本文關(guān)鍵詞：新型半導(dǎo)體材料的制備及性能研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《上海交通大學(xué)》 2012年

新型半導(dǎo)體材料的制備及性能研究

俞笑竹  

【摘要】：氮化銦（InN）、氫化納米硅（nc-Si:H）以及石墨烯薄膜作為近年來新型半導(dǎo)體材料的代表，受到人們的廣泛關(guān)注。本文采用射頻磁控濺射（RF Magnetron Sputtering）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）和FTF（face-to-face）外延生長方法分別制備了InN、nc-Si:H和石墨烯薄膜，并結(jié)合X射線衍射（XRD）、原子力顯微鏡（AFM）、低能電子衍射（LEED）、拉曼光譜及角分辨光電子能譜（ARPES）等諸多實(shí)驗(yàn)手段，研究了薄膜的生長機(jī)理及制備過程中各工藝參數(shù)對(duì)材料結(jié)構(gòu)和性能的影響。另外，利用深低溫強(qiáng)磁場下的變溫變磁場霍爾效應(yīng)測量，運(yùn)用弱局域化理論和量子干涉理論，我們對(duì)InN和nc-Si:H材料中的載流子輸運(yùn)特性進(jìn)行了深入的分析。 在Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體中，氮化銦（InN）是性能優(yōu)良的新型半導(dǎo)體材料，不僅在光電子器件方面有重要作用，而且在超高速微電子器件、超高頻微波器件以及在光電集成上都有著十分廣闊的應(yīng)用前景。由于InN較低的熱分解溫度（600℃），控制生長在較低溫度環(huán)境下進(jìn)行對(duì)于InN薄膜至關(guān)重要，這里我們采用能夠?qū)崿F(xiàn)低溫生長的射頻磁控濺射技術(shù)來制備InN材料。通過比較一系列不同濺射氣壓和襯底溫度條件下獲得的樣品的結(jié)晶狀況和表面形貌，我們發(fā)現(xiàn)10mTorr為最佳濺射氣壓條件，此時(shí)InN的結(jié)晶度最高。最優(yōu)的襯底溫度隨濺射氣壓的變化而變化,總體上的趨勢是較低的襯底溫度將有利于高質(zhì)量晶體InN薄膜的生長。 在薄膜制備過程中不可避免會(huì)引入各種雜質(zhì)或缺陷,造成結(jié)構(gòu)的無序性,借助于變溫變磁場霍爾測量手段,我們研究了無序?qū)nN材料中載流子輸運(yùn)的影響。測量結(jié)果顯示,InN薄膜在低溫下表現(xiàn)出反常的磁致電導(dǎo)。根據(jù)弱局域化理論,低溫下晶格振動(dòng)被抑制,彈性散射強(qiáng)于非彈性散射,電子波的相位記憶可引起強(qiáng)烈的量子干涉效應(yīng)而令電子趨向于停留在原地。在外磁場作用下,電子波因獲得附加相位而導(dǎo)致時(shí)間反演不變性被破壞,形成正的磁致電導(dǎo)。當(dāng)系統(tǒng)中存在自旋軌道耦合作用時(shí),由此產(chǎn)生的電子自旋弛豫則形成負(fù)的磁致電導(dǎo)。運(yùn)用相應(yīng)的理論模型,我們從實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)中提取出了電子的非彈性散射時(shí)間�？紤]到三維體系中,非彈性散射過程以電子-聲子散射為主,我們由此分析出電子-聲子散射率(τe-ph-1)隨無序程度的變化關(guān)系。對(duì)于InN薄膜構(gòu)成的無序半導(dǎo)體系統(tǒng),在較有序(qTl1)的樣品中,電聲子散射率τe-ph-1符τe-ph-1∝T310,隨著樣品越來越無序(qTl1),τe-ph-1將遵循規(guī)τe-ph-1∝T21-1。該結(jié)果與Sergeev等人提出的相關(guān)電子弛豫理論完全符合,在實(shí)驗(yàn)上驗(yàn)證了該理論的正確。 硅量子點(diǎn)薄膜代表了當(dāng)今半導(dǎo)體材料低維度化的發(fā)展方向。氫化納米硅(nc-Si：H)薄膜是納米尺寸的硅晶粒鑲嵌在氫化非晶硅(a-Si：H)無序網(wǎng)絡(luò)中形成的一種新型低維人工半導(dǎo)體材料,屬于自然量子點(diǎn)系統(tǒng)。 