發(fā)布時(shí)間：2018-01-14 17:43

  本文關(guān)鍵詞：1.0eV GaAs基InAs量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池　出處：《科學(xué)通報(bào)》2017年26期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：三結(jié)InGaP/GaAs/Ge太陽(yáng)能電池理論設(shè)計(jì)中加入帶隙為1.0 eV的材料代替帶隙為1.4 eV的GaAs中間電池有助于解決多結(jié)串聯(lián)電池的電流阻塞效應(yīng)實(shí)現(xiàn)電流匹配,然而帶隙為1.0 eV的InGaAs和GaInNAs外延困難.我們利用分子束外延方法外延得到In0.15Ga0.85As量子阱,InAsdots-in-well量子點(diǎn)以調(diào)整太陽(yáng)能電池帶隙.X射線衍射譜中觀察到了量子阱的多級(jí)衛(wèi)星衍射峰,量子阱界面陡峭.掃描透射圖顯示量子點(diǎn)呈金字塔狀,量子點(diǎn)的高度約為12 nm,底邊長(zhǎng)約為27 nm.由原子力顯微鏡圖可知,量子點(diǎn)密度約為2×10~(10) cm~(-2).低溫光致發(fā)光譜顯示量子點(diǎn)在As4束流下呈雙模分布.光電流響應(yīng)譜顯示InAsdots-in-well量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池吸收波長(zhǎng)可以達(dá)到1300 nm,相應(yīng)于帶隙約為1.0 eV.器件J-V特性顯示短路電流相比于GaA s標(biāo)準(zhǔn)p-i-n電池增加了37.8%.這表明該InAsdots-in-well量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池有望改善多結(jié)太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)中的電流阻塞效應(yīng),實(shí)現(xiàn)電流匹配,在多結(jié)太陽(yáng)能電池的設(shè)計(jì)中具有廣闊的應(yīng)用前景.
[Abstract]:The results show that the quantum dot density is about 2 脳 10 ~ ( 10 ) cm ~ ( -2 ) . It shows that the quantum dot density is about 2 脳 10 ~ ( 10 ) cm ~ ( -2 ) . The light current response spectrum shows that the quantum dot density is about 2 脳 10 ~ ( 10 ) cm ~ ( -2 ) .

【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院物理研究所北京凝聚態(tài)物理國(guó)家實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11574362,61210014,11374340,11474205) 北京市科技計(jì)劃(Z151100003515001)資助
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 近年來,Ga As基單節(jié)太陽(yáng)能電池和多節(jié)太陽(yáng)能吸收增大電池效率[10].常用的帶隙為1.0 e V的材料有電池廣泛應(yīng)用于空間電池技術(shù)和制造聚光太陽(yáng)能電晶格匹配的Ga In NAs和晶格失配的In[0.3Ga0.7As11,12].池[1~5].最常用的三結(jié)太陽(yáng)能電池多采用Ge作為底電Ga In NAs少子壽命短,載流

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本文編號(hào)：1424647