一種串聯(lián)磁路混合永磁記憶電機(jī)性能分析與結(jié)構(gòu)優(yōu)化
【圖文】:
了真正意義上的磁通可調(diào)。國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀許多學(xué)者致力于記憶電機(jī)的研究,提出取得了巨大的進(jìn)步。型記憶電機(jī)在提出記憶電機(jī)的概念后,研究制造了圖 1.1 所示。該記憶電機(jī)的定子結(jié)構(gòu)采“三明治”結(jié)構(gòu),,材料由內(nèi)向外依次是 AAlNiCo 具有較高的剩磁密度但是矯頑可以使它退磁,記憶永磁電機(jī)利用這一[17]。另外,韓國(guó) Hanbat 大學(xué)的 Jung Ho 磁滯曲線的非線性,建立了 Preisach 模線,使得電機(jī)的氣隙磁通控制更加精確
a)6 極轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu) b)8 極轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)圖 1.2 兩種永磁體切向式磁化記憶電機(jī)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)美國(guó)威斯康星——麥迪遜大學(xué)教授 Natee Limsuwan 聯(lián)合日本學(xué)者 Takato 對(duì)內(nèi)置式永磁同步電機(jī)進(jìn)行了深入研究,在交軸磁路上增加 AlNiCo 永磁變交軸電感,提出了一種交軸磁阻增強(qiáng)型記憶電機(jī),利用有限元仿真軟件分及實(shí)驗(yàn)的驗(yàn)證,表明了該電機(jī)具有較寬的調(diào)速范圍和高的運(yùn)行效率[21]。兩種磁阻增強(qiáng)型記憶電機(jī)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖 1.3 所示。a)AlNiCo 徑向磁化 b)AlNiCo 軸向磁化圖 1.3 兩種磁化方向磁阻增強(qiáng)型記憶電機(jī)結(jié)構(gòu)
【學(xué)位授予單位】:蘭州理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TM341
【相似文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2685330
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