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)作為工業(yè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的技術(shù),是制備nc-Si:H薄膜的常用方法之一。對(duì)薄膜生長的熱力學(xué)過程分析表明,nc-Si:H薄膜的生長存在正、逆兩個(gè)反應(yīng)方向：正向反應(yīng)是硅烷(SiH4)的等離子體分解及硅薄膜的沉積過程,逆向反應(yīng)則是等離子體中的氫基團(tuán)將生成膜中鍵合較弱的硅—硅(Si-Si)鍵刻蝕掉的過程。nc-Si:H薄膜的形成就是正、逆反應(yīng)間制約和競爭的綜合結(jié)果。氫原子對(duì)單晶硅納米顆粒的形成有著重要的作用,不僅提供薄膜晶化所需要的能量,而且還參與控制硅晶粒的成核和晶粒的成長。 硅納米晶粒的形成不僅改善了nc-Si：H薄膜的無序程度,同時(shí)也使其表現(xiàn)出許多獨(dú)特的電學(xué)和電輸運(yùn)方面的性質(zhì)。我們利用變溫變磁場霍爾測量研究了nc-Si：H薄膜中載流子的自旋弛豫機(jī)制。低溫下,硅量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的電子傳輸表現(xiàn)出準(zhǔn)二維的跳躍電導(dǎo)行為,并在外磁場作用下,表現(xiàn)出反弱局域化現(xiàn)象。根據(jù)HLN理論,我們對(duì)此量子輸運(yùn)效應(yīng)進(jìn)行了計(jì)算并成功擬合了磁致電導(dǎo)率數(shù)據(jù),提取出兩個(gè)重要的輸運(yùn)參數(shù)——非彈性散射率τi-1和自旋-軌道散射τso-1。τi-1隨溫度的變化規(guī)律顯示,硅量子點(diǎn)系統(tǒng)中的電子退相干過程是以三通道相互作用為主的小能量傳輸過程。自旋-軌道散射τso-1隨溫度(1/T)衰減并趨于飽和的行為則說明,自旋弛豫過程不僅發(fā)生于電子在量子點(diǎn)間的跳躍,而且還發(fā)生在硅量子點(diǎn)內(nèi)部。 在本文最后,我們研究了石墨烯材料的制備。石墨烯是一種碳原子緊密堆積而成的二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)碳質(zhì)材料,是富勒烯、碳納米管、石墨等其他碳的同素異形體的基本組成單元。作為一種特殊的零帶隙半導(dǎo)體，石墨烯自2004年被發(fā)現(xiàn)可獨(dú)立存在以來，即成為化學(xué)、材料科學(xué)及物理學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。 大尺寸模板生長是石墨烯材料在器件應(yīng)用中的主要障礙，因此如何制備大面積高質(zhì)量的石墨烯便成為目前的研究重心之一。在眾多制備方法中，碳化硅（SiC）外延石墨烯生長被普遍認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)工業(yè)化制備和生產(chǎn)的最有效途徑之一。碳化硅外延生長是通過高溫加熱單晶SiC使其表面分解，硅原子蒸發(fā)逃逸后，剩下的碳原子經(jīng)過結(jié)構(gòu)重組形成石墨烯層。通常真空條件下制備出的石墨烯薄膜尺寸不超過100nm。本文中，我們提出了一種新的制備技術(shù)——FTF （face-to-face）外延生長，成功制備出了微米量級(jí)大小的石墨烯晶片。這種方法通過將兩個(gè)等大小的SiC晶片襯底Si面相對(duì)地平行疊加，利用一定溫度下SiC表面的同質(zhì)外延生長，大大改善了其表面平整度；同時(shí)晶片間的狹小空間限制了Si的逃逸，降低了Si原子的蒸發(fā)速度，從而有利于高質(zhì)量大面積石墨烯的形成。FTF外延生長法簡單、直接、成本低廉，有望實(shí)現(xiàn)石墨烯的批量生產(chǎn)。 以上研究得到了國家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目（10734020和11074169），科技部國家基礎(chǔ)研究重大計(jì)劃課題（2010CB933702），以及上海市科委重點(diǎn)項(xiàng)目（06JC14039）的資助。

