磁共振主動式射頻開關(guān)設(shè)計方法研究
發(fā)布時間:2020-12-20 01:12
目的:為避免磁共振成像(MRI)系統(tǒng)射頻線圈的發(fā)射和接收兩種工作模式發(fā)生耦合,對于短弛豫時間信號的采集,要求射頻開關(guān)的切換時間應(yīng)盡可能短。方法:在分析被動式MRI射頻開關(guān)電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,采用PIN二極管設(shè)計了主動式MRI射頻開關(guān)電路,由直流驅(qū)動電路控制PIN二極管的導(dǎo)通和截止實現(xiàn)射頻開關(guān)的切換,從而達(dá)到對射頻開關(guān)及其狀態(tài)的主動控制,以縮短射頻開關(guān)的切換時間。結(jié)果:采用電子設(shè)計自動化軟件對射頻開關(guān)電路的隔離度、插入損耗、電壓駐波比等性能指標(biāo)進(jìn)行仿真分析,符合設(shè)計要求;通過示波器對由直流驅(qū)動電路和射頻開關(guān)電路外接負(fù)載的端口波形進(jìn)行分析,射頻開關(guān)的切換速度達(dá)到預(yù)期目標(biāo)。結(jié)論:基于PIN二極管的射頻開關(guān)能夠有效地縮短射頻開關(guān)時間,具有良好的隔離度、插入損耗和噪聲系數(shù)等性能。
【文章來源】:中國醫(yī)學(xué)物理學(xué)雜志. 2020年11期
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
MRI射頻開關(guān)工作原理
圖2為被動式MRI射頻開關(guān)電路結(jié)構(gòu)。射頻開關(guān)的斷開和閉合是通過λ4傳輸線和二極管對D2共同作用間接實現(xiàn)的。射頻開關(guān)通常位于LNA前端,在射頻發(fā)射階段,為防止射頻脈沖的耦合,采用電長度λ4傳輸線和限幅二極管D2實現(xiàn)對LNA的保護(hù)以及射頻線圈與LNA的阻抗匹配。射頻脈沖到達(dá)射頻線圈的輸入端同時,通過λ4傳輸線到達(dá)LNA輸入端,此時D2導(dǎo)通,導(dǎo)通電阻很小,因此,傳輸線在射頻線圈的輸入阻抗較高,LNA的電壓為射頻脈沖在D2導(dǎo)通電阻和LNA阻抗的分壓值,D2起到限制LNA輸入端電壓的作用,故稱為限幅二極管。因MRI信號微弱無法導(dǎo)通D2,故D2和λ4傳輸線的存在不影響MRI信號的接收。通過調(diào)整由λ4傳輸線制作的阻抗變換器實現(xiàn)輸入阻抗與負(fù)載(LNA)阻抗匹配,實現(xiàn)噪聲最佳匹配,使射頻開關(guān)電路的噪聲系數(shù)最低。同時λ4網(wǎng)絡(luò)是窄頻帶電路,一定范圍內(nèi)的頻率呈現(xiàn)通路,頻率范圍以外信號將被衰減,對MRI信號采集過程的噪聲信號起到抑制作用[11-13]。1.2 MRI射頻開關(guān)的性能參數(shù)
對于發(fā)射通道開關(guān)ST,電路核心元器件PIN二極管D1相當(dāng)于直流控制開關(guān),當(dāng)直流驅(qū)動電路輸出正向恒流時,PIN二極管D1導(dǎo)通,發(fā)射通道開關(guān)ST開關(guān)閉合;當(dāng)直流驅(qū)動電路輸出負(fù)向恒壓時,PIN二極管D1截止,發(fā)射通道開關(guān)ST斷開。對于接收通道開關(guān)SR,由二極管D2控制LNA的供電電源,當(dāng)直流驅(qū)動電路輸出正向恒壓時,二極管D2導(dǎo)通,接收通道開關(guān)SR閉合,對LNA進(jìn)行供電,進(jìn)入工作狀態(tài);反之,二極管D2截止,接收通道開關(guān)SR斷開,LNA失電進(jìn)入非工作狀態(tài)。LC并聯(lián)電路偏置網(wǎng)絡(luò)起到隔離射頻電路和直流驅(qū)動電路的作用,電容C1使直流驅(qū)動電路信號朝射頻線圈方向流動,同時根據(jù)噪聲匹配原則,C1電容值的選擇應(yīng)保證輸入阻抗Zin等于特性阻抗Z0=50Ω,使發(fā)射通道端口的正向傳輸系數(shù)S21,即插入損耗最小。MRI射頻開關(guān)電路中D3由反向并聯(lián)的二極管對組成,和λ4傳輸線電路共同作用起到限制LNA輸入端電壓的作用。根據(jù)λ4傳輸線阻抗變換原理,當(dāng)大功率噪聲信號由接收線圈進(jìn)入接收通道開關(guān)SR時,D3導(dǎo)通出現(xiàn)短路,但是λ4傳輸線電路在輸入端的阻抗很高,大功率噪聲信號在λ4傳輸線電路處被阻隔而不能進(jìn)入LNA,保護(hù)LNA不受大功率噪聲信號沖擊而損壞;當(dāng)MRI信號采集時,因其信號微弱無法導(dǎo)通D3,故λ4傳輸線電路和D3的存在不影響MRI信號的采集[20-23]。MRI可控射頻開關(guān)電路端口接線與功能見表2。2.2 基于場效應(yīng)管的直流驅(qū)動電路設(shè)計
