GIS中隔離開(kāi)關(guān)操作產(chǎn)生的電磁干擾問(wèn)題研究
本文關(guān)鍵詞:GIS中隔離開(kāi)關(guān)操作產(chǎn)生的電磁干擾問(wèn)題研究
更多相關(guān)文章: 氣體絕緣變電站 快速暫態(tài)過(guò)電壓 暫態(tài)殼體電壓 傳導(dǎo)干擾
【摘要】:GIS中隔離開(kāi)關(guān)操作會(huì)產(chǎn)生電弧重燃,觸頭間隙上電壓突然跌落建立起階躍電壓。在GIS內(nèi)部傳播時(shí)產(chǎn)生特快速暫態(tài)過(guò)電壓(VFTO)危害內(nèi)部設(shè)備絕緣;向外部傳播時(shí)產(chǎn)生暫態(tài)殼體電壓(TEV)干擾二次設(shè)備正常運(yùn)行甚至危害人身安全。隨著電力系統(tǒng)的電壓等級(jí)越來(lái)越高電磁環(huán)境越來(lái)越復(fù)雜,GIS的暫態(tài)過(guò)程中內(nèi)部設(shè)備絕緣和二次系統(tǒng)干擾耦合問(wèn)題越來(lái)越突出。針對(duì)這一問(wèn)題,本文以陳家橋500kV GIS為例。首先運(yùn)用貝瑞隆法等效各元件模型并選擇恰當(dāng)參數(shù),建立EMTP電磁暫態(tài)電路模型計(jì)算節(jié)點(diǎn)上的VFTO;其次,利用理想變壓器模型等效套管部件,建立GIS外部三傳輸線模型計(jì)算殼體上的TEV;最后,分別討論在電容式電壓互感器(CVT)或電流互感器(CT)的情況下,一次系統(tǒng)暫態(tài)過(guò)電壓或暫態(tài)過(guò)電流通過(guò)二次電纜對(duì)二次設(shè)備的傳導(dǎo)干擾,觀察幾種抑制傳導(dǎo)干擾措施的效果。分析結(jié)果表明:GIS中的VFTO幅值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)系統(tǒng)電壓,其中殘余電壓、入口電容及合閘電阻對(duì)VFTO的影響較大;母線殼體的TEV除與內(nèi)部VFTO有關(guān)外,主要決定于殼體的接地狀況。接地電感越小則TEV的幅值越小,通常采用導(dǎo)電率高的接地材料或多點(diǎn)接地的方式減小TEV;二次側(cè)的傳導(dǎo)干擾的抑制措施主要是加強(qiáng)二次電纜的防護(hù)效果。采用多股導(dǎo)線接地和加裝濾波電容的方式都能較好抑制傳導(dǎo)干擾影響。
【關(guān)鍵詞】:氣體絕緣變電站 快速暫態(tài)過(guò)電壓 暫態(tài)殼體電壓 傳導(dǎo)干擾
【學(xué)位授予單位】:廣西大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類(lèi)號(hào)】:TM595;TM564.1
【目錄】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-9
- 第一章 緒論9-16
- 1.1 氣體絕緣變電站中的電磁兼容問(wèn)題9-10
- 1.2 開(kāi)關(guān)操作產(chǎn)生VFTO特點(diǎn)及危害10-11
- 1.3 變電站內(nèi)電磁騷擾源分析11-13
- 1.4 國(guó)內(nèi)外研究概況13-15
- 1.4.1 國(guó)外研究概況13-14
- 1.4.2 國(guó)內(nèi)研究概況14-15
- 1.5 本文的主要工作15-16
- 第二章 GIS中快速暫態(tài)過(guò)程產(chǎn)生的機(jī)理及其影響16-34
- 2.1 GIS中快速暫態(tài)過(guò)渡過(guò)程16-19
- 2.1.1 VFTO現(xiàn)象及其產(chǎn)生機(jī)理16-17
- 2.1.2 VFTO的分類(lèi)17-19
- 2.2 GIS中基本電路計(jì)算模型的研究19-29
- 2.2.1 EMTP簡(jiǎn)介19-20
- 2.2.2 GIS元件的瞬態(tài)特性20-26
- 2.2.3 GIS主要元件的模型和參數(shù)26-29
- 2.3 GIS中的暫態(tài)殼體電壓升高問(wèn)題29-33
- 2.3.1 暫態(tài)殼體電位升高的產(chǎn)生機(jī)理29-30
- 2.3.2 TEV的特性及其危害30-31
- 2.3.3 TEV對(duì)二次電纜的傳導(dǎo)干擾31-33
- 2.4 本章小結(jié)33-34
- 第三章 GIS中暫態(tài)過(guò)電壓的計(jì)算及其影響因素分析34-51
- 3.1 VFTO的計(jì)算模型搭建34-38
- 3.2 VFTO影響因素的分析38-43
- 3.2.1 母線殘余電荷對(duì)VFTO的影響38-39
- 3.2.2 變壓器入口電容的影響39-41
- 3.2.3 隔離開(kāi)關(guān)中弧道電阻的影響41-42
- 3.2.4 氧化鋅避雷器的影響42
- 3.2.5 VFTO的抑制措施42-43
- 3.3 TEV的計(jì)算及其影響因素分析43-49
- 3.3.1 TEV的整體模型建立43-46
- 3.3.2 接地線對(duì)TEV的影響46-49
- 3.3.3 TEV的抑制及預(yù)防措施49
- 3.4 本章小結(jié)49-51
- 第四章 VFTO對(duì)二次側(cè)暫態(tài)傳導(dǎo)干擾的分析與計(jì)算51-65
- 4.1 傳導(dǎo)干擾的建模與計(jì)算51-54
- 4.2 傳導(dǎo)干擾的計(jì)算結(jié)果分析54-56
- 4.3 二次電纜干擾影響因素及防護(hù)措施分析56-64
- 4.3.1 屏蔽層兩端接地56
- 4.3.2 電纜長(zhǎng)度對(duì)二次設(shè)備干擾的影響56-58
- 4.3.3 多股導(dǎo)線接地?cái)?shù)對(duì)二次設(shè)備干擾的影響58-59
- 4.3.4 濾波電容對(duì)二次設(shè)備干擾的影響59-64
- 4.4 本章小結(jié)64-65
- 第五章 總結(jié)與展望65-67
- 參考文獻(xiàn)67-71
- 致謝71-72
- 攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文72
【參考文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):877282
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