本文關鍵詞：基于憶阻器的功能性電路研究　出處：《南京郵電大學》2016年碩士論文　論文類型：學位論文

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【摘要】：憶阻器是繼電阻、電容、電感之后的第四個基本電路元件,用于描述磁通量和電荷之間的關系。憶阻器具有電阻、電容和電感三個基本電路元件所不具有的特性,是一類有記憶特性的非線性電路元件,可以記憶流經(jīng)它的電荷量。通過改變經(jīng)過憶阻器的電流可以改變憶阻器的阻值,而且在斷電后可以保持其阻值不變。這種記憶特性使得憶阻器比其它一般的電路元件具有更廣闊的研究與應用空間。本論文對憶阻器的基本特性、憶阻器與電容、電感串并聯(lián)電路以及憶阻器在混沌電路、振蕩電路中的應用進行了研究。主要包括以下內容:以三次非線性和分段線性數(shù)學模型分別對荷控和磁控憶阻器的基本特性進行了相關分析,研究表明憶阻器的v-i關系能呈現(xiàn)出緊磁滯回線,且特性曲線會隨著器件參數(shù)、外加激勵頻率的變化而變化;此外,外加激勵頻率可影響憶阻值的變化范圍。在憶阻器與電容、電感串并聯(lián)電路方面,研究了荷控憶阻器與LC串聯(lián)電路和磁控憶阻器與LC并聯(lián)電路的相關特性,結果表明通過改變電容、電感的值可以使電路的v-i關系呈現(xiàn)不同的特性�；趹涀杵鞯墓δ苄噪娐费芯�,主要是將憶阻器應用在蔡氏電路和文氏橋振蕩電路中研究其對電路相關特性的影響。通過改變蔡氏憶阻混沌電路中元件的參數(shù)值,φ-v關系可呈現(xiàn)穩(wěn)定焦點、單渦旋混沌和雙渦旋混沌等不同特性。在不同頻率下憶阻器對振蕩電路的影響有所不同,憶阻振蕩器輸出波形會發(fā)生相應的變化。
【學位授予單位】：南京郵電大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TM501

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本文編號：1314732