本文選題：燒結(jié)過(guò)程　切入點(diǎn)：正銀漿料　出處：《昆明理工大學(xué)》2017年碩士論文

【摘要】：銀漿的燒結(jié)過(guò)程包括玻璃粉融化,玻璃熔體擴(kuò)散并且浸潤(rùn)銀粉,銀粉移動(dòng)重排、液相冷卻固化等階段。控制好銀漿的燒結(jié)過(guò)程能獲得較好的膜層與電池片的結(jié)合力及良好的導(dǎo)電性能。本課題通過(guò)對(duì)銀漿燒結(jié)過(guò)程的研究,探究各組分在燒結(jié)過(guò)程中的變化,銀漿燒結(jié)成的銀膜的導(dǎo)電機(jī)理,從而得到高性能銀漿的組成及燒結(jié)工藝。主要實(shí)驗(yàn)內(nèi)容如下:首先通過(guò)研究450-900℃區(qū)間內(nèi),燒結(jié)成的銀膜的方阻、附著力、比接觸電阻率與燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間的關(guān)系,同時(shí)結(jié)合銀膜表面和斷面的微觀形貌分析銀漿中銀粉和玻璃粉在燒結(jié)過(guò)程中的變化情況,得到所研究銀漿可用的燒結(jié)窗口及最優(yōu)的燒結(jié)工藝,并探究了銀膜自身及Ag-Si接觸面上銀膜的導(dǎo)電機(jī)理。然后分別研究銀粉與玻璃粉的不同配比、球形銀粉與片狀銀粉混合比例、球形微米銀粉與納米銀粉混合比例對(duì)燒結(jié)過(guò)程及燒結(jié)成的銀膜的方阻、附著力、比接觸電阻率的影響,得到各因素對(duì)銀膜性能的影響規(guī)律。本論文得到的主要結(jié)論有:1.本論文研究的銀漿體系的燒結(jié)窗口在700-900℃,該銀漿的最佳燒結(jié)條件是850℃下燒結(jié),保溫50 s,此時(shí)燒結(jié)得到的電極綜合性能最優(yōu),銀膜的方阻為2.22 mΩ/□,銀膜與硅基片的附著力為4.61 N,銀膜與硅基片的比歐姆接觸電阻率為0.30 Ω·cm2，2.銀漿在中高溫?zé)Y(jié)時(shí)其中的銀粉會(huì)有少量溶解于玻璃熔體,導(dǎo)致小顆粒的銀粉溶解消失,大顆粒的銀粉長(zhǎng)大,片狀銀粉向球形銀粉轉(zhuǎn)變,同時(shí)溶解的銀能在銀膜與硅基片的接觸面上析出,改善接觸面的導(dǎo)電性能。3.玻璃熔體在燒結(jié)過(guò)程中浸潤(rùn)了銀粉和硅基片表面,帶動(dòng)銀粉重排形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),決定了銀膜方阻的大小,同時(shí)玻璃熔體為銀膜與硅基片的連接提供了連接介質(zhì),直接影響銀膜與硅基片的接觸性能,在燒結(jié)的過(guò)程中至關(guān)重要,本文中銀漿體系的最優(yōu)玻璃粉含量為4.5%。4.分別得到了片狀銀粉和納米銀粉含量與銀膜性能的關(guān)系,為決定銀漿中片狀銀粉和納米銀粉的摻入量提供了參考。
[Abstract]:The sintering process of the silver paste includes melting of glass powder, diffusion of glass melt and infiltration of silver powder, rearrangement of silver powder movement, Controlling the sintering process of silver paste can obtain better bonding force and good electric conductivity of the film layer and the battery chip. Through the study of the sintering process of the silver paste, the change of each component in the sintering process is explored. The conductive mechanism of silver film sintered with silver paste is obtained, and the composition and sintering process of high performance silver paste are obtained. The main experimental contents are as follows: firstly, the square resistance and adhesion of the silver film sintered in the range of 450-900 鈩，

本文編號(hào)：1686327