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一種10μA5.5ppm℃非線性補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2017-10-11 00:09

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【摘要】:這是一種低功耗二階帶隙基準(zhǔn)電壓源,在傳統(tǒng)Kujik帶隙基準(zhǔn)電壓源的電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上增加了非線性二階曲率補(bǔ)償電路。基于TSMC 0.18μm CMOS工藝對(duì)電路功能和性能進(jìn)行了仿真測(cè)試,電源電壓為1.8V。仿真結(jié)果顯示,在溫度變化范圍為-45℃~85℃的范圍內(nèi),溫度系數(shù)為5.5 ppm/℃。輸出的基準(zhǔn)電壓值在1.2 V左右,電路總的電流消耗為10.69μA,電源抑制比為-63d B。根據(jù)工藝要求設(shè)計(jì)版圖,在保證性能的前提下盡可能減小面積,橫向長(zhǎng)度為149μm,縱向?qū)挾葹?8μm,版圖的總面積約為0.10132 mm2。
【作者單位】: 東北大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】二階補(bǔ)償 低功耗 帶隙基準(zhǔn)電壓源
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61370153)
【分類號(hào)】:TN432
【正文快照】: 帶隙基準(zhǔn)電壓源是高精度模擬系統(tǒng)中的一個(gè)必要的組成部分,被廣泛地應(yīng)用在穩(wěn)壓器、模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器等系統(tǒng)中[1],其性能直接影響到整個(gè)電路功能的實(shí)現(xiàn)[2]。 隨著數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)精度的不斷提高,電源電壓的不斷下降,以及手持設(shè)備應(yīng)用的不斷增加,傳統(tǒng)帶隙基準(zhǔn)電 壓源已經(jīng)很難能夠

【相似文獻(xiàn)】

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2 張國(guó)成;于映;江浩;賴松林;張紅;;一種低溫漂輸出可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)[J];電子工程師;2007年06期

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5 韓健;孫玲玲;洪慧;;一種二階補(bǔ)償?shù)母呔葞痘鶞?zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)[J];杭州電子科技大學(xué)學(xué)報(bào);2008年05期

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4 肖建輝;廖永波;;一種新穎的單級(jí)可調(diào)帶隙基準(zhǔn)電壓源電路[A];四川省電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)專委會(huì)2006年度學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2006年

5 高國(guó)清;馮勇建;;一種低壓高精度的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源[A];中國(guó)微米、納米技術(shù)第七屆學(xué)術(shù)會(huì)年會(huì)論文集(一)[C];2005年

6 賈有平;楊兵;;一種高性能CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)[A];2009通信理論與技術(shù)新發(fā)展——第十四屆全國(guó)青年通信學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2009年

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3 劉瀾蘭;一種高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)[D];吉林大學(xué);2006年

4 陳波;一種帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)[D];大連理工大學(xué);2007年

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6 張小瑩;低壓低功耗CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源設(shè)計(jì)[D];西安電子科技大學(xué);2009年

7 馬建斌;低輸出、低溫度系數(shù)、寬溫度范圍帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)與研究[D];山東大學(xué);2006年

8 張瑾;曲率補(bǔ)償帶隙基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];南京理工大學(xué);2013年

9 王國(guó)瑞;高性能帶隙基準(zhǔn)電壓源的分析與設(shè)計(jì)[D];吉林大學(xué);2010年

10 謝佳;高性能帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D];電子科技大學(xué);2008年

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本文編號(hào):1009365

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