本文關鍵詞：硅鍺等離子體起輝的瞬態(tài)不穩(wěn)定性研究

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【摘要】：利用光發(fā)射譜(OES)監(jiān)測技術對氫氣(H_2)、硅烷(SiH_4)、鍺烷(GeH_4)等離子體的起輝穩(wěn)定時間進行瞬態(tài)在線原位監(jiān)測,探索功率及壓強對等離子體起輝穩(wěn)定時間的影響規(guī)律。結果表明,功率對等離子體的起輝穩(wěn)定性影響較大,即相比于較小功率,在較大功率下起輝時,等離子體需要長很多的時間才能達到穩(wěn)定狀態(tài)。但隨著功率的增大,氣壓對起輝穩(wěn)定性的影響逐漸變得明顯。分析認為這種等離子體的起輝不穩(wěn)定性主要是由硅烷(SiH_4)、鍺烷(GeH_4)等氣體的反擴散所造成,并進一步發(fā)現通過增加氫氣流量,可有效降低SiH_4等氣體的反擴散程度,縮短硅鍺等離子體達穩(wěn)定狀態(tài)所需的時間。
【作者單位】： 中國科學院電工研究所中國科學院太陽能熱利用及光伏系統(tǒng)重點實驗室;
【關鍵詞】： 光發(fā)射譜 瞬態(tài)不穩(wěn)定性 反擴散 氫氣流量
【基金】：國家重點基礎研究發(fā)展(973)計劃(2011CBA00705)
【分類號】：TM914.4;TN304
【正文快照】： 0引言非晶硅鍺材料(a-Si Ge∶H)是一種用來制造光電器件,特別是高性能硅基薄膜疊層太陽電池的重要材料。具有較大的光學吸收系數及通過控制材料中的鍺含量可方便地將其帶隙寬度在1.1~1.8 e V的范圍內進行連續(xù)調節(jié)[1],這些特點使a-Si Ge∶H材料非常適合與非晶硅(a-Si∶H)材料在，

本文編號：847926