Fe-3%Si取向電工鋼初次再結晶織構的演化
本文關鍵詞:Fe-3%Si取向電工鋼初次再結晶織構的演化
【摘要】:分析了Fe-3%Si取向電工鋼經冷軋?zhí)幚砗蟮暮暧^織構和微觀取向。結果表明:再結晶早期形核位置主要為變形晶界、剪切帶。隨再結晶的進行,剪切帶形核發(fā)展為優(yōu)勢再結晶晶粒。根據(jù)取向差原理計算再結晶晶粒與周圍變形組織的取向差,取向差主要分布在25°~45°。γ纖維織構組分的變形組織儲存能高,導致優(yōu)先發(fā)生再結晶。再結晶初期形成了以{111}110、{111}112為主的擇優(yōu)取向,一直保持到再結晶結束。再結晶完成后,零星的高斯晶粒沒有成為優(yōu)勢取向,但是高斯晶粒與周圍組織取向差以大角度為主,取向差分布在25°~55°。
【作者單位】: 山東農業(yè)大學機械制造及其自動化系;麥克馬斯特大學材料科學與工程系;北京科技大學新金屬材料國家重點實驗室;
【關鍵詞】: 取向電工鋼 初次再結晶 α纖維 γ纖維
【基金】:國家自然科學基金資助項目(51301098)
【分類號】:TM275
【正文快照】: 取向電工鋼是一種應用廣泛的軟磁材料,其優(yōu)異的電磁性能與高斯取向{110}001晶粒的織構占有率有關[1]。取向電工鋼二次再結晶時,高斯取向晶粒會在以γ(//ND)纖維織構為主的初次再結晶晶粒中,通過異常長大形成鋒銳的高斯織構[2]。目前,關于高斯晶粒的異常長大機理主要有重合點
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 常宏偉;杜樹斌;李景文;R.Hutton;邱玉;楊浩志;;高剝離態(tài)Si能級實驗研究[J];中國原子能科學研究院年報;2005年00期
2 周斌,黃耀東,李忻,孫騏,車錄鋒,沈軍,吳廣明,唐偉星,熊斌,王躍林;自截止腐蝕制備Si平面薄膜中的B雜質分析[J];原子能科學技術;2002年Z1期
3 王昶清;秦臻;王春雷;賈瑜;;Si原子在Si(001)表面及其臺階附近擴散的分子動力學模擬[J];洛陽理工學院學報(自然科學版);2008年02期
4 呂鐵羽;陳捷;黃美純;;硅基超晶格Si_(1-x)Sn_x/Si的能帶結構[J];物理學報;2010年07期
5 李永平,田強,牛智川,楊錫震,吳正龍,王亞非;GaAs/Si/AlAs異質結不同生長溫度Si夾層分布的CV實驗研究[J];北京師范大學學報(自然科學版);2002年04期
6 康朝陽;趙朝陽;劉崢嶸;孫柏;唐軍;徐彭壽;謝家純;;SiC緩沖層對Si表面生長的ZnO薄膜結構和光電性能的改善[J];發(fā)光學報;2009年06期
7 宋建軍;張鶴鳴;宣榮喜;胡輝勇;戴顯英;;應變Si/(001)Si_(1-x)Ge_x空穴有效質量各向異性[J];物理學報;2009年07期
8 石玉龍,,彭紅瑞,李世直;等離子體增強化學氣相沉積Ti-Si-N膜[J];青島化工學院學報;1995年01期
9 韓文勝;郭士倫;;重離子~(28)Si在固體核徑跡探測器Tuffak中的射程-能量關系[J];中國原子能科學研究院年報;1992年00期
10 何雷;王文軍;周陽;鄧澤超;;激光能量對摻鉺納米Si晶薄膜形貌的影響[J];華北電力大學學報;2006年03期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前5條
1 石瑛;蔣昌忠;范湘軍;;Si_(1-x)Ge_x/Si表面合金結構的掠入射X射線衍射(GIXRD)研究[A];湖北省物理學會、武漢物理學會成立70周年慶典暨2002年學術年會論文集[C];2002年
2 陳克良;鄭平子;劉國興;鄭紀文;王素芳;白興平;于暹;張煥喬;許謹誠;劉祖華;阮明;呂俊;徐侃;;~(16)C+~(26)Si全熔合激發(fā)函數(shù)[A];第八屆全國核物理會議文摘集(下冊)[C];1991年
3 譚繼廉;盧子偉;張金霞;李存瑤;田大宇;寧寶俊;張錄;;一種厚耗盡層Si探測器的研制[A];第十四屆全國核電子學與核探測技術學術年會論文集(上冊)[C];2008年
4 楊宇;王茺;李亮;熊飛;BAOJiming;MICHELAziz;;Si離子自注入Si晶體中的光致發(fā)光研究[A];2008全國功能材料科技與產業(yè)高層論壇論文集[C];2008年
5 譚繼廉;盧子偉;張金霞;李存t
本文編號:768166
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianlidianqilunwen/768166.html