本文關(guān)鍵詞：基于等離子體模型的氣隙局部放電分析及仿真研究

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【摘要】：氣隙缺陷是造成絕緣設(shè)備局部放電的主要原因。通常情況下,局部放電不會(huì)直接造成絕緣設(shè)備的損壞,但是經(jīng)過長期的作用,會(huì)導(dǎo)致電氣設(shè)備的絕緣強(qiáng)度下降,加速裝置的老化。因此,需要對氣隙的局部放電過程進(jìn)行研究,分析氣隙的放電機(jī)理,理解在不同條件下氣隙局部放電的形式以及氣隙放電的規(guī)律�；贛ATLAB/SIMULINK建立了氣隙局部放電的仿真模型,給出了氣隙瞬時(shí)放電的仿真方法,同時(shí)對放電電阻和外加電壓對放電次數(shù)和放電波形的影響進(jìn)行了仿真分析。通過對氣隙局部放電的模型進(jìn)行仿真研究,有利于對氣隙放電原理的理解。
【作者單位】： 江西應(yīng)用技術(shù)職業(yè)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 氣隙局部放電 等離子體 絕緣 仿真模型
【分類號(hào)】：TM855
【正文快照】： 0引言電力設(shè)備的絕緣性是保障電力系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵因素之一,但在工程制造過程中,總會(huì)在不同程度上留有一定的缺陷,這些缺陷會(huì)引起絕緣內(nèi)部局部電場發(fā)生畸變,發(fā)生局部放電,嚴(yán)重時(shí)會(huì)使電力設(shè)備的絕緣性能遭到破壞[1-3]。氣隙放電是絕緣設(shè)備中最常見的局部放電現(xiàn)象[4],因?yàn)闅庀?

【相似文獻(xiàn)】

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