低頻響應(yīng)壓電—電磁復(fù)合式能量采集器設(shè)計制造研究
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【摘要】:無線傳感網(wǎng)絡(luò)、埋植監(jiān)測系統(tǒng)、便攜式電子設(shè)備及惡劣環(huán)境工作微器件的能量供給問題日益凸顯,傳統(tǒng)的供電電池存在體積大、壽命短、環(huán)境適應(yīng)性差、儲能有限、需要經(jīng)常更換、且更換過程復(fù)雜或者有線供電等缺點,已無法滿足該類系統(tǒng)的自供電需求。提出一種將振動機械能高效轉(zhuǎn)換為電能的壓電-電磁復(fù)合式振動能量采集器,對自供電技術(shù)的發(fā)展具有重要的科學(xué)意義。設(shè)計PZT基四螺旋梁、濺射Au線圈的質(zhì)量塊、Nd2Fe14B磁體為器件基礎(chǔ)結(jié)構(gòu),當(dāng)環(huán)境激勵器件振動時,質(zhì)量塊帶動四根螺旋狀懸臂梁運動,其上制備的PZT壓電薄膜層發(fā)生形變,壓電層上下表面產(chǎn)生電勢差,經(jīng)上下電極引出收集壓電電能;同時質(zhì)量塊帶動Au線圈運動,切割Nd2Fe14B磁體的磁感線,通過線圈的磁通量發(fā)生變化,產(chǎn)生感應(yīng)電動勢,經(jīng)線圈兩端電極引出收集電磁電能。壓電模塊結(jié)構(gòu)的設(shè)計可以有效降低器件諧振頻率,模態(tài)分析其固有頻率為163.6 Hz,適應(yīng)于低頻振動環(huán)境;加之磁感應(yīng)線圈及Nd2Fe14B磁體的集成設(shè)計,為實現(xiàn)低頻率響應(yīng)、高電能輸出復(fù)合式能量采集器件的研究提供了新思路。通過對壓電、電磁發(fā)電機理的理論分析研究,選取機電耦合系數(shù)高、壓電常數(shù)高、制造工藝成熟的PZT壓電薄膜作為壓電材料,剩磁高、矯頑力大、最大磁能積高的Nd2Fe14B作為永磁材料,電阻率較小、穩(wěn)定性良好的Au作為線圈材料。經(jīng)仿真分析及理論計算,優(yōu)化結(jié)構(gòu)尺寸,設(shè)計器件制造技術(shù)路線及相應(yīng)加工光刻版。研究不同批次制備的PZT膠體及退火后冷卻過程對基片薄膜的影響,采用sol-gel技術(shù)制得表面均勻致密、介電常數(shù)較高、厚度約為3μm的PZT壓電薄膜。采用一系列MEMS微加工工藝,如光刻、刻蝕、薄膜淀積、剝離等,以及實時金相顯微鏡觀察核驗、與Nd2Fe14B磁體的微組裝,實現(xiàn)了器件集成化制造,并搭建器件性能測試系統(tǒng)進(jìn)行了初步測試及分析。
【關(guān)鍵詞】:MEMS 壓電 電磁 PZT 微加工
【學(xué)位授予單位】:中北大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TM619
【目錄】:
- 摘要4-5
- Abstract5-9
- 1. 緒論9-19
- 1.1 研究背景及意義9-10
- 1.2 能量采集器研究概況10-17
- 1.3 論文研究內(nèi)容17-19
- 2. 壓電-電磁復(fù)合式能量采集器設(shè)計原理19-27
- 2.1 微型能量采集器壓電模塊工作原理19-23
- 2.1.1 壓電發(fā)電機理19
- 2.1.2 壓電材料選取19-22
- 2.1.3 動力學(xué)振動模型分析22-23
- 2.2 微型能量采集器電磁模塊工作原理23-26
- 2.2.1 電磁發(fā)電機理23-24
- 2.2.2 永磁材料選取24-25
- 2.2.3 線圈材料選取25-26
- 2.3 本章小結(jié)26-27
- 3. 壓電-電磁復(fù)合式能量采集器整體方案設(shè)計27-40
- 3.1 基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)設(shè)計27-32
- 3.1.1 四螺旋梁-單質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)設(shè)計28-30
- 3.1.2 磁感應(yīng)線圈設(shè)計30-32
- 3.2 微加工工藝設(shè)計32-39
- 3.2.1 制造工藝技術(shù)路線設(shè)計32-33
- 3.2.2 結(jié)構(gòu)掩膜版圖設(shè)計33-39
- 3.3 本章小結(jié)39-40
- 4. 四螺旋梁-單質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)微加工制造40-67
- 4.1 PZT壓電薄膜的制備40-46
- 4.1.1 PZT壓電薄膜制備方法研究40-41
- 4.1.2 溶膠-凝膠法制備PZT壓電薄膜41-44
- 4.1.3 PZT壓電薄膜性能測試分析44-46
- 4.2 四螺旋梁-單質(zhì)量塊結(jié)構(gòu)MEMS加工工藝研究46-66
- 4.2.1 PZT壓電薄膜圖形化48-53
- 4.2.2 下電極Pt/Ti層刻蝕53-55
- 4.2.3 上電極Au/Ti及磁感應(yīng)線圈Au/Ti生長55-56
- 4.2.4 絕緣層Si3N4沉積56-58
- 4.2.5 磁感應(yīng)線圈端電極引出層Au/Ti生長58-59
- 4.2.6 懸臂梁結(jié)構(gòu)正面刻蝕59-62
- 4.2.7 背面Si基底刻蝕62-64
- 4.2.8 劃片64-65
- 4.2.9 取片65-66
- 4.3 本章小結(jié)66-67
- 5. 器件的封裝及電學(xué)測試67-71
- 5.1 器件結(jié)構(gòu)封裝67-68
- 5.2 測試系統(tǒng)搭建及初步測試分析68-70
- 5.3 本章小結(jié)70-71
- 6. 總結(jié)與展望71-73
- 6.1 主要研究結(jié)論71-72
- 6.2 主要創(chuàng)新點72
- 6.3 未來工作展望72-73
- 參考文獻(xiàn)73-78
- 攻讀碩士學(xué)位期間所取得的研究成果78-79
- 致謝79-80
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