高儲(chǔ)能密度薄膜電容器中鈦酸鍶鋇和鈮酸鋅鉍的制備及其特性研究
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【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1(a)復(fù)合顆粒的制備流程示意圖(b)BT@BN復(fù)合顆粒TEM照片
中北大學(xué)學(xué)位論文6此開(kāi)發(fā)環(huán)保材料作為鉛基弛豫鐵電材料的替代品成為主流研究趨勢(shì)。目前很多科研人員都在做關(guān)于無(wú)鉛電介質(zhì)儲(chǔ)能材料的研究,并且在這方面已取得了很大的進(jìn)展[16,18,26]。中國(guó)科學(xué)院的羅遂斌等人將BNNS(氮化硼納米片)與BT(鈦酸鋇)納米顆粒的分散液進(jìn)行混合和抽濾后,....
圖1-3不同摻雜比例復(fù)合材料的儲(chǔ)能密度Fig.1-3Energystoragedensityofcompositeswithdifferentdopingratios
中北大學(xué)學(xué)位論文9了室溫?fù)舸﹫?chǎng)強(qiáng)和能量密度?苫謴(fù)能量密度為0.17J/cm3,介質(zhì)擊穿強(qiáng)度高達(dá)150KV/cm。研究證明BST陶瓷有一定的能量密度,這些可能是未來(lái)電容器應(yīng)用的強(qiáng)有力的候選材料[1]。1.3.2BZN材料儲(chǔ)能的研究現(xiàn)狀西安科技大學(xué)的LiHe等人通過(guò)摻雜Bi1.5Z....
圖2-5XRD立式測(cè)角儀Fig.2-5XRDverticalgoniometer
中北大學(xué)學(xué)位論文262.4薄膜性能測(cè)試2.4.1XRDXRD(diffractionofx-rays)即X射線衍射,最早是由19世紀(jì)德國(guó)物理學(xué)家勞厄(M.vonLaue)設(shè)想出來(lái)的,隨后經(jīng)過(guò)英國(guó)物理學(xué)家布拉格父子大量實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,才廣泛用于檢測(cè)晶體結(jié)構(gòu)。晶體是由不同原子組成的晶胞結(jié)合....
圖2-7介電性能測(cè)試原理(a)真空介電性能測(cè)試(b)電介質(zhì)介電性能測(cè)試Fig.2-7Dielectricpropertytestprinciple(a)Vacuumdielectricpropertytest
中北大學(xué)學(xué)位論文28切損耗可以表征電介質(zhì)樣品在極化和電導(dǎo)過(guò)程中儲(chǔ)存電荷的能力。介電常數(shù)還可以體現(xiàn)電介質(zhì)在電場(chǎng)下的極化參數(shù),所以對(duì)電介質(zhì)樣品進(jìn)行介電性能的測(cè)試,分析樣品產(chǎn)生正切損耗對(duì)表征樣品的質(zhì)量非常重要。正切損耗可以反映出電介質(zhì)的正切損耗,是電介質(zhì)在單位時(shí)間內(nèi)每單位體積中將電能轉(zhuǎn)....
本文編號(hào):4030521
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