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納米壓印法制作亞波長結構PI減反射膜

發(fā)布時間:2017-09-30 10:29

  本文關鍵詞:納米壓印法制作亞波長結構PI減反射膜


  更多相關文章: 亞波長結構 減反射膜 納米壓印 聚酰亞胺 陽極氧化


【摘要】:為提高柔性基底太陽能電池光電轉化效率,減少表面反射損失,用Tracepro光學仿真軟件模擬設計亞波長結構減反射膜尺寸參數(shù),仿真結果表明亞波長結構薄膜在納米柱高度72 nm,占空比為0.5,光柵周期在300~440 nm處,光通量增強效果最佳.采用納米壓印技術,以多孔結構陽極氧化鋁為模板,制作聚酰亞胺基底減反射膜.采用掃描電子顯微鏡和紫外-可見分光光度計研究了陽極氧化技術所制作的Al2O3模板及其納米壓印技術等工藝參數(shù)對PI薄膜透過率的影響.測試結果表明,在0.3 mol/L草酸溶液中,70 V恒壓模式連續(xù)反應1 h條件下制備AAO模板,在280℃,800 kg壓力條件下,熱壓印時間為10 min所得PI膜.在AM1.5大氣質量條件下,UV-VIS透射光譜從440~1 000 nm區(qū)域,所制作的薄膜較原始PI膜的透過率提高2%~5%.
【作者單位】: 哈爾濱工業(yè)大學航天學院;上?臻g電源研究所;
【關鍵詞】亞波長結構 減反射膜 納米壓印 聚酰亞胺 陽極氧化
【基金】:中國航天科技集團公司航天科技創(chuàng)新基金(2014-YF-0420)
【分類號】:TB383.2;TM914.4
【正文快照】: 太陽能電池作為一種高效率、長壽命、高可靠性的空間能源,在太空中要應對惡劣環(huán)境(真空中高能射線的輻照)、經受-185~150℃的高低溫急變沖擊等.現(xiàn)以單晶硅為主的太陽能電池陣列,質量大,質脆等性質嚴重地限制了其在未來空間技術領域中的應用.柔性基底復合薄膜太陽電池憑借其耗

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