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一維GaN納米材料制備及其光電器件研究進展

發(fā)布時間:2017-08-31 17:18

  本文關鍵詞:一維GaN納米材料制備及其光電器件研究進展


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【摘要】:一維GaN納米材料相對于薄膜材料在光電器件應用方面具有諸多優(yōu)勢,本文主要論述一維GaN納米材料的主要制備方法及其光電器件應用的研究進展。首先分別介紹采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制備一維GaN納米材料,重點論述GaN納米材料的結構與形貌調控。其次介紹一維GaN納米材料分別應用于主要光電器件包括LED、太陽能電池、激光器及光探測器的研究動態(tài),討論納米材料性能、結構以及制備技術對其器件性能的影響。最后對一維GaN納米材料的發(fā)展與應用前景進行展望。
【作者單位】: 天津理工大學顯示材料與光電器件教育部重點實驗室天津市光電顯示材料與器件重點實驗室材料科學與工程學院材料物理所;
【關鍵詞】GaN 納米線 CVD法 LED 光探測器
【基金】:天津市高等學?萍及l(fā)展基金計劃資助項目(20140301) 天津市“131”創(chuàng)新型人才培養(yǎng)工程資助項目(401008002) 天津理工大學大學生創(chuàng)新訓練計劃資助項目(X2015001);天津理工大學學生科技基金資助項目
【分類號】:TQ133.51;TB383.1
【正文快照】: 0引言一維GaN納米材料是納米技術應用領域最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧现?它具有直接帶隙、較大的禁帶寬度(室溫下Eg=3.39eV)[1-2]、高的電子遷移率[3-5]、和很好的熱學穩(wěn)定性[6-7],在紫外光或藍光發(fā)射器、探測器、高速場效應晶體管以及高溫微電子器件方面有很好的應用前景[8-13]。首

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