發(fā)布時(shí)間：2017-10-09 02:29

  本文關(guān)鍵詞：一種快速瞬態(tài)響應(yīng)無(wú)電容型LDO的設(shè)計(jì)

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【摘要】：基于標(biāo)準(zhǔn)0.35μm CMOS工藝,提出一種快速瞬態(tài)響應(yīng)的高穩(wěn)定性L(fǎng)DO,其中包括帶瞬態(tài)增強(qiáng)的類(lèi)密勒補(bǔ)償電路。帶瞬態(tài)增強(qiáng)的類(lèi)密勒補(bǔ)償方式具有補(bǔ)償方便、功耗較低等優(yōu)點(diǎn)。根據(jù)該結(jié)論,使用帶瞬態(tài)增強(qiáng)的類(lèi)密勒補(bǔ)償電路可以實(shí)現(xiàn)LDO的快速瞬態(tài)響應(yīng)和寬負(fù)載寬電壓下的環(huán)路穩(wěn)定。采用Cadence EDA工具Spectre進(jìn)行仿真,結(jié)果表明:在整個(gè)電壓和負(fù)載變化范圍內(nèi),環(huán)路增益至少為60dB,相位裕度至少為75.8°,環(huán)路穩(wěn)定;負(fù)載從10μA跳變至200mA(tr=1μs)時(shí),輸出上沖/下沖電壓小于100 mV,建立時(shí)間為1.4μs;電源電壓抑制比(PSRR)約為70dB@1kHz;負(fù)載調(diào)整率為7.75‰,線(xiàn)性調(diào)整率為0.7‰,靜態(tài)功耗約為60μA。
【作者單位】： 福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院;福建江夏學(xué)院電子信息科學(xué)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 快速瞬態(tài)響應(yīng) 類(lèi)密勒補(bǔ)償 無(wú)電容型LDO
【基金】：福建省科技廳-集成電路(IC)技術(shù)平臺(tái)建設(shè)資助項(xiàng)目(2003Q013)
【分類(lèi)號(hào)】：TM44
【正文快照】： 1引言隨著便攜式電子設(shè)備的普及,LDO因具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)紋波、功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用。隨著片上系統(tǒng)的發(fā)展,越來(lái)越多的外圍模塊被集成到片內(nèi),LDO也不例外。片內(nèi)LDO因無(wú)片外電容,存在兩個(gè)問(wèn)題:1)負(fù)載階躍變化主要依靠調(diào)整管來(lái)響應(yīng),因靜態(tài)電流小、調(diào)整管寄生電容大,系

【相似文獻(xiàn)】

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