【關(guān)鍵詞】：
【學(xué)位授予單位】：上海交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：博士
【學(xué)位授予年份】：2012
【分類號(hào)】：TN304.05
【目錄】：

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【引證文獻(xiàn)】

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 韓冰;納米硅薄膜晶體管加速度傳感器制作及特性研究[D];黑龍江大學(xué);2013年

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前6條

1 謝自力,張榮,畢朝霞,劉斌,修向前,顧書林,江若璉,韓平,朱順明,沈波,施毅,鄭有炓;InN材料及其應(yīng)用[J];微納電子技術(shù);2004年12期

2 何宇亮,武旭輝,王珩,林鴻溢,李沖;納米硅薄膜的壓阻效應(yīng)[J];科學(xué)通報(bào);1995年07期

3 潘葳,沈文忠;六方InN薄膜的載流子輸運(yùn)特性研究[J];物理學(xué)報(bào);2004年05期

4 何宇亮,余明斌,胡根友,張薔;一種納米硅薄膜的傳導(dǎo)機(jī)制[J];物理學(xué)報(bào);1997年08期

5 錢志剛,沈文忠,小川博司,郭其新;半導(dǎo)體氮化銦(InN)的晶格振動(dòng)[J];物理學(xué)進(jìn)展;2003年03期

6 鮑希茂;硅基發(fā)光材料研究進(jìn)展[J];物理;1997年04期

【共引文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 馮聲祖;InAs-SiO_2的電學(xué)特性研究[J];安徽大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2000年02期

2 韓琳;劉興明;劉理天;;用于紅外探測的非晶硅薄膜晶體管[J];半導(dǎo)體光電;2006年04期

3 楊利霞;吳志明;李世彬;蔣亞東;朱魁鵬;李偉;廖乃鏝;;摻硼非晶硅薄膜的電阻不穩(wěn)定性研究[J];半導(dǎo)體光電;2008年05期

4 李建豐;李東倉;歐谷平;張福甲;;有機(jī)半導(dǎo)體材料蒽薄膜的生長[J];半導(dǎo)體光電;2008年05期

5 江寧,顧書林,余是東,鄭有炓;SiO_2上多晶GeSi再結(jié)晶性質(zhì)的研究[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1997年03期

6 謝自力;張榮;修向前;畢朝霞;劉斌;濮林;陳敦軍;韓平;顧書林;江若璉;朱順明;趙紅;施毅;鄭有炓;;InN薄膜的退火特性[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2006年02期

7 彭英才,劉明,余明斌,李月霞,奚中和,何宇亮;nc-Si∶H/c-Si量子點(diǎn)二極管中的共振隧穿特性分析[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1998年08期

8 唐元洪;;非晶硅肖特基二極管伏安特性的計(jì)算[J];半導(dǎo)體雜志;1997年01期

9 何宇亮,奚中和,余明斌,李月霞,彭英才,劉明;納米硅薄膜二極管中的共振隧穿現(xiàn)象[J];半導(dǎo)體雜志;1998年01期

10 陳晨,何宇亮,祁祥麟;摻磷納米硅薄膜電導(dǎo)及壓阻效應(yīng)的研究[J];北京航空航天大學(xué)學(xué)報(bào);2000年04期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 江慧綠;程成;馬德偉;;PbSe量子點(diǎn)摻雜玻璃:制備及表征[A];中國光學(xué)學(xué)會(huì)2010年光學(xué)大會(huì)論文集[C];2010年

2 王東生;顧金泉;劉世民;;微晶玻璃的ELID超精磨削技術(shù)及表面變質(zhì)層的研究[A];2007中國浮法玻璃及玻璃新技術(shù)發(fā)展研討會(huì)論文集[C];2007年

