本文關(guān)鍵詞：薄膜太陽(yáng)電池緩沖層硫化鎘的制備

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【摘要】：采用操作簡(jiǎn)單的化學(xué)水浴法(CBD)在普通載玻片上制備了太陽(yáng)能電池用緩沖層硫化鎘薄膜。通過(guò)改變反應(yīng)溫度、溶液p H值和退火溫度等實(shí)驗(yàn)條件,探討了硫化鎘薄膜的最佳制備工藝條件,并利用X射線衍射儀、紫外-可見(jiàn)-分光光度計(jì)和電化學(xué)工作站對(duì)生成的薄膜樣品進(jìn)行了表征。結(jié)果表明,制備均勻性好、致密、覆蓋度好的硫化鎘薄膜的最佳實(shí)驗(yàn)條件如下:反應(yīng)溫度為70℃,溶液p H值為10,且后續(xù)在350℃溫度下進(jìn)行熱處理1 h。此條件下得到的硫化隔薄膜的可見(jiàn)光透過(guò)率較高,具有明顯的光電導(dǎo)現(xiàn)象;通過(guò)計(jì)算,最優(yōu)實(shí)驗(yàn)條件下獲得薄膜的禁帶寬度為2.3 5 e V,與理論值2.42 e V很接近。
【作者單位】： 湖南工業(yè)大學(xué)包裝與材料工程學(xué)院;華中科技大學(xué)材料成形與模具技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： CZTS薄膜太陽(yáng)電池 硫化鎘 水浴法 緩沖層
【分類號(hào)】：TB383.2;TM914.4
【正文快照】： 1研究背景薄膜太陽(yáng)電池的緩沖層為n型半導(dǎo)體材料,與p型的CZTS層正好形成一個(gè)p-n結(jié)。緩沖層是位于吸收層CZTS和窗口層Zn O之間的過(guò)渡層,可以作為保護(hù)異質(zhì)窗口層與吸收層的界面反應(yīng),增加電池的光電轉(zhuǎn)化效率[1-4]。硫化鎘作為一種非常有研究?jī)r(jià)值的光電子半導(dǎo)體材料,其禁帶寬度為2

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1 崔鐵鈺;崔放;李W，

本文編號(hào)：828565