本文關(guān)鍵詞：模板法制備新型AgTCNQ納米材料及其生長機理的研究

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【摘要】：自1979年以來,人們發(fā)現(xiàn)MTCNQ(M=Cu,Ag;TCNQ=7,7,8,8-四氰基對苯醌二甲烷)具有光電雙穩(wěn)態(tài)性質(zhì),自此人們便對該化合物進行了廣泛的研究。所謂的光電雙穩(wěn)態(tài)性質(zhì),即該化合物在光照或者有電流通過的情況下,其材料的阻值會發(fā)生相應(yīng)的變化,當(dāng)光照,電流消失時,材料又會回到原來的狀態(tài)�；谠撔再|(zhì),該化合物被廣泛的運用于制備記憶開光,場發(fā)射器件,柔性電子器件等電子學(xué)元件。此外,這些年來隨著研究的深入,該材料的運用還擴展到了光催化,抗菌等領(lǐng)域。為了不斷的優(yōu)化這些運用性能,來達到我們的目的,人們采用了很多種方法來制備該材料,主要包括自發(fā)電化學(xué)反應(yīng),化學(xué)氣相沉積,電化學(xué)結(jié)晶,光結(jié)晶,AAO等硬模板法,表面活性劑等軟模板法。其中軟模板法是最近幾年才開始應(yīng)用于該材料制備的一種新方法。通過這些方法人們制備出了許多具有高效記憶性能的記憶器件等,但是這些方法只能夠制備出棒狀的納米材料,而且操作復(fù)雜往往需要較復(fù)雜的設(shè)備,且不能夠?qū)Σ牧系男蚊策M行調(diào)控。我們知道,材料的形貌對其性能具有很大的影響,而目前的這些制備過程卻不能夠制備出不同形貌的AgTCNQ納米材料,這在一定程度上限制了以該材料為基礎(chǔ)的性能的研究。所以,通過尋找一種新的方法來制備出新型AgTCNQ納米材料,甚至實現(xiàn)對該材料形貌生長的調(diào)控十分必要。本文通過利用表面活性劑實現(xiàn)了新形貌AgTCNQ的制備,并且能夠調(diào)控該材料的形貌的轉(zhuǎn)變。此外我們還利用AAO模板,通過簡單的溶液法制備出了AgTCNQ納米線陣列。具體內(nèi)容如下:1.利用軟模板在水相中通過一鍋法調(diào)控新型的AgTCNQ納米材料,并對其生長機理的研究在該部分,我們利用P123作為模板劑,Ag NO3作為Ag源,檸檬酸鈉作為還原劑,在水溶液當(dāng)中通過一鍋法反應(yīng)制備出了新型的AgTCNQ納米結(jié)構(gòu)。通過改變P123的量我們實現(xiàn)了對該材料形貌的調(diào)控,隨著P123的增加,該材料的形貌逐漸的由紡錘型轉(zhuǎn)變成錐形。此外,我們通過對P123以及檸檬酸鈉作用的研究,提出了該材料形貌轉(zhuǎn)變的機理,即模板控制晶面吸附機理。2.利用AAO模板,通過溶液浸泡法制備AgTCNQ納米線陣列通過陽極氧化的方法我們首先制備了100 nm孔徑高度有序的AAO模板,之后通過電化學(xué)沉積的方法在在模板中沉積Ag納米棒,接著我們將含有Ag納米棒的AAO模板浸泡在TCNQ乙腈溶液中,制備出了AgTCNQ納米線陣列。此外實驗中我們還發(fā)現(xiàn),通過控制浸泡反應(yīng)的時間,我們也能夠制備出Ag-AgTCNQ異質(zhì)結(jié)納米材料。
【關(guān)鍵詞】：AgTCNQ 模板法 生長機理 新形貌
【學(xué)位授予單位】：吉林大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號】：TB383.1
【目錄】：

• 摘要5-7
• Abstract7-11
• 第一章 緒論11-15
• 1.1 前言11-12
• 1.2 模板法制備納米材料的發(fā)展歷程及現(xiàn)狀12
• 1.3 金屬有機半導(dǎo)體配合物MTCNQ的制備方法及發(fā)展現(xiàn)狀12-13
• 1.4 本論文的選題及研究內(nèi)容13-15
• 第二章 軟模板法調(diào)控AgTCNQ納米結(jié)構(gòu)15-35
• 2.1 前言15-16
• 2.2 實驗部分16-18
• 2.2.1 樣品及試劑16
• 2.2.2 實驗儀器及測試儀器16
• 2.2.3 反應(yīng)液的配置16-17
• 2.2.4 時間分辨UV-vis光譜的采集過程17
• 2.2.5 利用P123表面活性劑對材料生長過程的調(diào)控17-18
• 2.3 結(jié)果與討論18-34
• 2.3.1 材料生長過程的時間分辨UV-vis光譜監(jiān)測18-20
• 2.3.2 最終生成產(chǎn)物的表征20-23
• 2.3.3 表面活性劑P123作用的研究23-26
• 2.3.4 檸檬酸鈉作用的研究26-33
• 2.3.5 材料生長機理的提出33-34
• 2.4 本章小結(jié)34-35
• 第三章 利用AAO硬模板法制備AgTCNQ納米線陣列35-45
• 3.1 前言35
• 3.2 實驗部分35-38
• 3.2.1 樣品及試劑35
• 3.2.2 實驗儀器及測試儀器35-36
• 3.2.3 鋁片的預(yù)處理36
• 3.2.4 100nm高度有序的AAO模板的制備36-37
• 3.2.5 兩端通孔的AAO模板的制備37
• 3.2.6 電沉積法制備Ag納米棒陣列37-38
• 3.2.7 AgTCNQ納米線陣列的制備38
• 3.3 結(jié)果與討論38-44
• 3.3.1 100nm高度有序AAO模板的制備38-40
• 3.3.2 利用AAO通過電沉積法制備Ag納米線陣列40-41
• 3.3.3 AgTCNQ納米線陣列的制備及材料的表征41-44
• 3.4 本章小結(jié)44-45
• 參考文獻45-52
• 作者簡歷52-53
• 發(fā)表論文及科研成果53-54
• 致謝54

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