3 江民紅;顧正飛;成鋼;;<311>軸向取向超磁致伸縮合金的制備與磁致伸縮性能[A];第七屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議論文集（第7分冊(cè)）[C];2010年

4 石舜森;任山;謝鴻波;歐陽紅群;石鑫;;X射線衍射儀測膜潛能的開發(fā)及其應(yīng)用[A];第八屆全國X射線衍射學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2003年

5 孫喜蓮;徐學(xué)科;邵建達(dá);;鉻過渡層對(duì)銀膜的微結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)及附著力的影響[A];上海市激光學(xué)會(huì)2005年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2005年

6 鄧加軍;陳強(qiáng);;納米硅薄膜的摻雜及其應(yīng)用研究進(jìn)展[A];2000年材料科學(xué)與工程新進(jìn)展（上）——2000年中國材料研討會(huì)論文集[C];2000年

7 鄧加軍;王金良;陳強(qiáng);徐剛毅;;摻硼納米硅薄膜電學(xué)特性的研究[A];2000年材料科學(xué)與工程新進(jìn)展（下）——2000年中國材料研討會(huì)論文集[C];2000年

8 張雪峰;欒春艷;齊麗英;李慧琴;麻永林;;稀土元素?fù)诫s二氧化鈦薄膜的制備與表征[A];第十三屆（2009年）冶金反應(yīng)工程學(xué)會(huì)議論文集[C];2009年

9 王銳;周敬;李文竹;黃磊;;X射線衍射法織構(gòu)測定參數(shù)的探討[A];第七屆(2009)中國鋼鐵年會(huì)論文集（下）[C];2009年

10 王翠玲;黃小文;劉秀波;張軍;王延敏;楊智寧;柳宏;計(jì)亞平;谷亦杰;;溫度對(duì)LiNi_(1/3)Co_(1/3)Mn_(1/3)O_2晶粒大小的影響[A];2006年中國機(jī)械工程學(xué)會(huì)年會(huì)暨中國工程院機(jī)械與運(yùn)載工程學(xué)部首屆年會(huì)論文集[C];2006年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 韓國才;幾種典型Dy~（3+）激活磷酸鹽基材料的制備及真空紫外發(fā)光性質(zhì)研究[D];蘭州大學(xué);2010年

2 游峰;面向微波應(yīng)用的鉈系高溫超導(dǎo)薄膜研究[D];南開大學(xué);2010年

3 何勝;燃煤煙氣汞催化氧化的試驗(yàn)和機(jī)理研究[D];浙江大學(xué);2009年

4 陳亮維;大變形疊軋制備超細(xì)晶銅材織構(gòu)組織演變規(guī)律研究[D];昆明理工大學(xué);2009年

5 高麗麗;N摻雜p型Mg_xZn_(1-x)O薄膜的制備及相關(guān)問題的研究[D];吉林大學(xué);2011年

6 劉秉策;ZnO/Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶界行為及其載流子輸運(yùn)機(jī)制研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年

7 劉柏林;FeCo基納米磁性薄膜材料的微波損耗機(jī)理研究[D];南京大學(xué);2011年

8 王姝;Al_2O_3、B摻雜的FeCo基薄膜的結(jié)構(gòu)和磁性研究[D];蘭州大學(xué);2011年

9 周明哲;航空用2E12合金熱處理工藝與疲勞行為的相關(guān)基礎(chǔ)問題研究[D];中南大學(xué);2010年

10 馬格林;一種新的SiC外延材料質(zhì)量評(píng)估方法[D];西安電子科技大學(xué);2011年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 牛方;磷酸酯粘結(jié)劑誘導(dǎo)生成羥基磷灰石晶體的實(shí)驗(yàn)研究[D];鄭州大學(xué);2010年

