本文關(guān)鍵詞：雷達(dá)吸波材料反射率測(cè)試技術(shù)的研究與應(yīng)用

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【摘要】：雷達(dá)波吸波材料能吸收雷達(dá)波,使反射波減弱甚至不反射,從而達(dá)到隱身的目的,在軍事技術(shù)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。反射率是衡量吸波材料吸收能力的重要性能指標(biāo)。因此,研究吸波材料反射率的測(cè)試技術(shù)具有重要的工程意義。目前,雷達(dá)波吸波材料反射率的測(cè)試技術(shù)主要包括弓形測(cè)試技術(shù)、微波暗室測(cè)試技術(shù)、同軸測(cè)試技術(shù)和樣板空間平移測(cè)試技術(shù)。弓形測(cè)試技術(shù)是國(guó)內(nèi)外最常用的技術(shù),簡(jiǎn)單實(shí)用；微波暗室測(cè)試技術(shù)是最有鑒定性的測(cè)試技術(shù),設(shè)計(jì)過(guò)程和測(cè)試過(guò)程復(fù)雜,但測(cè)試結(jié)果精確度高。因此,論文對(duì)反射率的弓形測(cè)試技術(shù)和微波暗室測(cè)試技術(shù)進(jìn)行重點(diǎn)研究,主要內(nèi)容包括：1)簡(jiǎn)要介紹四種雷達(dá)波吸波材料反射率的測(cè)試技術(shù),給出不同測(cè)試技術(shù)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。2)在介紹弓形測(cè)試技術(shù)基本原理的基礎(chǔ)上,研究弓形架的設(shè)計(jì)和制作、標(biāo)準(zhǔn)板和測(cè)試樣板的制備、測(cè)試環(huán)境的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn),給出測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成和測(cè)試步驟。在此基礎(chǔ)上,按照電磁波入射角和極化方式的差異,采用弓形測(cè)試技術(shù),給出吸波材料在不同頻率和不同入射角度上的反射率測(cè)試結(jié)果,并深入分析測(cè)試系統(tǒng)的誤差來(lái)源。3)在介紹微波暗室測(cè)試技術(shù)基本原理的基礎(chǔ)上,研究微波暗室的電性能設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì),給出系統(tǒng)構(gòu)成和測(cè)試步驟。在此基礎(chǔ)上,按照吸波材料測(cè)試樣品橫放與豎放位置的差異,采用微波暗室測(cè)試技術(shù),給出不同頻段內(nèi)、不同角度下的反射率測(cè)試結(jié)果,并深入分析測(cè)試系統(tǒng)的誤差來(lái)源。
【關(guān)鍵詞】：雷達(dá)吸波材料 反射率 弓形測(cè)試技術(shù) 微波暗室測(cè)試技術(shù)
【學(xué)位授予單位】：山東大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類(lèi)號(hào)】：TB34
【目錄】：

• 摘要8-9
• ABSTRACT9-11
• 第一章 概述11-14
• 1.1 研究背景11-12
• 1.2 論文主要工作12-13
• 1.3 論文結(jié)構(gòu)安排13-14
• 第二章 雷達(dá)波吸波材料反射率測(cè)試技術(shù)概述14-18
• 2.1 弓形測(cè)試技術(shù)14-15
• 2.2 微波暗室測(cè)試技術(shù)15-16
• 2.3 同軸測(cè)試技術(shù)16-17
• 2.4 樣板空間平移測(cè)試技術(shù)17-18
• 第三章 反射率弓形測(cè)試技術(shù)研究和應(yīng)用18-41
• 3.1 弓形測(cè)試技術(shù)原理18
• 3.2 弓形支架的設(shè)計(jì)和制作18-20
• 3.2.1 弓形支架的功能19
• 3.2.2 弓形支架設(shè)計(jì)的主要原理19
• 3.2.3 弓形支架的設(shè)計(jì)方法19-20
• 3.3 標(biāo)準(zhǔn)板和材料測(cè)試樣板的制備20-23
• 3.3.1 標(biāo)準(zhǔn)板的制備實(shí)施20-22
• 3.3.2 測(cè)試樣板的制備實(shí)施22-23
• 3.4 測(cè)試背景環(huán)境的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)23-26
• 3.5 弓形技術(shù)反射率測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成26-29
• 3.6 測(cè)試結(jié)果和分析29-38
• 3.7 測(cè)試系統(tǒng)的誤差來(lái)源及分析38-41
• 3.7.1 吸波材料測(cè)試樣板形狀對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響38-39
• 3.7.2 大角度入射對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響39-40
• 3.7.3 天線(xiàn)間雜散耦合對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響40
• 3.7.4 客觀因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響40-41
• 第四章 反射率微波暗室測(cè)試技術(shù)研究和應(yīng)用41-65
• 4.1 微波暗室測(cè)試技術(shù)原理41-42
• 4.2 微波暗室的電性能描述42-44
• 4.2.1 靜區(qū)42-43
• 4.2.2 反射率水平43
• 4.2.3 交叉極化43
• 4.2.4 現(xiàn)場(chǎng)幅度均勻性43
• 4.2.5 多路徑損耗43-44
• 4.2.6 工作頻率范圍44
• 4.2.7 RCS固有特性44
• 4.3 微波暗室的電性能設(shè)計(jì)44-48
• 4.3.1 微波暗室結(jié)構(gòu)的選擇44-46
• 4.3.2 矩形微波暗室尺寸的確定46-47
• 4.3.3 背景材料的選擇47-48
• 4.4 微波暗室的工藝設(shè)計(jì)48-49
• 4.5 微波暗室反射率測(cè)試系統(tǒng)構(gòu)成49-51
• 4.6 微波暗室的測(cè)試步驟51-55
• 4.7 測(cè)試結(jié)果和分析55-63
• 4.8 測(cè)試系統(tǒng)存在的誤差來(lái)源及分析63-65
• 4.8.1 測(cè)試位置誤差63
• 4.8.2 定標(biāo)體引入的校準(zhǔn)誤差63
• 4.8.3 背景回波產(chǎn)生的誤差63
• 4.8.4 客觀因素產(chǎn)生的誤差63-65
• 第五章 總結(jié)展望65-67
• 參考文獻(xiàn)67-70
• 致謝70-71
• 學(xué)位論文評(píng)閱及答辯情況表71

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