本文關(guān)鍵詞：硅基微納結(jié)構(gòu)薄膜中全向光吸收效應(yīng)

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【摘要】：研究了一種由硅基光子晶體與金屬?gòu)?fù)合微納結(jié)構(gòu)薄膜中的全向光吸收效應(yīng)。與完整的硅/金屬?gòu)?fù)合薄膜進(jìn)行比較研究發(fā)現(xiàn),在硅薄膜厚度相同的條件下硅基微納結(jié)構(gòu)薄膜能夠使吸光度提高近70%。此外,結(jié)果顯示這種光吸收增強(qiáng)效應(yīng)對(duì)入射角度的變化不敏感。在以0°~60°角度入射的情況下,硅微納結(jié)構(gòu)薄膜都能夠具備接近100%的光吸收。通過(guò)對(duì)能帶以及場(chǎng)構(gòu)型分析可以發(fā)現(xiàn),這種現(xiàn)象產(chǎn)生的原因歸結(jié)于金屬平板與截?cái)喙庾泳w中特殊的邊界陷光效應(yīng)和六角晶格的全向帶隙。
【作者單位】： 河南師范大學(xué)物理與材料科學(xué)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 硅薄膜 微納結(jié)構(gòu) 陷光效應(yīng) 光子晶體
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11404102) 河南省重點(diǎn)科技攻關(guān)計(jì)劃項(xiàng)目(152102210079) 河南省教育廳科學(xué)技術(shù)研究重點(diǎn)項(xiàng)目(14A140002) 先進(jìn)微結(jié)構(gòu)材料教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放課題(5201029160008)
【分類號(hào)】：O734;TB383.2
【正文快照】： 自1987年,Yablonovitch提出光子晶體概念[1],光子晶體展現(xiàn)的光子禁帶、非正常色散和折射特性吸引了越來(lái)越多人的興趣.光子晶體的基本電磁特性有光子帶隙特性、和光子局域特性.光子晶體與(電子)晶體類似,只不過(guò)所控制和利用的不是電子而是光子[2].但其與傳統(tǒng)光電子材料(晶體)的，

本文編號(hào)：890992