本文關(guān)鍵詞：氧分壓對(duì)NiO_x薄膜微結(jié)構(gòu)和電阻開(kāi)關(guān)特性的影響

  更多相關(guān)文章： NiOx薄膜 微結(jié)構(gòu) 電阻開(kāi)關(guān)特性

【摘要】：利用磁控濺射方法在鍍Pt的Si(100)襯底上沉積制備NiO_x薄膜,研究了氧分壓對(duì)薄膜微結(jié)構(gòu)和電阻開(kāi)關(guān)特性的影響.微結(jié)構(gòu)觀測(cè)分析結(jié)果表明:在20%氧分壓下,可獲得沿[200]晶向擇優(yōu)生長(zhǎng)的NiO_x多晶薄膜,薄膜表面平整致密,晶粒平均直徑約為13.8nm,垂直襯底生長(zhǎng)形成柱狀晶粒結(jié)構(gòu).磁性測(cè)試結(jié)果顯示薄膜具有典型的鐵磁性磁化曲線,但薄膜飽和磁矩隨著氧分壓增加急劇降低.電學(xué)測(cè)試結(jié)果表明20%氧分壓氛圍下沉積制備薄膜樣品的電流-電壓曲線呈現(xiàn)出典型的雙極性電阻開(kāi)關(guān)特性:在-0.6V讀取電壓下,可獲得大于10的高/低電阻態(tài)阻值比.指數(shù)定律擬合電流-電壓實(shí)驗(yàn)曲線表明:薄膜低電阻態(tài)漏電流為歐姆接觸電導(dǎo);而薄膜處于高電阻態(tài)時(shí),低電壓下的漏電流仍以歐姆接觸電導(dǎo)為主,高電壓下則以缺陷主導(dǎo)的空間電荷限制電流為主.
【作者單位】： 西南大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： NiOx薄膜 微結(jié)構(gòu) 電阻開(kāi)關(guān)特性
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11274257) 重慶市自然科學(xué)基金(cstc2014jcyjA40029) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(XDJK2014B043)
【分類號(hào)】：TB383.2
【正文快照】： 目前,非易失性存儲(chǔ)器主流技術(shù)為Flash存儲(chǔ)技術(shù),但隨著器件尺寸的不斷減小,隧穿氧化層厚度的持續(xù)減薄導(dǎo)致存儲(chǔ)電荷的隧穿效應(yīng)越來(lái)越嚴(yán)重,這直接降低了Flash存儲(chǔ)器件的數(shù)據(jù)保存持久性能[1].為制造出新一代復(fù)合型存儲(chǔ)器,人們先后研發(fā)出了鐵電存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器和電阻

【共引文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前3條

1 霍進(jìn)遷;張yN揚(yáng);朱華星;王瑞雪;邱曉燕;;掃描電壓幅值調(diào)控循環(huán)方向的NiO_x薄膜電阻開(kāi)關(guān)特性[J];中國(guó)科學(xué):物理學(xué) 力學(xué) 天文學(xué);2015年05期

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【相似文獻(xiàn)】

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8 周麗萍;基于TiO_2薄膜的電阻開(kāi)關(guān)特性研究[D];杭州電子科技大學(xué);2011年

9 柯偉青;基于氧化鋅薄膜的電阻開(kāi)關(guān)特性研究[D];杭州電子科技大學(xué);2010年

10 秦風(fēng);輝光放電觸發(fā)贗火花開(kāi)關(guān)特性研究[D];中國(guó)工程物理研究院;2010年

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本文編號(hào)：902687