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利用電容放電現(xiàn)場測量變流器IGBT模塊損耗

發(fā)布時間:2017-11-25 17:02

  本文關鍵詞:利用電容放電現(xiàn)場測量變流器IGBT模塊損耗


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【摘要】:為克服傳統(tǒng)方法存在誤差較大或工程實施困難的不足,提出一種變流器IGBT模塊損耗現(xiàn)場測量的新方法。該方法利用直流電容放電過程現(xiàn)場對變流器IGBT功率模塊的損耗特性進行測試,以驗證變流器性能或診斷功率模塊早期故障;通過適當控制變流器內各個IGBT導通與關斷,構成直流電容Buck放電電路實施損耗測試。采用英飛凌1200 V/50 A功率模塊FF50R12RT4搭建的380 V/10 k W變頻器進行了實驗研究,實驗結果驗證了該方法的可行性與有效性,F(xiàn)場測試方法充分利用變流器停機間隙和電容儲能對負載電感放電進行測試,無需額外增加硬件,具有經(jīng)濟、方便、安全等優(yōu)點。
【作者單位】: 同濟大學電氣工程系;武漢武新電氣科技股份有限公司;
【基金】:中央高校基本科研業(yè)務費專項資金資助項目(0800219334)~~
【分類號】:TM46
【正文快照】: 變流器作為電能變換系統(tǒng)中的重要部分,廣泛應用于新能源發(fā)電、電動汽車、軌道交通等新興領域中[1]。作為變流器系統(tǒng)的核心部件,IGBT綜合了GTR 和MOSFET兩者的優(yōu)點,具有開關頻率高、驅動功率小、輸入阻抗高、通態(tài)電阻小等優(yōu)點。隨著電力電子技術的發(fā)展,IGBT正朝著高頻化、大功

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前9條

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本文編號:1226713

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