2 石德暉;染料敏化太陽能電池電極改性研究[D];長沙理工大學(xué);2010年

3 于亞芹;釩酸鉍光催化材料的制備及其光催化性能的研究[D];中國海洋大學(xué);2010年

4 高良秋;溶膠—凝膠法制備NiCuZn鐵氧體薄膜和粉體的研究[D];蘭州大學(xué);2010年

5 王蘭芳;寬禁帶半導(dǎo)體材料—ZnO、TiO_2和金剛石的制備及發(fā)光性能研究[D];天津理工大學(xué);2010年

6 郭正宇;黑硅材料的制備及特性研究[D];電子科技大學(xué);2010年

7 李亞東;基板表面狀態(tài)對(duì)合金化熱鍍鋅板鍍層組織和性能的影響[D];昆明理工大學(xué);2010年

8 劉愛元;氧化鎳薄膜的制備、改性及其電致變色性能研究[D];浙江大學(xué);2011年

9 魏晴;3d過渡金屬摻雜ZnO納米線的制備及磁、光性質(zhì)研究[D];西北大學(xué);2011年

10 郭忠杰;硅基InN單晶薄膜的RF-MBE生長及其特性研究[D];吉林大學(xué);2011年

【同被引文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 彭英才,劉明,何宇亮,李月霞;摻雜nc-Si∶H膜的電導(dǎo)特性[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2000年03期

2 程保羅,李昕欣,王躍林,焦繼偉,車錄鋒,楊恒,戈肖鴻,宋朝暉;帶有靜電自檢測功能的高靈敏度加速度傳感器[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2005年03期

3 徐敬波;趙玉龍;蔣莊德;張大成;楊芳;孫劍;;基于SOI的集成硅微傳感器芯片的制作[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);2007年02期

4 何宇亮，，褚一鳴，王中懷，劉湘娜，白春禮;納米硅薄膜界面結(jié)構(gòu)的微觀特征[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1994年01期

5 余明斌，李雪梅，何宇亮，徐士杰，劉劍，羅晉生，魏希文，鄭厚植，戌靄倫;納米硅薄膜的電致發(fā)光和光致發(fā)光[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1995年12期

6 何宇亮;;納米硅薄膜的應(yīng)用前景[J];半導(dǎo)體雜志;1996年04期

7 陳雪萌,李昕欣,宋朝暉,王躍林,黃暉,黃樹森,張鯤;一種新結(jié)構(gòu)硅微機(jī)械壓阻加速度計(jì)[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2005年03期

8 董明;惠春;徐愛蘭;;基于Ansys的壓電式四臂加速度計(jì)模擬分析[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2006年03期

9 趙玉龍;趙立波;蔣莊德;;基于SOI技術(shù)梁膜結(jié)合高過載壓阻式加速度計(jì)研究[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2006年05期

10 孟美玉;石云波;劉俊;祁曉瑾;;高g微加速度計(jì)的研究[J];傳感技術(shù)學(xué)報(bào);2008年02期

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 胡杰;介觀壓阻型加速度計(jì)的設(shè)計(jì)與性能測試[D];中北大學(xué);2008年

2 朱振東;多晶硅納米薄膜加速度傳感器研究[D];沈陽工業(yè)大學(xué);2009年

3 王志強(qiáng);納米硅薄膜晶體管磁傳感器研究[D];黑龍江大學(xué);2012年

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 李效白;氮化鎵基固態(tài)器件的研究進(jìn)展[J];半導(dǎo)體技術(shù);2001年05期

2 袁明文;氮化鎵在光電子和微電子器件中的應(yīng)用[J];半導(dǎo)體技術(shù);2001年06期

3 何宇亮，褚一鳴，王中懷，劉湘娜，白春禮;納米硅薄膜界面結(jié)構(gòu)的微觀特征[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1994年01期

4 梁春廣,張冀;GaN——第三代半導(dǎo)體的曙光[J];半導(dǎo)體學(xué)報(bào);1999年02期

5 何宇亮，林鴻溢，武旭輝，余明斌，于曉梅，王珩，李沖;納米Si薄膜的結(jié)構(gòu)及壓阻效應(yīng)[J];材料研究學(xué)報(bào);1996年01期

6 何宇亮,韋亞一,余明斌,鄭國珍,劉明,張薔;對(duì)納米硅薄膜高電導(dǎo)機(jī)制的探討[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1997年02期

7 徐劍,張榮,王一平,修向前,顧書林,沈波,施毅,劉治國,鄭有炓;GaN從藍(lán)寶石襯底上激光剝離技術(shù)的研究[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2002年04期

