輻照條件下N型單晶硅電池與染料敏化電池的性能影響研究
本文關鍵詞:輻照條件下N型單晶硅電池與染料敏化電池的性能影響研究
更多相關文章: 單晶硅電池 染料敏化電池 γ輻照 電子輻照 輻照劑量 輻照損傷
【摘要】:單晶硅太陽能電池是空間環(huán)境中應用廣泛的太陽能電池,染料敏化太陽能電池是繼單晶硅電池之后的新一代太陽能電池,因其制備工藝相對簡單、理論轉換效率高等獨特優(yōu)勢有望成為空間應用中的新型電力來源。宇宙空間環(huán)境存在的強輻射場對太陽能電池會產(chǎn)生輻照損傷效應,導致電池電學輸出性能衰減。本文針對空間輻射環(huán)境,開展了單晶硅太陽能電池和染料敏化太陽能電池的服役行為研究,主要研究內容包括:1)利用電子加速器等效空間電子輻照環(huán)境,探討了不同劑量、不同劑量率下單晶硅太陽能電池的電子輻照損傷效應。采用蒙特卡羅程序MCNP模擬電子與單晶硅半導體材料的相互作用過程,確定了電子輻照實驗相關參數(shù)。實驗測試了高、低劑量率下電池的J-V曲線,計算得到電池少子壽命與串聯(lián)電阻。結果表明:隨著電子輻照劑量的增加,電池的短路電流密度和最大輸出功率等電學參數(shù)顯著降低;低劑量率下,當劑量達到200 kGy時,電池的最大功率下降了40%左右。且在累積劑量相同的情況下,低劑量率的電子輻照對電池產(chǎn)生的輻照損傷效果更明顯。2)利用60Co產(chǎn)生的γ射線,探討了不同γ輻照劑量下染料敏化太陽能電池的輻照損傷效應。實驗表明在輻照劑量低于20 kGy時,電池的短路電流密度與最大功率密度隨著輻照劑量增加顯著下降。紫外-可見光譜分析表明γ輻照會導致導電玻璃變色,使得玻璃的透射率下降。同時染料的吸收光譜發(fā)生了明顯藍移,且吸收峰峰值下降。XRD測試表明納米二氧化鈦光陽極在輻照作用下粒子晶粒度發(fā)生了變化,進而影響了電池的性能輸出。3)利用電子加速器產(chǎn)生的10 MeV電子,探討了不同電子輻照劑量對染料敏化太陽能電池的電子輻照損傷效應。電池J-V曲線測試表明,隨著電子輻照劑量的增加,電池的短路電流密度與最大功率密度顯著下降。當輻照劑量為10 kGy時,電池的最大功率下降至未輻照電池的50%。紫外-可見光譜分析表明電子輻照導致玻璃的透射率下降,同時染料的吸收光譜峰值也下降。XRD與SEM測試表明納米二氧化鈦光陽極在10 kGy輻照劑量下,粒子晶粒度發(fā)生了變化,且二氧化鈦表面發(fā)生了明顯的團聚,造成電池性能下降。本文針對N型單晶硅電池與染料敏化電池在輻照條件下的性能輸出進行了探討,并進一步闡述了輻照與電池的相互作用機理。為精確評估單晶硅電池在空間輻照環(huán)境下的表現(xiàn)提供技術支持,同時對染料敏化電池進行抗輻照設計以及應用于空間輻照環(huán)境提供了重要的依據(jù),也為鈣鈦礦電池、量子點電池等新型太陽能電池應用于輻照環(huán)境提供一定的參考。
【關鍵詞】:單晶硅電池 染料敏化電池 γ輻照 電子輻照 輻照劑量 輻照損傷
【學位授予單位】:南京航空航天大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TM914.4
【目錄】:
- 摘要4-5
- ABSTRACT5-11
- 注釋表11-12
- 縮略詞12-13
- 第一章 緒論13-20
- 1.1 研究背景及意義13-14
- 1.2 太陽能電池發(fā)展現(xiàn)狀與分析14-16
- 1.2.1 太陽能電池的分類14-15
- 1.2.2 單晶硅太陽能電池發(fā)展歷程15-16
- 1.2.3 染料敏化太陽能電池發(fā)展歷程16
- 1.3 太陽能電池輻照效應研究現(xiàn)狀16-18
- 1.3.1 單晶硅太陽能電池輻照效應研究現(xiàn)狀16-17
- 1.3.2 染料敏化太陽能電池輻照效應研究現(xiàn)狀17-18
- 1.4 本文研究內容18-20
- 第二章 單晶硅太陽能電池與染料敏化太陽能電池原理與制備20-39
- 2.1 單晶硅太陽能電池原理、制備以及性能參數(shù)20-23
- 2.1.1 單晶硅太陽能電池的工作原理20-21
- 2.1.2 單晶硅太陽能電池的制備21-22
- 2.1.3 單晶硅太陽能電池的性能參數(shù)22-23
- 2.2 染料敏化太陽能電池原理、制備以及相關測試23-38
- 2.2.1 染料敏化太陽能電池工作原理23-28
- 2.2.2 染料敏化太陽能電池制備28-33
- 2.2.3 染料敏化太陽能電池測試33-38
- 2.3 本章小結38-39
