本文關(guān)鍵詞：CdS納米顆粒填充的自支撐多孔硅光致發(fā)光特性

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【摘要】：為了研究CdS納米顆粒填充的自支撐多孔硅的光致發(fā)光特性,選用電阻率為0.01~0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步陽極氧化法制備自支撐多孔硅,再利用電泳法將CdS納米顆粒填充入該自支撐多孔硅中.采用掃描電子顯微鏡、X射線能譜分析、X射線衍射分析、光致發(fā)光譜分析對所制備樣品的形貌、相結(jié)構(gòu)、組份及發(fā)光性能進行研究.實驗結(jié)果表明:自支撐多孔硅內(nèi)部成功填充了CdS納米顆粒,該CdS納米顆粒衍射峰為(210);CdS納米顆粒填充的自支撐多孔硅光致發(fā)光峰峰位發(fā)生紅移,且從570nm轉(zhuǎn)移到740nm;電泳時間直接影響CdS納米顆粒的填充量,導致相關(guān)的發(fā)光峰強度及發(fā)光峰位明顯不同.
【作者單位】： 南京航空航天大學材料科學與技術(shù)學院江蘇省能量轉(zhuǎn)換材料與技術(shù)重點實驗室;常州大學江蘇省光伏科學與工程協(xié)同創(chuàng)新中心;
【關(guān)鍵詞】： CdS 納米顆粒 陽極氧化法 電泳法 自支撐多孔硅 光致發(fā)光
【基金】：國家自然科學基金(No.61176062) 江蘇省前瞻性聯(lián)合創(chuàng)新項目(No.BY2013003-08) 江蘇高校優(yōu)勢學科建設(shè)工程資助項目 中央高�；究蒲袠I(yè)務費(No.3082015NJ20150024)資助~~
【分類號】：TQ132.44;TB383.1
【正文快照】： (2常州大學江蘇省光伏科學與工程協(xié)同創(chuàng)新中心,江蘇常州213164)1-10061900引言硅作為一種重要的半導體及電子材料,是現(xiàn)代半導體和大規(guī)模集成電路的基礎(chǔ)材料,其使用量占整個電子材料的95%以上.但是硅又是一種間接帶隙半導體,它的發(fā)光效率極低,不能直接制造如激光器、發(fā)光管等發(fā)

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