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于PIN管的寬帶高隔離度開關(guān)的設(shè)計與仿真[J]. 唐正,呂曉蕊. 艦船電子工程. 2017(01)
[2]一種具有低插入損耗耗PIN SPDT開關(guān)設(shè)計[J]. 吳云飛,董艷紅,侯憲春,張漫,何生暉. 佳木斯大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2016(06)
[3]PIN二極管在射頻開關(guān)電路中的工作原理及應(yīng)用[J]. 吳安,楊洋. 科技風(fēng). 2016(10)
[4]磁共振快速T/R開關(guān)驅(qū)動器研制[J]. 刁玉劍,謝君堯,徐俊成,蔣瑜. 波譜學(xué)雜志. 2016(01)
[5]適于共用孔徑的可重構(gòu)天線技術(shù)[J]. 王偉光. 微波學(xué)報. 2015(05)
[6]8kW高功率單刀四擲射頻開關(guān)[J]. 吳家鋒,吳程,趙夕彬. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(07)
[7]PIN二極管在射頻電路中的應(yīng)用[J]. 趙朋斌,蒲文飛,陸磊. 信息系統(tǒng)工程. 2014(09)
[8]一種新穎的實現(xiàn)大小功率切換的技術(shù)[J]. 盧小娜,李嘉穎,陳志宏. 電子科技. 2014(04)
[9]低場磁共振的信號源和功放前級[J]. 傅元,初振東. 儀表技術(shù)與傳感器. 2014(02)
[10]基于PIN管的多路大功率寬帶高線性射頻開關(guān)的研制[J]. 張光輝,石玉,何澤濤. 電子元件與材料. 2012(11)
碩士論文
[1]核磁共振射頻開關(guān)及驅(qū)動電路設(shè)計[D]. 刁玉劍.華東師范大學(xué) 2014
[2]偽隨機(jī)跳頻射頻電路設(shè)計[D]. 吳爽.南京理工大學(xué) 2014
[3]磁共振射頻電路設(shè)計[D]. 徐俊成.華東師范大學(xué) 2012
[4]方向圖可重構(gòu)天線系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)[D]. 杜海霞.蘇州大學(xué) 2011
[5]低場磁共振FID信號放大電路的分析與研究[D]. 薛梓瑗.中國科學(xué)院研究生院(電工研究所) 2002
本文編號:2926916
【文章來源】:中國醫(yī)學(xué)物理學(xué)雜志. 2020年11期
【文章頁數(shù)】:8 頁
【部分圖文】:
MRI射頻開關(guān)工作原理
圖2為被動式MRI射頻開關(guān)電路結(jié)構(gòu)。射頻開關(guān)的斷開和閉合是通過λ4傳輸線和二極管對D2共同作用間接實現(xiàn)的。射頻開關(guān)通常位于LNA前端,在射頻發(fā)射階段,為防止射頻脈沖的耦合,采用電長度λ4傳輸線和限幅二極管D2實現(xiàn)對LNA的保護(hù)以及射頻線圈與LNA的阻抗匹配。射頻脈沖到達(dá)射頻線圈的輸入端同時,通過λ4傳輸線到達(dá)LNA輸入端,此時D2導(dǎo)通,導(dǎo)通電阻很小,因此,傳輸線在射頻線圈的輸入阻抗較高,LNA的電壓為射頻脈沖在D2導(dǎo)通電阻和LNA阻抗的分壓值,D2起到限制LNA輸入端電壓的作用,故稱為限幅二極管。因MRI信號微弱無法導(dǎo)通D2,故D2和λ4傳輸線的存在不影響MRI信號的接收。通過調(diào)整由λ4傳輸線制作的阻抗變換器實現(xiàn)輸入阻抗與負(fù)載(LNA)阻抗匹配,實現(xiàn)噪聲最佳匹配,使射頻開關(guān)電路的噪聲系數(shù)最低。同時λ4網(wǎng)絡(luò)是窄頻帶電路,一定范圍內(nèi)的頻率呈現(xiàn)通路,頻率范圍以外信號將被衰減,對MRI信號采集過程的噪聲信號起到抑制作用[11-13]。1.2 MRI射頻開關(guān)的性能參數(shù)
