基于Comsol的雙環(huán)磁控濺射靶的磁場模擬分析
發(fā)布時間:2017-10-06 06:27
本文關鍵詞:基于Comsol的雙環(huán)磁控濺射靶的磁場模擬分析
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【摘要】:影響靶材刻蝕特性的主要因素來自平行靶面的磁場分布,為了得到更優(yōu)的磁控靶結構參數(shù)以實現(xiàn)靶面水平磁感應強度的均勻分布,本文利用Comsol軟件對雙環(huán)磁控濺射靶的靶面水平磁感應強度分布進行模擬分析,得出了當內(nèi)磁環(huán)高度h=10 mm,外磁環(huán)與靶材間距d=7 mm時的靶面水平磁感應強度分布較為理想。除此之外,還探討了加裝導磁片對靶面水平磁感應強度的影響,結果表明采用適當?shù)膶Т牌L度、厚度以及導磁片與磁環(huán)之間的間距,對靶材的水平磁場強度分布具有調(diào)節(jié)作用。在工程應用中,技術人員可以事先對靶材結構進行模擬優(yōu)化以節(jié)省生產(chǎn)周期和成本,對實際生產(chǎn)具有指導意義。
【作者單位】: 陜西科技大學機電工程學院;
【關鍵詞】: 雙環(huán)磁控濺射靶 Comsol模擬 水平磁感應強度 結構參數(shù)
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: (Received 11 January 2016,accepted 4 February 2016)1引言濺射鍍膜是用荷能粒子轟擊固體靶材,使靶材原子濺射出來并沉積到基體表面形成薄膜的鍍膜技術[1]。近十年來,磁控濺射技術以低溫、高速兩大顯著優(yōu)勢被廣泛應用于各種材料薄膜的制備領域,并取得了突飛猛進的進展。但平,
本文編號:981215
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