8 謝存毅,張立德,朱震剛,陳祖耀,李燕;納米ZrO_2固體低溫內(nèi)耗譜的研究[J];中國科學(xué)(A輯 數(shù)學(xué) 物理學(xué) 天文學(xué) 技術(shù)科學(xué));1992年06期

9 何宇亮,劉湘娜,王志超,程光煦,王路春,余是東;納米硅薄膜的研制[J];中國科學(xué)(A輯 數(shù)學(xué) 物理學(xué) 天文學(xué) 技術(shù)科學(xué));1992年09期

10 劉湘娜,何宇亮,F.WANG,R.SCHWARZ;納米硅薄膜光吸收譜的研究[J];物理學(xué)報(bào);1993年12期

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中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 林蘭英;;高溫半導(dǎo)體材料[J];科學(xué)通報(bào);1964年03期

2 林蘭英;;半導(dǎo)體材料發(fā)展的現(xiàn)況和趨勢[J];物理;1966年01期

3 陸向陽;;半導(dǎo)體材料技術(shù)動(dòng)向及挑戰(zhàn)[J];電子產(chǎn)品世界;2007年02期

4 王守武;;半導(dǎo)體的發(fā)展[J];科學(xué)通報(bào);1965年09期

5 王輝;琚偉偉;劉香茹;陳慶東;尤景漢;鞏曉陽;;半導(dǎo)體SiC材料研究進(jìn)展及其應(yīng)用[J];科技創(chuàng)新導(dǎo)報(bào);2008年01期

6 金成剛;吳雪梅;諸葛蘭劍;;SiC稀磁半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展[J];微納電子技術(shù);2007年12期

7 張文俊;;微波器件的最佳半導(dǎo)體材料[J];微納電子技術(shù);1972年04期

8 ;·百花苑·[J];國外測井技術(shù);2003年02期

9 ;國內(nèi)要聞[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2005年04期

10 崔曉英;;SiC半導(dǎo)體材料和工藝的發(fā)展?fàn)顩r[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn);2007年04期

中國重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 盛定儀;譚吉春;楊雨川;楊耿;;功率PIN二極管PSPICE子電路模型[A];2007年全國微波毫米波會(huì)議論文集（上冊(cè)）[C];2007年

2 胡睿;張華明;王關(guān)全;熊曉玲;楊玉青;魏洪源;;一種用于曲面核電池的鎳膜制備工藝初探[A];第十屆中國核靶技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)摘要集[C];2009年

3 丁瑞雪;楊銀堂;韓茹;;6H-SiC體材料ICP刻蝕技術(shù)[A];第十五屆全國化合物半導(dǎo)體材料，微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2008年

4 陳接勝;;微孔晶體SAPO-44對(duì)Se及HgI_2半導(dǎo)體粒子的組裝[A];材料科學(xué)與工程技術(shù)——中國科協(xié)第三屆青年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];1998年

5 羅妙宣;王華;夏華麗;;LED顯示技術(shù)及其發(fā)展趨勢[A];2005年中國科協(xié)學(xué)術(shù)年會(huì)論文集第8分會(huì)場光固化與數(shù)字成像技術(shù)及其應(yīng)用論文集[C];2005年

6 禹燁;牛燕雄;張鵬;劉杰;;強(qiáng)激光輻照半導(dǎo)體材料的熱沖擊效應(yīng)研究[A];中國光學(xué)學(xué)會(huì)2006年學(xué)術(shù)大會(huì)論文摘要集[C];2006年

7 張敏;班士良;;壓力下應(yīng)變異質(zhì)結(jié)中施主雜質(zhì)態(tài)的Stark效應(yīng)[A];第11屆全國發(fā)光學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2007年

8 李劍鋒;孫濤;;半導(dǎo)體生產(chǎn)對(duì)石英制品的要求[A];第四屆高新技術(shù)用硅質(zhì)材料及石英制品技術(shù)與市場研討會(huì)論文集[C];2006年

9 邵云東;王柱;;用正電子湮沒技術(shù)研究半導(dǎo)體材料GaSb的微結(jié)構(gòu)[A];第九屆全國正電子譜學(xué)會(huì)議論文集[C];2005年

