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用于結(jié)構(gòu)聲有源控制的碳納米管薄膜聲學(xué)作動(dòng)器

發(fā)布時(shí)間:2017-09-03 18:15

  本文關(guān)鍵詞:用于結(jié)構(gòu)聲有源控制的碳納米管薄膜聲學(xué)作動(dòng)器


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【摘要】:碳納米管薄膜揚(yáng)聲器是近幾年發(fā)展起來(lái)的一種基于熱聲效應(yīng)的新型聲源,文中首次提出將碳納米管薄膜用于結(jié)構(gòu)聲有源控制中,探究碳納米管薄膜作為次級(jí)聲學(xué)作動(dòng)器的可行性。文中主要工作和成果如下:(1)對(duì)碳納米管薄膜聲源的聲學(xué)特性進(jìn)行了理論分析;構(gòu)建了碳納米管薄膜聲源系統(tǒng),對(duì)近場(chǎng)聲壓和遠(yuǎn)場(chǎng)聲壓分別進(jìn)行了測(cè)試;將測(cè)試結(jié)果與已有的理論計(jì)算結(jié)果進(jìn)行對(duì)比和分析,進(jìn)而對(duì)薄膜輸出聲壓公式進(jìn)行修正,使測(cè)試結(jié)果與理論計(jì)算吻合良好。(2)對(duì)碳納米管薄膜聲源的聲壓影響因素進(jìn)行了具體分析,設(shè)計(jì)出一種并聯(lián)結(jié)構(gòu)的薄膜揚(yáng)聲器,大大降低薄膜的電阻,提高薄膜的輸出聲壓。(3)針對(duì)碳納米管薄膜的輸出聲壓與輸入電壓呈2倍頻率問(wèn)題,基于熱聲效應(yīng)對(duì)該頻率失真問(wèn)題進(jìn)行理論分析,采用串聯(lián)直流電壓源法和添加鉗位電路法解決頻率失真問(wèn)題,顯著提高了薄膜的輸出聲壓。(4)以碳納米管薄膜作為次級(jí)聲學(xué)作動(dòng)器,分別對(duì)單極子和平板結(jié)構(gòu)聲輻射進(jìn)行有源控制,以初、次級(jí)聲源總輻射聲功率為控制目標(biāo),推導(dǎo)出薄膜聲源的最優(yōu)控制電壓,求得控制后的總聲功率;針對(duì)不同的薄膜揚(yáng)聲器和布放方式,對(duì)比有源控制效果,驗(yàn)證了碳納米管薄膜最為次級(jí)聲源的可行性和有效性。
【關(guān)鍵詞】:碳納米管薄膜 熱聲效應(yīng) 結(jié)構(gòu)聲有源控制 聲場(chǎng)測(cè)試 有源控制效果
【學(xué)位授予單位】:蘇州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TN643;TB383.1
【目錄】:
  • 中文摘要4-5
  • Abstract5-9
  • 第一章 緒論9-16
  • 1.1 研究背景和意義9-10
  • 1.2 結(jié)構(gòu)聲有源控制的研究歷史及現(xiàn)狀10-12
  • 1.3 碳納米管薄膜聲學(xué)作動(dòng)器的研究現(xiàn)狀12-14
  • 1.4 本文工作14-16
  • 第二章 碳納米管薄膜的特性與聲場(chǎng)理論16-32
  • 2.1 碳納米管薄膜揚(yáng)聲器的構(gòu)成16-18
  • 2.2 碳納米管薄膜揚(yáng)聲器的特性18-20
  • 2.3 碳納米管薄膜的熱聲效應(yīng)聲場(chǎng)20-27
  • 2.3.1 近場(chǎng)理論23-26
  • 2.3.2 遠(yuǎn)場(chǎng)理論26-27
  • 2.4 主要影響因素27-29
  • 2.5 薄膜揚(yáng)聲器的性能改善29-32
  • 第三章 碳納米管薄膜的聲場(chǎng)測(cè)試與分析32-53
  • 3.1 實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備32-36
  • 3.2 近場(chǎng)聲壓測(cè)試36-41
  • 3.2.1 平面波驗(yàn)證36-40
  • 3.2.2 不同薄膜的近場(chǎng)測(cè)試40-41
  • 3.3 遠(yuǎn)場(chǎng)聲壓測(cè)試41-43
  • 3.4 近場(chǎng)聲壓公式修正43-47
  • 3.5 影響因素具體分析47-51
  • 3.6 本章小結(jié)51-53
  • 第四章 碳納米管薄膜聲源頻率失真問(wèn)題研究53-63
  • 4.1 碳納米管薄膜揚(yáng)聲器的頻率失真53-54
  • 4.2 解決頻率失真的具體辦法54-62
  • 4.2.1 串聯(lián)直流電壓54-56
  • 4.2.2 添加鉗位電路56-57
  • 4.2.3 實(shí)驗(yàn)測(cè)量57-62
  • 4.3 本章小結(jié)62-63
  • 第五章 碳納米管薄膜在有源噪聲控制中的應(yīng)用63-86
  • 5.1 傳統(tǒng)聲源作為次級(jí)聲源控制初級(jí)聲源的原理63-70
  • 5.1.1 單極子聲源控制單極子聲輻射63-65
  • 5.1.2 單極子聲源控制平板聲輻射65-68
  • 5.1.3 次級(jí)聲源及其布放68-70
  • 5.2 碳納米管薄膜控制單極子聲輻射70-78
  • 5.2.1 有源消聲模型70-73
  • 5.2.2 仿真計(jì)算73-77
  • 5.2.3 結(jié)論77-78
  • 5.3 碳納米管薄膜控制平板聲輻射78-86
  • 5.3.1 有源消聲模型78-81
  • 5.3.2 仿真計(jì)算81-85
  • 5.3.3 結(jié)論85-86
  • 第六章 總結(jié)與展望86-89
  • 6.1 本文總結(jié)86-87
  • 6.2 展望87-89
  • 參考文獻(xiàn)89-94
  • 攻讀碩士期間發(fā)表的論文94-95
  • 致謝95-96

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本文編號(hào):786565

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