基于人工過(guò)零開(kāi)斷的杯狀縱磁真空滅弧室觸頭結(jié)構(gòu)優(yōu)化
【學(xué)位單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TM561.5
【部分圖文】:
4圖 1-1 真空滅弧室的主要結(jié)構(gòu)于真空滅弧室,電弧的產(chǎn)生和熄滅都在觸頭之斑點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)、分布均與觸頭結(jié)構(gòu)有關(guān)[11]。真空電能力,而滅弧室觸頭作為電弧形態(tài)變化的重要影斷路器設(shè)計(jì)的核心部分。向磁場(chǎng)控制技術(shù)是目前應(yīng)用最為廣泛的電弧控制結(jié)構(gòu)產(chǎn)生縱向磁場(chǎng)來(lái)控制電弧。研究者針對(duì)縱向以改善觸頭間隙的縱磁強(qiáng)度和分布,提高了電弧空電弧的作用機(jī)理主要體現(xiàn)在電弧弧柱和陰極向磁場(chǎng)是通過(guò)洛倫茲力使電子圍繞縱磁力線方向
華 中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文中電流密度分布在內(nèi)的磁場(chǎng)特性的影響,得到了縱向磁場(chǎng)幅值、分布、滯后果[24-27]。除杯狀縱磁觸頭外,研究者還對(duì)不同匝數(shù)的線圈型縱磁觸頭進(jìn)行了磁場(chǎng)特性析[28-38]。與杯狀縱磁觸頭結(jié)構(gòu)相比,線圈型觸頭產(chǎn)生的縱向磁場(chǎng)具有更強(qiáng)的度,對(duì)真空電弧具有更強(qiáng)的控制作用,但弧后階段的剩余縱向磁場(chǎng)同樣較大弧后介質(zhì)的恢復(fù)。線圈型縱向磁場(chǎng)觸頭加工成本相比杯狀結(jié)構(gòu)更高,回路電杯狀觸頭在滅弧室對(duì)電弧的開(kāi)斷過(guò)程中所產(chǎn)生的縱向磁場(chǎng)強(qiáng)度適中且分布更同時(shí)更易于加工、適合批量生產(chǎn)。
華 中 科 技 大 學(xué) 碩 士 學(xué) 位 論 文中電流密度分布在內(nèi)的磁場(chǎng)特性的影響,得到了縱向磁場(chǎng)幅值、分布、滯后果[24-27]。除杯狀縱磁觸頭外,研究者還對(duì)不同匝數(shù)的線圈型縱磁觸頭進(jìn)行了磁場(chǎng)特性析[28-38]。與杯狀縱磁觸頭結(jié)構(gòu)相比,線圈型觸頭產(chǎn)生的縱向磁場(chǎng)具有更強(qiáng)的度,對(duì)真空電弧具有更強(qiáng)的控制作用,但弧后階段的剩余縱向磁場(chǎng)同樣較大弧后介質(zhì)的恢復(fù)。線圈型縱向磁場(chǎng)觸頭加工成本相比杯狀結(jié)構(gòu)更高,回路電杯狀觸頭在滅弧室對(duì)電弧的開(kāi)斷過(guò)程中所產(chǎn)生的縱向磁場(chǎng)強(qiáng)度適中且分布更同時(shí)更易于加工、適合批量生產(chǎn)。
【參考文獻(xiàn)】
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1 張帆行;;真空滅弧室磁場(chǎng)觸頭專利技術(shù)綜述[J];黑龍江科技信息;2015年12期
2 蔣原;武建文;;縱向磁場(chǎng)中觸頭材料和直徑對(duì)中頻真空電弧特性的影響[J];中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào);2015年20期
3 董華軍;楊海軍;郭英杰;向川;康凱;郭方準(zhǔn);;一種具有橫縱磁場(chǎng)的新型真空滅弧室觸頭三維磁場(chǎng)仿真[J];電工技術(shù)學(xué)報(bào);2015年05期
4 何俊佳;袁召;趙文婷;方帥;喻新林;潘垣;;直流斷路器技術(shù)發(fā)展綜述[J];南方電網(wǎng)技術(shù);2015年02期
5 劉路輝;莊勁武;江壯賢;徐國(guó)順;;混合型直流真空斷路器小間隙下的分?jǐn)嗵匦訹J];中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào);2014年33期
6 孫巍;劉洋;張洪達(dá);孫晨;史宗謙;;基于ANSYS的中壓真空滅弧室內(nèi)部磁場(chǎng)的仿真分析[J];黑龍江電力;2014年04期
7 劉路輝;莊勁武;江壯賢;徐國(guó)順;武瑾;;混合型直流真空斷路器觸頭技術(shù)——現(xiàn)狀與發(fā)展[J];中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào);2014年21期
8 榮命哲;楊飛;吳翊;孫昊;李陽(yáng);紐春萍;;直流斷路器電弧研究的新進(jìn)展[J];電工技術(shù)學(xué)報(bào);2014年01期
9 王流火;王立軍;楊鼎革;賈申利;史宗謙;;電極材料和直徑對(duì)真空電弧電壓和陽(yáng)極活動(dòng)影響的實(shí)驗(yàn)研究[J];中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào);2012年34期
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3 薛從軍;具有凹狀縱向磁場(chǎng)分布的真空滅弧室觸頭設(shè)計(jì)研究[D];沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué);2013年
4 金燁;新型真空斷路器縱向磁場(chǎng)觸頭結(jié)構(gòu)的研究[D];沈陽(yáng)工業(yè)大學(xué);2009年
5 吳志強(qiáng);一種具有1/2匝線圈縱向磁場(chǎng)觸頭結(jié)構(gòu)的真空滅弧室[D];電子科技大學(xué);2006年
本文編號(hào):2880759
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