本文關(guān)鍵詞：單晶硅片的表面織構(gòu)化與應(yīng)用

  更多相關(guān)文章： 太陽電池 單晶硅 金鋼線切割工藝 表面織構(gòu) 光電轉(zhuǎn)換效率

【摘要】：目前,晶體硅太陽電池在地面光伏發(fā)電中仍占據(jù)主導(dǎo)地位。而單晶硅太陽電池憑借光電轉(zhuǎn)換效率高、使用壽命長、成本逐漸降低等優(yōu)勢占有一定的市場份額,工業(yè)上單晶硅太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率可以達到20%左右。本文以最新的金鋼線切割單晶硅片為研究對象,采用低成本擇優(yōu)的堿性溶液進行表面織構(gòu)的制備。本文通過金剛線切割的單晶硅片同常規(guī)砂漿切割的單晶硅片進行對比,研究了堿性溶液對兩種切割工藝單晶硅片表面織構(gòu)的影響,分析了經(jīng)表面織構(gòu)后樣品的表面形貌、反射率及其太陽電池的性能。結(jié)果表明：金鋼線切割的單晶硅片表面損傷層厚度為3-5 μm,低于砂漿工藝生產(chǎn)的單晶硅片(12-17 μm),表明金鋼線切割工藝可以有效的降低硅料損耗。在中心波長650 nm處,金鋼線切割工藝獲得的原始硅片表面反射率高達42.36%,而砂漿工藝獲得的原始硅片僅為30.63%。利用堿性溶液對兩種工藝獲得的原始硅片進行表面織構(gòu)能有效地降低硅片表面反射率。表面織構(gòu)后,金剛線切割工藝的單晶硅片的表面反射率僅為10.80%,明顯低于砂漿切割工藝的硅片的反射率(11.87%)。為了對比兩種工藝表面織構(gòu)后的太陽電池效率性能,對同一時間段內(nèi)兩種工藝表面織構(gòu)后的太陽電池片光電轉(zhuǎn)換效率進行統(tǒng)計對比,發(fā)現(xiàn)金鋼線切割工藝表面織構(gòu)后的太陽電池片平均光電轉(zhuǎn)換效率達到了19.60%,而砂漿切割工藝表面織構(gòu)后制造的太陽電池片平均效率為19.46%,利用金鋼線切割工藝表面織構(gòu)后的太陽電池光電效率可以提升0.14%。
【關(guān)鍵詞】：太陽電池 單晶硅 金鋼線切割工藝 表面織構(gòu) 光電轉(zhuǎn)換效率
【學(xué)位授予單位】：內(nèi)蒙古大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TM914.4;TN304.12
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-9
• 第一章 緒論9-20
• 1.1 太陽電池研究背景及發(fā)展現(xiàn)狀9-10
• 1.2 光伏電池的基本工作原理10-13
• 1.2.1 太陽電池的內(nèi)部結(jié)構(gòu)10-11
• 1.2.2 晶硅太陽電池性能的相關(guān)參數(shù)11-13
• 1.3 工業(yè)化生產(chǎn)晶體硅太陽電池的工藝過程13-18
• 1.3.1 單晶潔片的切割工藝13-15
• 1.3.2 單晶硅太陽電池表面光學(xué)損失15-16
• 1.3.3 單晶硅太陽電池表面織構(gòu)的方法16-18
• 1.4 本論文的研究的依據(jù)及研究內(nèi)容18-20
• 1.4.1 論文的研究依據(jù)18-19
• 1.4.2 論文的研究內(nèi)容19-20
• 第二章 單晶硅片表面織構(gòu)的制備和研究20-36
• 2.1 引言20-21
• 2.2 實驗部分21-24
• 2.2.1 實驗所用的材料及生產(chǎn)設(shè)備21-22
• 2.2.2 金剛線切割單晶硅片表面織構(gòu)的制備22-24
• 2.2.3 測試與表征24
• 2.3 結(jié)果與討論24-35
• 2.3.1 兩種切割工藝下單晶硅片表面形貌分析24-26
• 2.3.2 兩種切割工藝下單晶硅片表面反射率測試26-27
• 2.3.3 兩種切割工藝單晶硅片表面織構(gòu)研究27-29
• 2.3.4 兩種切割工藝的單晶硅片表面織構(gòu)后的反射率測試29
• 2.3.5 兩種切割工藝單晶硅片表面織構(gòu)后的成分分析29-31
• 2.3.6 常規(guī)切割工藝單晶硅片在表面織構(gòu)過程中易出現(xiàn)的問題及解決方案31-33
• 2.3.7 兩種切割工藝生產(chǎn)的太陽電池光電轉(zhuǎn)換效率測試33-35
• 2.4 本章小結(jié)35-36
• 第三章 結(jié)論與展望36-37
• 參考文獻37-40
• 致謝40

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