位置選擇摻雜鈦錫酸鋇陶瓷的結(jié)構(gòu)及性能的研究
【學(xué)位授予單位】:桂林電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TM282
【圖文】:
§1.3 鈣鈦礦壓電陶瓷材料的特點(diǎn)和分類眾所周知,壓電陶瓷材料的結(jié)構(gòu)多種多樣,其中以鈣鈦礦結(jié)構(gòu)壓電陶瓷最為常見[15,16]。由于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)壓電陶瓷材料廣泛應(yīng)用于各行各業(yè),因此本文對(duì)鈣鈦礦體系結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、種類作簡(jiǎn)單的梳理。目前研究最熱的壓電材料當(dāng)屬具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)(perovskite structure)的壓電陶瓷材料,通常表示為 ABO3。該體系結(jié)構(gòu)最吸引人的地方就是在 A/B 位可以使周期表上的多數(shù)元素組合形成具有不同特性的鈣鈦礦化合物[17]。理想型立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)示意圖如圖 1-1 所示,A 位陽(yáng)離子占據(jù)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的頂角位置、B 位相對(duì)較小陽(yáng)離子占據(jù)體心位置、負(fù)二價(jià)氧離子占據(jù)面心位置。我們所說(shuō)的氧八面體是由 B 位陽(yáng)離子與相鄰周圍的氧離子構(gòu)成的,并且 A 位陽(yáng)離子則占據(jù)在氧八面體空隙位置[18]。眾所周知,立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)容易發(fā)生晶格畸變是由于內(nèi)部不穩(wěn)定造成的,通常發(fā)生晶格畸變的是B 位陽(yáng)離子偏離立方體心和氧八面體旋轉(zhuǎn)從而導(dǎo)致該結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能發(fā)生改變。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)晶格畸變?nèi)?1-2 示意圖所示,A/B 位離子由起始位置偏離從而導(dǎo)致氧八面體旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生形式各異的空間群結(jié)構(gòu) (a-a-a-、a0a0a0和 a-a-c+[19])。
§1.3 鈣鈦礦壓電陶瓷材料的特點(diǎn)和分類眾所周知,壓電陶瓷材料的結(jié)構(gòu)多種多樣,其中以鈣鈦礦結(jié)構(gòu)壓電陶瓷最為常見[15,16]。由于鈣鈦礦結(jié)構(gòu)壓電陶瓷材料廣泛應(yīng)用于各行各業(yè),因此本文對(duì)鈣鈦礦體系結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、種類作簡(jiǎn)單的梳理。目前研究最熱的壓電材料當(dāng)屬具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)(perovskite structure)的壓電陶瓷材料,通常表示為 ABO3。該體系結(jié)構(gòu)最吸引人的地方就是在 A/B 位可以使周期表上的多數(shù)元素組合形成具有不同特性的鈣鈦礦化合物[17]。理想型立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)示意圖如圖 1-1 所示,A 位陽(yáng)離子占據(jù)鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的頂角位置、B 位相對(duì)較小陽(yáng)離子占據(jù)體心位置、負(fù)二價(jià)氧離子占據(jù)面心位置。我們所說(shuō)的氧八面體是由 B 位陽(yáng)離子與相鄰周圍的氧離子構(gòu)成的,并且 A 位陽(yáng)離子則占據(jù)在氧八面體空隙位置[18]。眾所周知,立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu)容易發(fā)生晶格畸變是由于內(nèi)部不穩(wěn)定造成的,通常發(fā)生晶格畸變的是B 位陽(yáng)離子偏離立方體心和氧八面體旋轉(zhuǎn)從而導(dǎo)致該結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能發(fā)生改變。鈣鈦礦結(jié)構(gòu)晶格畸變?nèi)?1-2 示意圖所示,A/B 位離子由起始位置偏離從而導(dǎo)致氧八面體旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生形式各異的空間群結(jié)構(gòu) (a-a-a-、a0a0a0和 a-a-c+[19])。
基壓電陶瓷鈦酸鉍鈉 (BNT) 自從 1960 年被 Smolensky 等人發(fā)現(xiàn)到現(xiàn)在被人們稱為相變過(guò)程最為復(fù)雜的鈣鈦礦鐵電體,鈦酸鉍鈉在升溫過(guò)程中會(huì)發(fā)生復(fù)雜的相變?nèi)鐖D1-3所示,
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2780209
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