10 張小章;鄧寧;周明勝;;同位素純硅半導(dǎo)體器件研制及性能測試[A];中國科協(xié)2005年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集——核科技、核應(yīng)用、核經(jīng)濟(jì)論壇[C];2005年

中國重要報(bào)紙全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 劉一梅;[N];中國化工報(bào);2007年

2 手心;[N];廣東建設(shè)報(bào);2007年

3 本報(bào)記者 薛景照;[N];中國高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報(bào);2002年

4 記者　李新安 通訊員　姜輝 杜松梅;[N];伊犁日?qǐng)?bào)(漢);2006年

5 特約記者 寧曉霞;[N];電腦報(bào);2004年

6 周杰倫;[N];廣東建設(shè)報(bào);2002年

7 肖開金;[N];中國礦業(yè)報(bào);2004年

8 記者 張慶華 通訊員 蘇偉;[N];伊犁日?qǐng)?bào)(漢);2008年

9 青文;[N];國際經(jīng)貿(mào)消息;2001年

10 祖強(qiáng);[N];中國電子報(bào);2003年

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 俞笑竹;新型半導(dǎo)體材料的制備及性能研究[D];上海交通大學(xué);2012年

2 孔晉芳;氧化鋅基半導(dǎo)體材料的拉曼光譜研究[D];上海交通大學(xué);2009年

3 俞琳;非磁性離子摻雜寬帶隙半導(dǎo)體磁性的第一性原理研究[D];山東大學(xué);2010年

4 陳小慶;寬帶隙半導(dǎo)體SiC和ZnO的光電性質(zhì)及摻雜研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2010年

5 席巖;石墨烯及類石墨烯量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和自旋調(diào)控的第一性原理研究[D];山東大學(xué);2013年

6 賴康榮;幾種鉍基半導(dǎo)體材料的電子結(jié)構(gòu)及光催化性質(zhì)的理論研究[D];山東大學(xué);2012年

7 郭立強(qiáng);納米硅薄膜太陽電池優(yōu)化研究[D];江蘇大學(xué);2012年

8 王威;配位型有機(jī)/無機(jī)復(fù)合半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)研究[D];清華大學(xué);2009年

9 朱金廣;多層半導(dǎo)體材料中光學(xué)聲子的輔助共振隧穿[D];內(nèi)蒙古大學(xué);2012年

10 劉金章;一維納米功能材料的制備與特性研究[D];蘭州大學(xué);2006年

中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

1 朱芳;有機(jī)功能半導(dǎo)體材料的設(shè)計(jì)合成與性能研究[D];大連理工大學(xué);2010年

2 陳雪萌;用LPCVD法在硅襯底上生長3C-Sic[D];西安理工大學(xué);2002年

3 李改葉;AL_2O_3-SiC復(fù)合材料結(jié)構(gòu)與性能的研究[D];武漢科技大學(xué);2004年

4 劉海林;反應(yīng)燒結(jié)碳化硅凝膠注模成型工藝及燒結(jié)體性能研究[D];中國建筑材料科學(xué)研究院;2004年

5 陳美良;有機(jī)—無機(jī)半導(dǎo)體材料界面的結(jié)構(gòu)和電子態(tài)研究[D];浙江大學(xué);2009年

6 辛峰;碳化硅非線性電阻滅磁系統(tǒng)在線監(jiān)測研究[D];華北電力大學(xué)（北京）;2010年

7 王一鵬;等離子體浸沒注入技術(shù)對(duì)半導(dǎo)體材料的改性研究[D];復(fù)旦大學(xué);2010年

8 程小強(qiáng);多晶硅源漏SiC N-MOSFET關(guān)鍵技術(shù)研究[D];西安電子科技大學(xué);2007年

9 張明亮;硅系合金生產(chǎn)中SiC的生成及其對(duì)爐內(nèi)反應(yīng)的影響[D];內(nèi)蒙古科技大學(xué);2007年

10 鄭勇;高比表面積碳化硅的合成及在氨合成反應(yīng)的應(yīng)用[D];福建師范大學(xué);2007年

  本文關(guān)鍵詞：新型半導(dǎo)體材料的制備及性能研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：81251