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硅基徑向結(jié)薄膜太陽能電池及其光電探測(cè)應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2018-11-20 21:39
【摘要】:發(fā)展可再生清潔能源一直是人類解決當(dāng)前能源危機(jī)與環(huán)境污染的一個(gè)重要途徑。其中太陽能作為可再生能源的重要組成部分,因其分布廣泛、取之不竭、安全可靠、環(huán)境友好等特點(diǎn),已經(jīng)成為了各國競相發(fā)展的熱點(diǎn)。硅基太陽能電池是光伏市場(chǎng)中的巨頭,占據(jù)了市場(chǎng)90%的份額,而硅基薄膜電池又因?yàn)槠涑杀据^低,可大規(guī)模生產(chǎn),適于分布式應(yīng)用等優(yōu)勢(shì),受到了廣泛關(guān)注。然而非晶硅材料也受限于自身長程無序的原子結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及光致衰減效應(yīng)等缺點(diǎn),電池效率一直未能得到較大提高,限制了其進(jìn)一步發(fā)展。為此,探索利用納米線結(jié)構(gòu)構(gòu)建三維徑向薄膜太陽能電池是一個(gè)重要的研究突破方向;谡n題組自主創(chuàng)新的低熔點(diǎn)金屬催化誘導(dǎo)硅納米線生長技術(shù),本論文系統(tǒng)深入地研究了在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)系統(tǒng)中的低熔點(diǎn)金屬誘導(dǎo)氣-液-固(Vapor-Liquid-Solid,VLS)硅納米線生長模式,并制備了高效徑向結(jié)非晶硅薄膜太陽能電池器件,研究了其獨(dú)特的強(qiáng)陷光效應(yīng)、腔模式耦合以及抗光致衰減效應(yīng)等特性,結(jié)合理論模擬和實(shí)驗(yàn)探索提出了優(yōu)化的徑向結(jié)光電結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。進(jìn)一步,本論文還探索將硅基徑向結(jié)電池結(jié)構(gòu)與無機(jī)銫系鈣鈦礦量子點(diǎn)相結(jié)合,首次實(shí)現(xiàn)了性能優(yōu)異的硅基超快、高靈敏日盲紫外探測(cè)器件,為大面積硅基紫外探測(cè)應(yīng)用提供了一個(gè)新的方向。本論文具體的創(chuàng)新點(diǎn)如下:一、深入研究并優(yōu)化了在新的PECVD系統(tǒng)環(huán)境中利用低熔點(diǎn)金屬錫(tin)催化的硅納米線VLS生長制備技術(shù)。系統(tǒng)探索了前期氫處理?xiàng)l件、催化金屬薄膜厚度、生長時(shí)間/溫度、摻雜濃度調(diào)控等關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)參數(shù)對(duì)硅納米線形貌的影響。針對(duì)徑向結(jié)薄膜電池制備需求,成功穩(wěn)定制備出長度均勻約為1 μm,平均直徑為30~40nm,密度精確控制在3×108/cm2的優(yōu)化納米線陣列結(jié)構(gòu)。在硅納米線形貌調(diào)控基礎(chǔ)上,進(jìn)一步制備了高效徑向結(jié)非晶硅薄膜太陽能電池,并較為系統(tǒng)地研究了納米線摻雜、窗口層的摻雜、本征吸收層厚度、納米線密度以及退火溫度對(duì)電池性能的影響。通過系統(tǒng)參數(shù)摸索,制備了開路電壓Voc=0.8V,填充因子FF=66%,短路電流Jsc=16mA/cm2,轉(zhuǎn)換效率在8%以上的高效單結(jié)徑向結(jié)非晶硅薄膜太陽能電池,也為后續(xù)光電探測(cè)器件應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。二、通過有限元分析和數(shù)值模擬,對(duì)單結(jié)非晶硅徑向結(jié)薄膜太陽能電池的獨(dú)特光場(chǎng)耦合、吸收及其分布特性進(jìn)行了探索研究。尤其針對(duì)隨機(jī)納米線陣列結(jié)構(gòu)特性,研究了徑向結(jié)電池陣列傾斜角度對(duì)整體光電轉(zhuǎn)換和吸收特性進(jìn)行了深入模擬分析。研究發(fā)現(xiàn),在納米線密度適當(dāng)?shù)那闆r下,直徑與光波長相比擬的徑向結(jié)電池結(jié)構(gòu)本身的隨機(jī)取向以及自遮蔽效應(yīng)并不構(gòu)成限制問題,依然能夠獲得和豎直納米線陣列一樣的光吸收性能。這為利用低成本隨機(jī)VLS生長納米線陣列制備高性能徑向結(jié)電池提供了關(guān)鍵的理論依據(jù)。三、探索了一種新穎高效的無機(jī)銫系鈣鈦礦量子點(diǎn)(Inorganic perovskite CsPbX3,IPQDs)與硅納米線徑向結(jié)(Silicon Nanowire Radial p-i-n Junction)雜化薄膜日盲探測(cè)器件構(gòu)架,其中IPQDs量子點(diǎn)具有優(yōu)異的紫外光電吸收和量子轉(zhuǎn)化效率。將其均勻布置在三維(3D)構(gòu)架的硅納米線徑向結(jié)薄膜電池結(jié)構(gòu)的表面,可將日盲信號(hào)直接轉(zhuǎn)化為徑向非晶硅p-i-n結(jié)區(qū)最優(yōu)化波長(-500 nm附近)實(shí)現(xiàn)靈敏吸收探測(cè)。另外,針對(duì)快速探測(cè)需求,徑向結(jié)中本征結(jié)區(qū)厚度可從平面結(jié)的300 nnn降到僅僅80 nnn優(yōu)化,從而有利于光生載流子的快速吸收和響應(yīng);诖思夹g(shù),最終實(shí)現(xiàn)了可大面積低成本制備和應(yīng)用的硅基薄膜日盲探測(cè)器件:在200nm深紫外獲得了50mA/W的響應(yīng)度,目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了較快的日盲光電探測(cè)(上升和下降時(shí)間沿為0.48ms/1.03ms),并還有較大進(jìn)一步提升空間。同時(shí),由于采用無機(jī)銫系量子點(diǎn)結(jié)構(gòu),探測(cè)器件不需要特殊封裝即可穩(wěn)定工作1000小時(shí)以上,為大幅度降低成本和規(guī);瘧(yīng)用推廣奠定了關(guān)鍵基礎(chǔ)。
[Abstract]:......
【學(xué)位授予單位】:南京大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2017
【分類號(hào)】:TM914.42

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本文編號(hào):2346116

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