本文關(guān)鍵詞：氧分壓對NiO_x薄膜微結(jié)構(gòu)和電阻開關(guān)特性的影響

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【摘要】：利用磁控濺射方法在鍍Pt的Si(100)襯底上沉積制備NiO_x薄膜,研究了氧分壓對薄膜微結(jié)構(gòu)和電阻開關(guān)特性的影響.微結(jié)構(gòu)觀測分析結(jié)果表明:在20%氧分壓下,可獲得沿[200]晶向擇優(yōu)生長的NiO_x多晶薄膜,薄膜表面平整致密,晶粒平均直徑約為13.8nm,垂直襯底生長形成柱狀晶粒結(jié)構(gòu).磁性測試結(jié)果顯示薄膜具有典型的鐵磁性磁化曲線,但薄膜飽和磁矩隨著氧分壓增加急劇降低.電學(xué)測試結(jié)果表明20%氧分壓氛圍下沉積制備薄膜樣品的電流-電壓曲線呈現(xiàn)出典型的雙極性電阻開關(guān)特性:在-0.6V讀取電壓下,可獲得大于10的高/低電阻態(tài)阻值比.指數(shù)定律擬合電流-電壓實(shí)驗曲線表明:薄膜低電阻態(tài)漏電流為歐姆接觸電導(dǎo);而薄膜處于高電阻態(tài)時,低電壓下的漏電流仍以歐姆接觸電導(dǎo)為主,高電壓下則以缺陷主導(dǎo)的空間電荷限制電流為主.
【作者單位】： 西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： NiOx薄膜 微結(jié)構(gòu) 電阻開關(guān)特性
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11274257) 重慶市自然科學(xué)基金(cstc2014jcyjA40029) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項資金(XDJK2014B043)
【分類號】：TB383.2
【正文快照】： 目前,非易失性存儲器主流技術(shù)為Flash存儲技術(shù),但隨著器件尺寸的不斷減小,隧穿氧化層厚度的持續(xù)減薄導(dǎo)致存儲電荷的隧穿效應(yīng)越來越嚴(yán)重,這直接降低了Flash存儲器件的數(shù)據(jù)保存持久性能[1].為制造出新一代復(fù)合型存儲器,人們先后研發(fā)出了鐵電存儲器、磁存儲器、相變存儲器和電阻

【共引文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 霍進(jìn)遷;張yN揚(yáng);朱華星;王瑞雪;邱曉燕;;掃描電壓幅值調(diào)控循環(huán)方向的NiO_x薄膜電阻開關(guān)特性[J];中國科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué);2015年05期

2 石芬;;氧化鎳存儲薄膜微細(xì)圖形的研究[J];合成材料老化與應(yīng)用;2015年04期

3 李建昌;王玉磊;侯雪艷;徐彬;巴德純;;氧化鎳薄膜阻變特性研究進(jìn)展[J];真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報;2013年12期

【相似文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 季振國;王君杰;毛啟楠;席俊華;;Bi_2O_3薄膜的制備及其電阻開關(guān)特性的研究[J];無機(jī)材料學(xué)報;2012年03期

2 閔孟斌;岳建鋒;李亮玉;劉曉輝;;IGBT應(yīng)用特性測試與分析[J];焊接技術(shù);2013年05期

3 ;[J];;年期

中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前4條

1 韓龍吉;徐鳳岐;田海明;姚明;;中置柜開關(guān)特性試驗輔助裝置的設(shè)計與應(yīng)用[A];山東電機(jī)工程學(xué)會2012年度學(xué)術(shù)年會論文集[C];2012年

2 李洪濤;王玉娟;豐樹平;謝衛(wèi)平;鄧建軍;丁伯南;;4 MV激光觸發(fā)多級多通道開關(guān)特性[A];中國工程物理研究院科技年報(2008年版)[C];2009年

3 顧忠澤;劉舉正;韋鈺;;CuTCNQ開關(guān)特性的研究[A];首屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集[C];1992年

4 張東;(十日十卜)明勇;白玉白;李鐵津;;[Zn(dmit)_2]~(2-)的電化學(xué)行為與氧化還原開關(guān)特性[A];首屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議論文集[C];1992年

中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 江西 肖曉亮;自制沐浴熱水器自控水龍頭[N];電子報;2007年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前2條

1 張婷;鈣鈦礦結(jié)構(gòu)金屬氧化物薄膜的室溫可逆電阻開關(guān)特性研究[D];河南大學(xué);2010年

2 尚超;RSD開關(guān)特性及重頻和間隙負(fù)載放電特性研究[D];華中科技大學(xué);2011年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 王穎;基于電阻態(tài)開關(guān)特性的二端有機(jī)非易失性存貯器研究[D];蘭州大學(xué);2011年

2 陳偉峰;基于氧化鎳薄膜的電阻開關(guān)特性研究[D];杭州電子科技大學(xué);2011年

3 張甲陽;4H-SiC PiN二極管開關(guān)特性研究[D];西安電子科技大學(xué);2010年

4 袁書瓊;非線性光纖環(huán)形鏡的開關(guān)特性及偏振特性研究[D];華南師范大學(xué);2007年

5 劉曉娜;Pr_（0.7）Sr_（0.3）MnO_3薄膜的室溫電阻開關(guān)特性[D];河南大學(xué);2011年

6 臧云飛;五氧化二鉭異質(zhì)結(jié)的電阻開關(guān)特性研究[D];山東大學(xué);2014年

7 王麒;RF-濺射制備氧化釩薄膜及其電致開關(guān)特性研究[D];天津理工大學(xué);2012年

8 周麗萍;基于TiO_2薄膜的電阻開關(guān)特性研究[D];杭州電子科技大學(xué);2011年

9 柯偉青;基于氧化鋅薄膜的電阻開關(guān)特性研究[D];杭州電子科技大學(xué);2010年

10 秦風(fēng);輝光放電觸發(fā)贗火花開關(guān)特性研究[D];中國工程物理研究院;2010年

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本文編號：902687