本文關(guān)鍵詞：一維GaN納米材料制備及其光電器件研究進(jìn)展

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【摘要】：一維GaN納米材料相對(duì)于薄膜材料在光電器件應(yīng)用方面具有諸多優(yōu)勢(shì),本文主要論述一維GaN納米材料的主要制備方法及其光電器件應(yīng)用的研究進(jìn)展。首先分別介紹采用MOCVD、MBE、CVD及模板法制備一維GaN納米材料,重點(diǎn)論述GaN納米材料的結(jié)構(gòu)與形貌調(diào)控。其次介紹一維GaN納米材料分別應(yīng)用于主要光電器件包括LED、太陽能電池、激光器及光探測(cè)器的研究動(dòng)態(tài),討論納米材料性能、結(jié)構(gòu)以及制備技術(shù)對(duì)其器件性能的影響。最后對(duì)一維GaN納米材料的發(fā)展與應(yīng)用前景進(jìn)行展望。
【作者單位】： 天津理工大學(xué)顯示材料與光電器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室天津市光電顯示材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室材料科學(xué)與工程學(xué)院材料物理所;
【關(guān)鍵詞】： GaN 納米線 CVD法 LED 光探測(cè)器
【基金】：天津市高等學(xué)�？萍及l(fā)展基金計(jì)劃資助項(xiàng)目(20140301) 天津市“131”創(chuàng)新型人才培養(yǎng)工程資助項(xiàng)目(401008002) 天津理工大學(xué)大學(xué)生創(chuàng)新訓(xùn)練計(jì)劃資助項(xiàng)目(X2015001);天津理工大學(xué)學(xué)生科技基金資助項(xiàng)目
【分類號(hào)】：TQ133.51;TB383.1
【正文快照】： 0引言一維GaN納米材料是納米技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域最具發(fā)展?jié)摿Φ牟牧现?它具有直接帶隙、較大的禁帶寬度(室溫下Eg=3.39eV)[1-2]、高的電子遷移率[3-5]、和很好的熱學(xué)穩(wěn)定性[6-7],在紫外光或藍(lán)光發(fā)射器、探測(cè)器、高速場(chǎng)效應(yīng)晶體管以及高溫微電子器件方面有很好的應(yīng)用前景[8-13]。首

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本文編號(hào)：766872