本文選題：GaAs薄膜太陽(yáng)電池 + 正面陷光結(jié)構(gòu)�。� 參考：《材料導(dǎo)報(bào)》2017年11期

【摘要】：陷光結(jié)構(gòu)由于其獨(dú)特的光學(xué)特性,在光伏器件中發(fā)揮的作用越來(lái)越重要。目前硅基太陽(yáng)電池中陷光結(jié)構(gòu)的應(yīng)用很常見(jiàn),然而在GaAs薄膜太陽(yáng)電池中陷光結(jié)構(gòu)的報(bào)道并不多。詳細(xì)介紹了陷光結(jié)構(gòu)的原理及其在GaAs薄膜電池中的研究現(xiàn)狀和應(yīng)用情況。綜述了GaAs薄膜太陽(yáng)能電池中常用的三類(lèi)陷光結(jié)構(gòu):正面陷光結(jié)構(gòu)(包括納米顆粒、納米線、納米錐等)、背面陷光結(jié)構(gòu)(如鏡面背反射層)以及混合陷光結(jié)構(gòu)。大量研究表明,陷光結(jié)構(gòu)的使用可以進(jìn)一步提高GaAs薄膜電池的光電轉(zhuǎn)換效率,一定程度上達(dá)到降低電池生產(chǎn)成本的目的。
[Abstract]:Because of its unique optical properties, trapping structure plays a more and more important role in photovoltaic devices. At present, the application of trapped light structure in silicon based solar cells is very common. However, there are few reports on trapped light structure in GaAs thin film solar cells. The principle of trapping structure and its application in GaAs thin film battery are introduced in detail. Three types of trapping structures commonly used in GaAs thin film solar cells are reviewed in this paper: frontal trapping structures (including nanocrystalline particles nanowires nanometers etc.) backside trapping structures (such as mirror backreflectors) and mixed trapping structures. A large number of studies have shown that the use of trapping structure can further improve the photoelectric conversion efficiency of GaAs thin film cells and to a certain extent achieve the purpose of reducing the production cost of the cells.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體集成技術(shù)工程研究中心;中國(guó)科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61274066;61474115;61504138) 863項(xiàng)目(2014AA032602)
【分類(lèi)號(hào)】：TM914.42

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本文編號(hào)：1819070