- 第三章N型單晶硅太陽能電池的電子輻照效應及性能研究39-49
- 3.1 實驗過程39-43
- 3.1.1 實驗樣品39-40
- 3.1.2 實驗條件40
- 3.1.3 實驗參數(shù)選定40-43
- 3.2 實驗結果43-46
- 3.2.1 單晶硅太陽能電池的J-V測試43-44
- 3.2.2 單晶硅太陽能電池微觀性能參量44-46
- 3.3 分析與討論46-47
- 3.4 本章小結47-49
- 第四章 染料敏化太陽能電池 γ 輻照效應研究49-58
- 4.1 實驗條件49
- 4.2 實驗結果49-51
- 4.2.1 不同 γ 輻照劑量對電池的J-V測試輸出49-51
- 4.3 分析與討論51-57
- 4.3.1 γ 輻照對于導電玻璃的影響51-53
- 4.3.2 γ 輻照對于染料(N719)的影響53-56
- 4.3.3 γ 輻照對于二氧化鈦光陽極的影響56-57
- 4.4 本章小結57-58
- 第五章 染料敏化太陽能電池電子輻照效應研究58-67
- 5.1 實驗條件58
- 5.2 實驗結果58-59
- 5.2.1 不同輻照劑量對電池的J-V測試輸出58-59
- 5.3 分析與討論59-66
- 5.3.1 電子射程計算59-60
- 5.3.2 電子輻照對于導電玻璃的影響60-62
- 5.3.3 電子輻照對于染料(N719)的影響62-64
- 5.3.4 電子輻照對于二氧化鈦光陽極的影響64-66
- 5.4 本章小結66-67
- 第六章 總結與展望67-70
- 6.1 研究工作總結67-68
- 6.2 研究工作創(chuàng)新點68
- 6.3 研究工作展望68-70
- 參考文獻70-76
- 致謝76-77
- 在學期間的研究成果及發(fā)表的學術論文77
【參考文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 高博;余學峰;任迪遠;崔江維;蘭博;李明;王義元;;p型金屬氧化物半導體場效應晶體管低劑量率輻射損傷增強效應模型研究[J];物理學報;2011年06期
2 高暉;王和義;張華明;黃利斌;何小波;周銀行;;單晶硅低能電子束輻照效應[J];材料科學與工程學報;2011年02期
3 黃禮華;魏明燈;;未來型太陽能電池——染料敏化太陽能電池研究進展[J];新材料產(chǎn)業(yè);2010年04期
4 高欣;楊生勝;薛玉雄;李凱;李丹明;王瀊;王云飛;馮展祖;;Effects of electron radiation on shielded space triple-junction GaAs solar cells[J];Chinese Physics B;2009年11期
5 馬遜;劉祖明;陳庭金;廖華;屈盛;;利用太陽電池I-V特性測量其基區(qū)少數(shù)載流子壽命[J];太陽能學報;2006年09期
6 郭志球;沈輝;劉正義;聞立時;;太陽電池研究進展[J];材料導報;2006年03期
7 史成武,戴松元,王孔嘉,隋毅峰,方霞琴;電子束輻照對氟摻雜二氧化錫導電玻璃的影響[J];合肥工業(yè)大學學報(自然科學版);2005年03期
8 史成武,戴松元,王孔嘉,隋毅峰,方霞琴;電子束輻照納米TiO_2多孔薄膜及在太陽電池中的應用[J];合肥工業(yè)大學學報(自然科學版);2004年10期
9 倪萌,M K Leung,K Sumathy;太陽能電池研究的新進展[J];可再生能源;2004年02期
10 王永東,崔容強,徐秀琴;空間太陽電池發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J];電源技術;2001年S1期
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條
1 全榮輝;航天器介質深層充放電特征及其影響[D];中國科學院研究生院(空間科學與應用研究中心);2009年
2 趙慧杰;低能質子和電子輻照GaAs/Ge太陽電池性能演化及損傷機理[D];哈爾濱工業(yè)大學;2008年
3 劉祖明;晶體硅太陽電池及其電子輻照研究[D];四川大學;2002年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條
1 龔浩;染料敏化太陽能電池的制備與測試研究[D];湖南大學;2014年
,本文編號:688910
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