對于發(fā)射通道開關(guān)ST,電路核心元器件PIN二極管D1相當(dāng)于直流控制開關(guān),當(dāng)直流驅(qū)動電路輸出正向恒流時,PIN二極管D1導(dǎo)通,發(fā)射通道開關(guān)ST開關(guān)閉合;當(dāng)直流驅(qū)動電路輸出負(fù)向恒壓時,PIN二極管D1截止,發(fā)射通道開關(guān)ST斷開。對于接收通道開關(guān)SR,由二極管D2控制LNA的供電電源,當(dāng)直流驅(qū)動電路輸出正向恒壓時,二極管D2導(dǎo)通,接收通道開關(guān)SR閉合,對LNA進(jìn)行供電,進(jìn)入工作狀態(tài);反之,二極管D2截止,接收通道開關(guān)SR斷開,LNA失電進(jìn)入非工作狀態(tài)。LC并聯(lián)電路偏置網(wǎng)絡(luò)起到隔離射頻電路和直流驅(qū)動電路的作用,電容C1使直流驅(qū)動電路信號朝射頻線圈方向流動,同時根據(jù)噪聲匹配原則,C1電容值的選擇應(yīng)保證輸入阻抗Zin等于特性阻抗Z0=50Ω,使發(fā)射通道端口的正向傳輸系數(shù)S21,即插入損耗最小。MRI射頻開關(guān)電路中D3由反向并聯(lián)的二極管對組成,和λ4傳輸線電路共同作用起到限制LNA輸入端電壓的作用。根據(jù)λ4傳輸線阻抗變換原理,當(dāng)大功率噪聲信號由接收線圈進(jìn)入接收通道開關(guān)SR時,D3導(dǎo)通出現(xiàn)短路,但是λ4傳輸線電路在輸入端的阻抗很高,大功率噪聲信號在λ4傳輸線電路處被阻隔而不能進(jìn)入LNA,保護(hù)LNA不受大功率噪聲信號沖擊而損壞;當(dāng)MRI信號采集時,因其信號微弱無法導(dǎo)通D3,故λ4傳輸線電路和D3的存在不影響MRI信號的采集[20-23]。MRI可控射頻開關(guān)電路端口接線與功能見表2。2.2 基于場效應(yīng)管的直流驅(qū)動電路設(shè)計
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于PIN管的寬帶高隔離度開關(guān)的設(shè)計與仿真[J]. 唐正,呂曉蕊. 艦船電子工程. 2017(01)
[2]一種具有低插入損耗耗PIN SPDT開關(guān)設(shè)計[J]. 吳云飛,董艷紅,侯憲春,張漫,何生暉. 佳木斯大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2016(06)
[3]PIN二極管在射頻開關(guān)電路中的工作原理及應(yīng)用[J]. 吳安,楊洋. 科技風(fēng). 2016(10)
[4]磁共振快速T/R開關(guān)驅(qū)動器研制[J]. 刁玉劍,謝君堯,徐俊成,蔣瑜. 波譜學(xué)雜志. 2016(01)
[5]適于共用孔徑的可重構(gòu)天線技術(shù)[J]. 王偉光. 微波學(xué)報. 2015(05)
[6]8kW高功率單刀四擲射頻開關(guān)[J]. 吳家鋒,吳程,趙夕彬. 半導(dǎo)體技術(shù). 2015(07)
[7]PIN二極管在射頻電路中的應(yīng)用[J]. 趙朋斌,蒲文飛,陸磊. 信息系統(tǒng)工程. 2014(09)
[8]一種新穎的實現(xiàn)大小功率切換的技術(shù)[J]. 盧小娜,李嘉穎,陳志宏. 電子科技. 2014(04)
[9]低場磁共振的信號源和功放前級[J]. 傅元,初振東. 儀表技術(shù)與傳感器. 2014(02)
[10]基于PIN管的多路大功率寬帶高線性射頻開關(guān)的研制[J]. 張光輝,石玉,何澤濤. 電子元件與材料. 2012(11)
碩士論文
[1]核磁共振射頻開關(guān)及驅(qū)動電路設(shè)計[D]. 刁玉劍.華東師范大學(xué) 2014
[2]偽隨機(jī)跳頻射頻電路設(shè)計[D]. 吳爽.南京理工大學(xué) 2014
[3]磁共振射頻電路設(shè)計[D]. 徐俊成.華東師范大學(xué) 2012
[4]方向圖可重構(gòu)天線系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)[D]. 杜海霞.蘇州大學(xué) 2011
[5]低場磁共振FID信號放大電路的分析與研究[D]. 薛梓瑗.中國科學(xué)院研究生院(電工研究所) 2002
本文編號:2926916
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