過(guò)渡金屬氧化物的間接法合成和電性能研究
【圖文】:
長(zhǎng)春理工大學(xué)碩士學(xué)位論文沉積過(guò)程也顯著延遲了比電容量的飽和以及與集電器的分離。這里給出的結(jié)明了 2D 陣列聚苯乙烯/二氧化釕納米球用作高效贗電容器電極的潛力。然而 RuO2的劇毒性,以及昂貴的價(jià)格,使人們對(duì)其研究減少。氧化釩是一種較好的電化學(xué)電極材料。Hu 等人[37]采用 V2O5納米線作為,,以葡萄糖為殼源,通過(guò)簡(jiǎn)單的水熱合成熱處理工藝,合成了具有多孔結(jié)構(gòu)比表面積的 V2O3@C 核-殼納米棒。所制備的 V2O3@C 納米棒由具有結(jié)晶 V2和無(wú)定形碳?xì)さ暮?殼結(jié)構(gòu)組成(見(jiàn)圖 1.1)。電化學(xué)測(cè)試(如圖 1.2)表明2O3@C 核殼納米棒比碳球和 V2O3納米材料表現(xiàn)出更高的比電容量。由V2O3@-殼納米棒和活性炭(V2O3@C//C)組裝的不對(duì)稱超級(jí)電容器器件顯示出2O3//C 器件更高的比電容值(在 1 mA cm-2下為 0.219 F cm-2)。在 1000 次后,V2O3@C//C 器件的電容保持率為 86%,表明 V2O3@C 具有良好的循環(huán)且適用于超級(jí)電容器中。目前的研究結(jié)果表明,V2O3@C 核-殼納米棒可被是高性能儲(chǔ)能材料的潛在材料。
O3@C 核殼納米棒比碳球和 V2O3納米材料表現(xiàn)出更高的比電容量。由V2O3-殼納米棒和活性炭(V2O3@C//C)組裝的不對(duì)稱超級(jí)電容器器件顯示出O3//C 器件更高的比電容值(在 1 mA cm-2下為 0.219 F cm-2)。在 1000 次后,V2O3@C//C 器件的電容保持率為 86%,表明 V2O3@C 具有良好的循環(huán)且適用于超級(jí)電容器中。目前的研究結(jié)果表明,V2O3@C 核-殼納米棒可被是高性能儲(chǔ)能材料的潛在材料。圖 1.1 V2O3@C 納米棒合成示意圖[37]
【學(xué)位授予單位】:長(zhǎng)春理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號(hào)】:TB33;TM53
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