發(fā)布時間：2017-09-21 14:01

  本文關(guān)鍵詞：工藝條件對中頻磁控濺射CIGS薄膜的影響

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【摘要】：采用銅銦鎵硒(CIGS)四元合金靶材,利用中頻濺射電源在鈉鈣玻璃基底上磁控濺射CIGS薄膜。研究了濺射功率及基底溫度對CIGS薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響。采用SEM、XRD、UV-Vis及四探針方阻測試儀對CIGS薄膜結(jié)構(gòu)及性能進行了表征。結(jié)果表明,隨著功率的升高,薄膜晶界明顯,晶粒增大,光吸收系數(shù)達到105 cm-1數(shù)量級;隨著基底溫度升高到250℃,制備的CIGS吸收層薄膜結(jié)晶性最好,晶粒尺寸達到1μm,電阻率3 200Ω·cm,光吸收系數(shù)達到0.98×105 cm-1,禁帶寬度為1.41eV。
【作者單位】： 大連工業(yè)大學(xué)紡織與材料工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 中頻磁控濺射 CIGS薄膜 功率 基底溫度
【基金】：大連市建委資助項目(2012-456) 大連市科技平臺建設(shè)項目(2010-354)
【分類號】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】： 0引言銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池是一種新型的環(huán)保型電池,具有成本低,轉(zhuǎn)換效率高,性能穩(wěn)定,弱光性好等特點[1-3],擁有廣闊的發(fā)展前景。2013年10月,德國的氫能和可再生能源研究中心(ZSW)和Manz集團經(jīng)過密切的技術(shù)合作,CIGS薄膜太陽電池的轉(zhuǎn)化效率已達到20.8%[4],創(chuàng)造了新的世，

本文編號：894950