發(fā)布時(shí)間：2017-09-15 01:34

  本文關(guān)鍵詞：基于FIB-SEM雙束系統(tǒng)的納尺度真空間隙電學(xué)特性原位實(shí)驗(yàn)裝置

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【摘要】：納米尺度真空電氣擊穿與絕緣特性研究是高電壓與絕緣技術(shù)領(lǐng)域的前沿課題。一方面,隨著微納尺度加工技術(shù)的不斷發(fā)展,電氣部件和電子器件的特征物理尺寸已經(jīng)逐步降低到微米、納米甚至是分子原子尺度,并且在軍事和民用領(lǐng)域得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用;另一方面,傳統(tǒng)的放電擊穿理論和絕緣性能評(píng)價(jià)方法無(wú)法用來(lái)解釋和預(yù)估微納尺度的放電特性和絕緣水平。因此,本文基于聚焦離子束和掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)雙束系統(tǒng),借助納米壓電位移技術(shù)和微弱電流測(cè)量技術(shù),建立了納尺度真空間隙電學(xué)特性的原位研究系統(tǒng)。該系統(tǒng)不僅能夠進(jìn)行微納尺度(曲率半徑為15 nm~10μm)金屬電極的原位加工,材料組成成分的定量分析,而且可以實(shí)現(xiàn)納尺度真空間隙(20 nm)的放電特性研究,為納尺度擊穿規(guī)律和絕緣特性的實(shí)驗(yàn)研究提供了有力的支撐。
【作者單位】： 西安交通大學(xué)電氣工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： FIB-SEM雙束系統(tǒng) 納尺度真空間隙 電氣擊穿 原位研究
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(No.51607138) 強(qiáng)脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室專(zhuān)項(xiàng)經(jīng)費(fèi)(No.SKLIPR.1512)
【分類(lèi)號(hào)】：TM85;TB383.1
【正文快照】： 納米尺度真空電氣擊穿與絕緣特性研究是高電壓與絕緣技術(shù)領(lǐng)域的前沿課題。近年來(lái),伴隨著微納加工技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,微納尺度電氣部件和電子器件不斷出現(xiàn)并在軍事和民用領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。然而,這一類(lèi)的微納器件(如MEMS、NEMS等)往往需要面臨極高場(chǎng)強(qiáng)的工作環(huán)境,其絕緣可靠，

本文編號(hào)：853562