(jù)零件不同的化學(xué)成分和退火工藝,退火可以細分為完全退火、不完全退火、擴散退火、重結(jié)晶退火、球化退火、去除應(yīng)力退火以及穩(wěn)定化退火等。傳統(tǒng)的退火工藝是將材料正
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1 鄭孝敬;;硅片激光退火后熔融的新進展[J];激光與光電子學(xué)進展;1983年03期
2 馬谷城;孫寅奇;;半導(dǎo)體的激光退火[J];激光與光電子學(xué)進展;1979年09期
3 宇飛;;半導(dǎo)體的激光退火[J];激光與光電子學(xué)進展;1979年10期
4 田晉;延君;;離子注入半導(dǎo)體的激光退火[J];激光與光電子學(xué)進展;1979年12期
5 路福榮;;半導(dǎo)體激光退火[J];光電子.激光;1984年02期
6 吳恒顯,劉立人,趙新安,忻尚衡;砷化鎵注錫的紅寶石脈沖激光退火[J];激光;1979年11期
7 柳襄懷 ,陳朝榮 ,林成魯;離子注入硅的連續(xù)激光退火研究[J];自然雜志;1979年07期
8 劉尚合,盧武星,姬成周,張通和;砷注入硅的激光退火和熱退火特性[J];物理;1980年06期
9 ;最早的激光退火商用裝置[J];半導(dǎo)體光電;1980年02期
10 王陽元,張國柄,徐瑤,李寶環(huán);激光退火對多晶硅結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能的影響[J];北京大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);1982年04期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 徐二明;梁二軍;;非晶硅薄膜激光退火的研究[A];第十四屆全國光散射學(xué)術(shù)會議論文摘要集[C];2007年
中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條
1 章陽群;多晶鐵酸鉍/鐵磁薄膜激光退火誘導(dǎo)交換偏置和垂直各向異性的研究[D];南京大學(xué);2016年
2 宋長青;非晶硅薄膜的YAG激光退火技術(shù)研究[D];南京理工大學(xué);2010年
3 黃俊;PECVD制備a-SiC:H薄膜及激光退火研究[D];廈門大學(xué);2009年
,本文編號:1015576
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