發(fā)布時(shí)間：2025-02-08 19:50

　　Au80-Sn20(wt.%)共晶合金具有高強(qiáng)度、高導(dǎo)熱性、高蠕變與疲勞抗力以及免助焊劑焊釬等性能,被認(rèn)為是光電子封裝技術(shù)領(lǐng)域中最具應(yīng)用前景的無鉛釬料之一。目前,倒裝結(jié)構(gòu)已成為大功率發(fā)光二極管(LED)芯片封裝技術(shù)發(fā)展的主流,其中Au-Sn共晶凸點(diǎn)起到導(dǎo)熱、導(dǎo)電、機(jī)械支撐的關(guān)鍵作用。與蒸發(fā)、濺射沉積等物理制備方法相比,電鍍法制備Au-Sn合金凸點(diǎn)具有工藝簡(jiǎn)單、低成本、鍍速快、鍍層厚度及圖形可控等優(yōu)點(diǎn)。然而,傳統(tǒng)Au-Sn鍍液中CN-的高毒性以及對(duì)光刻膠的腐蝕作用限制了其在光電技術(shù)中的廣泛應(yīng)用;同時(shí),環(huán)保、健康與安全生產(chǎn)的法規(guī)也嚴(yán)格限制有毒、有害類物質(zhì)的使用。因此,研發(fā)一種綠色環(huán)保、無氰、高穩(wěn)定性的Au-Sn電鍍液來實(shí)現(xiàn)Au80-Sn20共晶凸點(diǎn)制備具有重要的理論意義與工程應(yīng)用價(jià)值。本論文研發(fā)了一種綠色、無氰、高穩(wěn)定性的Au-Sn電鍍液,系統(tǒng)研究了鍍液組成與工藝參數(shù)對(duì)鍍層成分與形貌的影響規(guī)律,通過穩(wěn)健實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)優(yōu)化了制備鏡面光亮Au-Sn共晶合金的工藝參數(shù);結(jié)合密度泛函理論模擬以及電化學(xué)測(cè)試表征了無氰Au-Sn鍍液中Au、Sn離子的絡(luò)合行為與存在形式;闡明了鍍液穩(wěn)定性與Au-Sn合金共沉積的...

【文章頁數(shù)】：153 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．１三種ＬＥＤ芯片結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉ．．ｃｅｍａｔｉｃ?ｏｆ?ｔｈｒｅｅ?ｔｅｓ?ｏｃｈｉａｒｃｔｅｃｔｕｒｅｓ１１１??

．．大功率發(fā)光二極管（Ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ?Ｄｉｏｄｅ，?ＬＥＤ）照明技術(shù)已成為２１世紀(jì)最具發(fā)前景的第四代新型照明技術(shù)。相比于傳統(tǒng)光源，大功率ＬＥＤ具有大功率、長壽命、高率和點(diǎn)亮速度快等諸多優(yōu)點(diǎn)，己在道路照明、汽車照明、ＬＣＤ背光照明、景觀照明以舞臺(tái)燈光照明中得以廣泛應(yīng)用....

圖１．２引腳式封裝結(jié)構(gòu)圖??Ｆｉｇ．?１．２?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｌａｍｐ?ｐａｃｋａｇｉｎｇ??

?垂直芯片?倒裝芯片??圖１．１三種ＬＥＤ芯片結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇ．?１．１?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｏｆ?ｔｈｒｅｅ?ｔｙｐｅｓ?ｏｆ?ＬＥＤ?ｃｈｉｐ?ａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅｓ１１１??導(dǎo)熱主要由藍(lán)寶石襯底完成，但是由于藍(lán)寶石的導(dǎo)電性能較差（２０？４０ｗ／ｎｒＫ），因??－１?....

圖１．３大功率ＬＥＤ封裝剖面圖ｉ６１??－＾１??

必須解決的關(guān)鍵問題。由于ＬＥＤ封裝材料和封裝結(jié)構(gòu)的影響，芯片側(cè)表面和上表面的??散熱能力極差，ＬＥＤ產(chǎn)生的熱量大部分是通過熱傳導(dǎo)的方式傳導(dǎo)到熱沉，再以熱對(duì)流的??方式消耗掉。圖１．３所示為大功率ＬＥＤ封裝結(jié)構(gòu)剖面圖Ｗ。ＬＥＤ的封裝熱阻主要包括材??料（散熱基板和熱沉結(jié)構(gòu)）內(nèi)部熱阻....

圖１．４?Ｖ型芯片大功率ＬＥＤ封裝結(jié)構(gòu)圖??Ｆｉｇ．?１．４?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｏｆ?ｈｉｇｈ－ｏｗｅｒ?ＬＥＤ?ｐａｃｋａｇｉｎｇ?ｗｉｔｈ?ｖｅｒｔｉｃａｌ?ｃｈｉｐ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ??

極分別在ＧａＮ基ＬＥＤ的兩側(cè)，所有電流幾乎全部垂直流過ＧａＮ基外延層，沒有橫向流??動(dòng)的電流。因此，這種方法制備的ＬＥＤ熱阻較小、電流分布均勻，散熱與出光都較好??（如圖１．４所示）。在Ｌ?（橫向）型電極的大功率ＬＥＤ芯片中的襯底材料通常是絕緣體??（如藍(lán)寶石）。對(duì)于Ｌ型電極的Ｌ....

本文編號(hào)：4031895