本文關(guān)鍵詞：一種適用于固態(tài)直流斷路器的IGBT串聯(lián)均壓電路

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【摘要】：機(jī)械 固態(tài)半導(dǎo)體混合式以及純固態(tài)式直流斷路器的發(fā)明和使用為大規(guī)模高壓直流輸電系統(tǒng)的發(fā)展提供了新的契機(jī)。在純固態(tài)直流斷路器中,通常將大功率絕緣柵雙極晶體管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)串聯(lián)起來以承受斷路器關(guān)斷過程中的過電壓。但是,由于大功率的IGBT價(jià)格昂貴且對瞬態(tài)過電壓十分敏感,所以串聯(lián)IGBT關(guān)斷過程中的均壓問題需要得到充分的考慮。為了解決固態(tài)直流斷路器中串聯(lián)IGBT間的不均壓問題,首先對引起不均壓的因素進(jìn)行了深入的研究。另外,為了使串聯(lián)IGBT之間的關(guān)斷過電壓的不一致性降到最小,提出一種門極均壓控制電路和相應(yīng)的控制方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,通過使用提出的均壓控制電路和相應(yīng)的控制方法,串聯(lián)IGBT關(guān)斷過電壓的不均衡得到了有效抑制。因此,系統(tǒng)的可靠性得到了有效的提升。
【作者單位】： 西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院;西安西電電力系統(tǒng)有限公司;
【基金】：國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(973計(jì)劃)(2015CB251001;2015CB251004)~~
【分類號】：TM561;TN322.8
【正文快照】： 進(jìn)行了深入的研究。另外,為了使串聯(lián)IGBT之間的關(guān)斷過電壓的不一致性降到最小,提出一種門極均壓控制電路和相應(yīng)的控制方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,通過使用提出的均壓控制電路和相應(yīng)的控制方法,串聯(lián)IGBT關(guān)斷過電壓的不均衡得到了有效抑制。因此,系統(tǒng)的可靠性得到了有效的提升。0引言隨

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