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過(guò)渡金屬氧化物的間接法合成和電性能研究

發(fā)布時(shí)間:2020-04-14 12:21
【摘要】:超級(jí)電容器由于能源利用率高,污染小是一種優(yōu)秀的電存儲(chǔ)設(shè)備,而電極材料的性質(zhì)是開(kāi)發(fā)超級(jí)電容器的關(guān)鍵。一些過(guò)渡金屬氧化物在自然界中儲(chǔ)量豐富、價(jià)格低廉,具有較寬的工作電位及良好的電化學(xué)儲(chǔ)能性能,受到了廣大科研工作者的青睞。石墨烯是一種具有二維結(jié)構(gòu)的材料,具有很大的比表面積以及良好的導(dǎo)電性。過(guò)渡金屬氧化物與石墨烯復(fù)合后,可以增大過(guò)渡金屬氧化物的比表面積,提高導(dǎo)電率。本論文主要研究過(guò)渡金屬氧化物的間接法合成和其電化學(xué)性能研究,通過(guò)間接法在一定程度上可控制產(chǎn)物形貌。利用間接法制備四氧化三鈷、一氧化鈷、四氧化三錳-一氧化錳混合氧化物這三種過(guò)渡金屬氧化物材料。將制備的過(guò)渡金屬氧化物與還原氧化石墨烯以不同比例進(jìn)行復(fù)合,制備出不同比例的復(fù)合材料。通過(guò)掃描電子顯微鏡、X射線衍射等手段對(duì)制備的過(guò)渡金屬氧化物及復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)及化學(xué)成分進(jìn)行了表征。通過(guò)循環(huán)伏安和恒電流充放電方法對(duì)其電化學(xué)性能進(jìn)行測(cè)試。結(jié)果表明,當(dāng)還原氧化石墨烯的加入質(zhì)量是過(guò)渡金屬氧化物質(zhì)量的5%時(shí),四氧化三鈷/還原氧化石墨烯復(fù)合材料在0.5 A g~(-1)的電流密度下,其比電容量可以達(dá)到168 F g~(-1),且在經(jīng)過(guò)1000次充放電之后,其比電容量可以達(dá)到初始電容的106%;將該復(fù)合材料組裝成了鋰電池,在200次循環(huán)后可逆容量保持在0.409 A h g~(-1)。一氧化鈷/石墨烯與四氧化三錳-一氧化錳/石墨烯復(fù)合材料均具有較好的穩(wěn)定性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果制備的復(fù)合材料具備一定的的電存儲(chǔ)性能和較高的循環(huán)穩(wěn)定性。
【圖文】:

示意圖,納米棒,示意圖


長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文沉積過(guò)程也顯著延遲了比電容量的飽和以及與集電器的分離。這里給出的結(jié)明了 2D 陣列聚苯乙烯/二氧化釕納米球用作高效贗電容器電極的潛力。然而 RuO2的劇毒性,以及昂貴的價(jià)格,使人們對(duì)其研究減少。氧化釩是一種較好的電化學(xué)電極材料。Hu 等人[37]采用 V2O5納米線作為,,以葡萄糖為殼源,通過(guò)簡(jiǎn)單的水熱合成熱處理工藝,合成了具有多孔結(jié)構(gòu)比表面積的 V2O3@C 核-殼納米棒。所制備的 V2O3@C 納米棒由具有結(jié)晶 V2和無(wú)定形碳?xì)さ暮?殼結(jié)構(gòu)組成(見(jiàn)圖 1.1)。電化學(xué)測(cè)試(如圖 1.2)表明2O3@C 核殼納米棒比碳球和 V2O3納米材料表現(xiàn)出更高的比電容量。由V2O3@-殼納米棒和活性炭(V2O3@C//C)組裝的不對(duì)稱超級(jí)電容器器件顯示出2O3//C 器件更高的比電容值(在 1 mA cm-2下為 0.219 F cm-2)。在 1000 次后,V2O3@C//C 器件的電容保持率為 86%,表明 V2O3@C 具有良好的循環(huán)且適用于超級(jí)電容器中。目前的研究結(jié)果表明,V2O3@C 核-殼納米棒可被是高性能儲(chǔ)能材料的潛在材料。

示意圖,納米棒,電化學(xué)測(cè)試


O3@C 核殼納米棒比碳球和 V2O3納米材料表現(xiàn)出更高的比電容量。由V2O3-殼納米棒和活性炭(V2O3@C//C)組裝的不對(duì)稱超級(jí)電容器器件顯示出O3//C 器件更高的比電容值(在 1 mA cm-2下為 0.219 F cm-2)。在 1000 次后,V2O3@C//C 器件的電容保持率為 86%,表明 V2O3@C 具有良好的循環(huán)且適用于超級(jí)電容器中。目前的研究結(jié)果表明,V2O3@C 核-殼納米棒可被是高性能儲(chǔ)能材料的潛在材料。圖 1.1 V2O3@C 納米棒合成示意圖[37]
【學(xué)位授予單位】:長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TB33;TM53

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