本文選題：n型單晶硅 + PCD模擬��； 參考：《太陽(yáng)能學(xué)報(bào)》2017年11期

【摘要】：采用PC1D模擬軟件模擬不同少子壽命的硅片條件下電阻率、擴(kuò)散方塊電阻、結(jié)深對(duì)n-PERC電池性能的影響。結(jié)果表明,隨著硅片少子壽命的延長(zhǎng),電池效率提高。通過(guò)對(duì)實(shí)際生產(chǎn)中少子壽命和硅片徑向不均勻度的研究,得出n-PERC電池使用硅片的最佳少子壽命值。
[Abstract]:PC1D simulation software was used to simulate the effects of resistivity, diffusion square resistance and junction depth on the performance of n-PERC battery under different minority carrier lifetime. The results show that the battery efficiency increases with the prolongation of minority carrier lifetime of silicon wafer. The optimum minority carrier lifetime of n-PERC battery using silicon wafer was obtained by studying the minority carrier life and the radial inhomogeneity of silicon wafer in practical production.
【作者單位】： 河北工業(yè)大學(xué)信息功能材料研究所;
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.4

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本文編號(hào)：2037034