本文關(guān)鍵詞：過渡區(qū)p型氫化硅氧薄膜結(jié)構(gòu)和光電特性的研究　出處：《物理學(xué)報》2017年19期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：采用射頻等離子體增強化學(xué)氣相沉積技術(shù),利用二氧化碳(CO_2)、氫氣(H_2)、硅烷(SiH_4)和乙硼烷(B_2H_6)作為氣源,制備出一系列p型氫化硅氧薄膜.利用拉曼光譜、傅里葉變換紅外光譜和暗電導(dǎo)測試,研究了不同二氧化碳流量對薄膜材料結(jié)構(gòu)和光電特性的影響,獲得了從納米晶相向非晶相轉(zhuǎn)變的過渡區(qū)P層.研究表明:隨著二氧化碳流量從0增加到1.2 cm~3·min~(-1),拉曼光譜的峰值位置從520 cm~(-1)逐漸移至480 cm~(-1).材料紅外光譜表明,隨著二氧化碳流量的增加,薄膜中的氧含量逐漸增加,氫鍵配置逐漸由硅單氫鍵轉(zhuǎn)換為硅雙氫鍵.P層SiO:H薄膜電導(dǎo)率從3S/cm降為8.3×10~(-6)S/cm.所有p型SiO:H薄膜的光學(xué)帶隙(Eopt)都在1.82—2.13 eV之間變化.在不加背反射電極的條件下,利用從納米晶相向非晶相轉(zhuǎn)變的過渡區(qū)P層作為電池的窗口層,且在P層和I層之間插入一定厚度的緩沖層,制備出效率為8.27%的非晶硅薄膜電池.
[Abstract]:A series of p - type hydrogenated silicon oxide films were prepared by using carbon dioxide ( CO _ 2 ) , hydrogen ( H _ 2 ) , silane ( SiH4 ) and diborane ( B _ 2H _ 6 ) as gas source .

【作者單位】： 北京交通大學(xué)發(fā)光與光信息技術(shù)教育部重點實驗室;石家莊鐵道大學(xué)數(shù)理系應(yīng)用物理研究所;河北漢盛光電科技有限公司;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準號:61575019)資助的課題~~
【分類號】：TM914.42
【正文快照】： 1引言 桂基薄膜電池一般都是p-i-n結(jié)構(gòu).p層作為太陽能電池窗口層,在改進光伏電池性能上起著至關(guān)重要的作用,改善P層材料的結(jié)構(gòu)和光電特性是提高硅基薄膜太陽電池的有效途徑.為了使更多的陽光從p層進入本征層,減少入射光的損失,p層要求具有較寬的帶隙,以降低P層的吸收系數(shù),從

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3 潘晶,劉新才;粉末燒結(jié)釹鐵硼激光熔凝過渡區(qū)組織的研究[J];中國稀土學(xué)報;2004年02期

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本文編號：1389570