本文關(guān)鍵詞：銀納米線與二氧化硅襯底表面摩擦力的測量

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【摘要】：銀納米線是制作納米光電子器件的理想材料,了解銀納米線與特定襯底間的摩擦特性對于器件的設計和制備工藝具有重要參考價值。本文利用原子力顯微鏡(AFM)研究銀納米線與二氧化硅襯底表面的摩擦特性,為提高摩擦力測量準確性,依次借助斜面法和橫向力曲線分別標定了AFM探針的扭轉(zhuǎn)彈性常數(shù)和光杠桿橫向靈敏度,同時對掃描器引入的橫向誤差進行了補償。利用AFM納米操縱技術(shù)記錄了單根銀納米線由靜止到整體滑動的全過程,實驗測得直徑50 nm銀納米線與二氧化硅襯底表面的最大靜摩擦線密度和滑動摩擦線密度分別為1.07n N/nm和0.56 n N/nm。
【作者單位】： 天津大學精密測試技術(shù)及儀器國家重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】： 原子力顯微鏡 銀納米線 摩擦 納米操縱 標定
【基金】：國家自然科學基金資助項目(No.61204117) 國家863計劃項目(No.2012AA041204)
【分類號】：TB383.1
【正文快照】： 銀納米線是一種形狀規(guī)則,易于合成的典型一維材料,因其具有優(yōu)異的導電、導熱、透光等特性,被認為是制作透明導電薄膜和構(gòu)建納米電子器件的理想功能單元[1-6]。銀納米線與襯底表面尤其是微電子工藝常用的二氧化硅襯底表面的相互作用,對器件結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性和器件功能有直接影響。

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本文編號：715113