發(fā)布時間：2019-07-15 08:55

【摘要】：通過PC1D模擬軟件分析了硅片厚度對電池性能的影響,結(jié)果表明:隨著硅片厚度減薄,硅片對光的吸收效率逐漸減弱。為了強化硅片表面的陷光能力,彌補硅襯底減薄對光吸收的損失,采用化學(xué)刻蝕法制備獲得了具有納米絨面的黑硅太陽電池。通過模擬對比厚度為80μm的黑硅電池和常規(guī)電池性能,結(jié)果表明:硅納米長度為0.85μm的黑硅表面平均反射率從常規(guī)制絨的12.65%降低至4.06%,黑硅電池短路電流從常規(guī)的8.693 A增加至9.104 A,黑硅電池效率從常規(guī)的18.87%提高至19.74%。
[Abstract]:The effect of the thickness of the silicon chip on the performance of the cell is analyzed by the PC1D simulation software. The results show that the absorption efficiency of the silicon wafer decreases with the thickness of the silicon wafer. In order to strengthen the light trapping ability of the surface of the silicon chip, the loss of the thinning of the silicon substrate on the light absorption is made up, and the black silicon solar cell with the nanometer suede is prepared by adopting a chemical etching method. The results show that the average reflectivity of the black silicon surface with the silicon nano-length of 0.85. m u.m is reduced from 12.65% to 4.06%, and the short-circuit current of the black silicon battery is increased from 8.693 A to 9.104 A by simulating the performance of the black silicon battery and the conventional battery with the thickness of 80. m The efficiency of the black silicon battery was increased from 18.87% to 19.74%.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司第四十八研究所;國家光伏裝備工程技術(shù)研究中心;
【基金】：國家高技術(shù)研究發(fā)展(863)計劃(2012AA050303)
【分類號】：TM914.41

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