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一種高壓脈沖電源設(shè)計

發(fā)布時間:2018-01-12 18:39

  本文關(guān)鍵詞:一種高壓脈沖電源設(shè)計 出處:《合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版)》2017年11期  論文類型:期刊論文


  更多相關(guān)文章: 高壓脈沖 介質(zhì)阻擋放電 串并聯(lián)諧振 軟開關(guān)技術(shù)


【摘要】:為研究高壓脈沖脈寬及頻率對介質(zhì)阻擋放電效果的影響,文章設(shè)計了一款功率1kW、幅值5kV、脈寬1~20μs可調(diào)、頻率15~25kHz范圍可調(diào)的單向高壓脈沖電源。與傳統(tǒng)高壓脈沖電源多采用工頻升壓加磁壓縮開關(guān)或旋轉(zhuǎn)火花隙獲取高壓脈沖能耗較大且不易控制不同,該電源主電路采用半橋式拓撲結(jié)構(gòu),以SG3525作為脈沖寬度調(diào)制(pulse width modulation,PWM)主控芯片,利用LCC串并聯(lián)諧振軟開關(guān)技術(shù),大大降低開關(guān)損耗并能有效降低高頻脈沖變壓器分布參數(shù)影響。測試結(jié)果表明,該脈沖高壓電源滿足介質(zhì)阻擋放電實驗要求。
[Abstract]:In order to study the effect of high - voltage pulse width and frequency on dielectric barrier discharge , a single - way high - voltage pulse power supply with adjustable power of 1kW , amplitude of 5kV , pulse width of 1 - 20渭s and frequency of 15 - 25kHz is designed . The main circuit of this power supply adopts half - bridge topology , uses SG3525 as the main control chip of pulse width modulation ( PWM ) , greatly reduces the switching loss and can effectively reduce the influence of high - frequency pulse transformer distribution parameters . The test results show that the pulsed high - voltage power supply meets the requirement of dielectric barrier discharge experiment .

【作者單位】: 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;
【基金】:合肥工業(yè)大學(xué)產(chǎn)學(xué)研校企合作資助項目(12-516)
【分類號】:TN86
【正文快照】: 近年來,介質(zhì)阻擋放電的應(yīng)用越來越廣泛,如利用介質(zhì)阻擋放電方法產(chǎn)生臭氧或等離子體已用于滅菌消毒、廢氣處理、材料表面改性、等離子顯示屏等各工業(yè)領(lǐng)域。所謂介質(zhì)阻擋放電就是在2個電極的放電空間放入至少一塊絕緣介質(zhì),用于阻擋貫穿氣隙的放電通道[1]。雖然介質(zhì)阻擋放電理論

【相似文獻】

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2 熊蘭;楊子康;袁超;席朝輝;何為;葉曉杰;;高壓脈沖循環(huán)冷卻水滅菌系統(tǒng)的研制與實驗研究[J];高電壓技術(shù);2010年04期

3 侯青波;何樂生;余鵬飛;;可調(diào)高壓脈沖信號設(shè)計[J];電子測量技術(shù);2013年02期

4 馬玉梅,于險波 ,張玉安;單片機控制高壓脈沖電網(wǎng)報警系統(tǒng)[J];電腦學(xué)習(xí);2004年01期

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7 陳靜;劉文紅;;抗高壓脈沖高穩(wěn)定度燈絲電源[J];現(xiàn)代電子技術(shù);2011年24期

8 張承義;康培芳;張淼;;高壓脈沖電流對動物失能效應(yīng)的影響[J];價值工程;2013年07期

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10 雷克剛;吳廣寧;高波;何景彥;;高壓脈沖方波下介質(zhì)壽命試驗擊穿判斷及控制裝置的設(shè)計[J];電氣應(yīng)用;2007年07期

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3 吳慶;吳意躍;;一種高壓脈沖電除塵電源[A];第十二屆中國電除塵學(xué)術(shù)會議論文集[C];2007年

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2 李成祖;基于MOSFET串聯(lián)的高頻高壓脈沖方波源的研制[D];華中科技大學(xué);2013年



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